多重ドットシリコン単電子トランジスタにおけるコトンネリング電流(単電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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単電子トランジスタ(SET)は超低消費電力を実現する次世代のデバイスとして期待されている。特にSi SETは現在までに蓄積したSi集積化技術を利用できる利点を持っている。我々は、クーロン振動の谷電流に寄与するコトンネリング電流が低減されることが期待できる多重(3つの)ドットを有するSi SETを作製し、電流電圧特性を系統的に測定してコトンネリング理論と比較した。その結果、クーロン振動の谷電流の温度依存性はドレイン電圧が低い場合、40K以上では非弾性コトンネリング理論によってよく記述されることが分かった。ドットを多重化することで谷電流が指数関数的に抑制されるため、多重ドットSi SETは回路動作にとって有望であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-25
著者
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