ソース・ドレーン領域に極薄SiN_x膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性(半導体材料・デバイス)
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概要
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1.7nmの窒化膜(SiN_x)を有するトンネリング誘電体TFT(Tunneling Dielectric Thin-Film Transistor:TDTFT)をボトムゲート構造で作製し,TDTFTと従来型TFT(Conv.TFT)のドレーン電流の温度依存性とその伝導機構について調査した.低温領域20〜300Kと高温領域293〜623Kにおける相互コンダクタンス(gm)の値をW/L=50μm/10μmのConv.TFTとTDTFTを用いI_d-V_g特性から算出した.20〜150Kの温度範囲においてTDTFTのドレーン電流はSiN_x膜による直接トンネリングが支配的となるが,150K以上の温度範囲においては見かけ上,熱活性化過程が支配的となる.一方,Conv.TFTは低温領域においてはチャネル領域のPoly-Siの浅い準位(〜0.01eV)を介した,高温領域においてはそれより深い準位(〜0.15eV)を介したプールフレンケル(Poole-Frenkel)機構が支配的である.
- 2011-03-01
著者
-
大倉 健作
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
松尾 直人
兵庫県立大学
-
部家 彰
兵庫県立大学物質系
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
部家 彰
石川県工試
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
松尾 直人
兵庫県立大学工学研究科
-
部家 彰
兵庫県立大学工学研究科
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
横山 新
広島大・ナノデバイス・バイオ融合研:広島大院・先端・生命機能
-
大村 泰久
関西大学大学院工学研究科
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
小林 孝裕
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
栃尾 貴之
関西大学大学院理工学研究科
-
大倉 健作
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
松尾 直人
兵庫県立大学工学部
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院
-
小林 孝裕
兵庫県立大学大学院
-
部家 彰
兵庫県立大学 大学院工学研究科
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