薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し : 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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本報告では、先ず、過去50年のSOIデバイス技術の歴史を見たとき、現代の薄層SOI MOSFET技術の到達点と近未来の3次元構造微細SOI MOSFET技術の位置づけと見通しを技術データと共に解析モデルから分かることを整理する。また、今後の微細MOSFETのモデリングについて、最近の解析例を紹介する。物理学的に厳密な議論を行うには、量子効果を第一原理的に導入せざるをえない。しかし回路設計上必要な情報を抽出する目的では、第一原理的な手法が常に必要なわけではなく、キャリア移動度のような重要な特性パラメータのモデル構築を基に、従来の半古典的解析手法の拡張でかなりの特性解析を実行可能であることなどを議論する。
- 2009-11-05
著者
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