p-MOSFETのための原子層成長Si窒化膜/SiO_2スタックゲート絶縁膜の研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
原子層堆積(ALD)法により極薄(≦0.4nm)のSi窒化膜をゲート酸化膜上に堆積した。原子層成長Si窒化膜/SiO_2スタックゲート絶縁膜を用いP-MOSダイオードを作製し、容量一ゲート電圧(C-V)特性、トンネル電流-ゲート電圧(I-V)特性、時間依存絶縁破壊(TDDB)特性を調べた。その結果、原子層成長Si窒化膜/SiO_2スタックゲート絶縁膜は大幅にボロン突き抜けを抑制し、信頼性が改善されている事を確認した。ALD法を用いる事によって極薄Si窒化膜の堆積を原子層レベルで制御する事が可能となった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-31
著者
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
KHOSRU Quazi
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
Khosru Q
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
中島 安理
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
吉元 隆史
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
木寺 俊郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
関連論文
- BIO R&D シリカ結合タンパク質「Si-tag」を利用した半導体バイオ融合デバイスの開発
- 光触媒を用いたUV/光電子法による密閉空間の超清浄化
- 光バスを用いたパターンマッチング回路
- サブ0.1μm MOSFETへの応用を目指した極浅接合形成における課題
- UV/光電子法を用いた減圧下での微粒子除去
- 光配線を用いたパターン認識システム基本回路の設計と試作
- ウェハ保管環境の MOS デバイス特性への影響
- マルチモード干渉を利用したSi光導波路の平面交差とその慣性センサへの応用
- 多重ドットシリコン単電子トランジスタにおけるコトンネリング電流
- 多重ドットシリコン単電子トランジスタにおけるコトンネリング電流(単電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- 多重ドットシリコン単電子トランジスタにおけるコトンネリング電流(単電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- 高濃度ドープしたSi単電子トランジスタを使ったXOR回路の室温動作(多量量子ドットと機能性)
- 多重ドットSi単電子トランジスタにおける周期的なクーロン振動(多量量子ドットと機能性)
- 高濃度ドープしたSi単電子トランジスタを使ったXOR回路の室温動作(多量量子ドットと機能性)
- 多重ドットSi単電子トランジスタにおける周期的なクーロン振動(多量量子ドットと機能性)
- ダイナミック酸化膜電界ストレス下でのチャージポンピング電流に起因する界面トラップ形成(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- ZrO_2ゲート絶縁膜のアニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- p-MOSFETのための原子層成長Si窒化膜/SiO_2スタックゲート絶縁膜の研究
- シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- 3P-2113 シリカ結合タンパク質を用いた半導体バイオ融合デバイス開発(10b バイオセンシング,分析化学,一般演題,センサー計測技術,伝統の技と先端科学技術の融合)
- 新規変調プラズマによるSiH4/H2プラズマCVDリアクター内のダスト微粒子の抑制
- シリコンリング共振器を用いた電界駆動光変調素子(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- プラズマベースイオン注入滅菌法における窒素イオンエネルギーの推定
- LOCOS端に誘起される欠陥のウエハ種依存性評価
- セルフリミット機構を有するシリコン窒化膜の原子層デポジション
- 中エネルギーイオン散乱法(MEIS)によるヒ素イオン注入極浅接合の評価
- LSI配線の課題と光配線(光配線と高速伝送技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地-)
- LSI配線の課題と光配線(光配線と高速伝送技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地)
- Soft-breakdown-suppressed ultrathin atomic-layer-deposited silicon–nitride/SiO2 stack gate dielectrics for advanced complementary metal–oxide–semiconductor technology
- 半導体搬送ボックスのUV/光電子法によるクリーン化とMOSデバイスへの影響
- 3K1045 局所空間の超クリーン化
- 光と電子が作るアメニティ--人,食品,ウエハに対する快適環境
- 光インタコネクションを有する3次元メモリ LSI
- UV/光電子クリーニング法の半導体搬送ボックスへの応用 (特集 酸化チタン光触媒の実用技術最前線) -- (応用開発事例)
- Organic Contamination Dependence of Process-Induced Interface Trap Generation in Ultrathin Oxide Metal Oxide Semiconductor Transistors
- 無線/光配線による三次元集積の課題と展望(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 無線/光配線による三次元集積の課題と展望(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- (Ba,Sr)TiO_3高誘電率膜特性の電極金属依存症
- ソース・ドレーン領域に極薄SiN_x膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性(半導体材料・デバイス)
- C-3-48 チップ内光配線(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 正孔および電子輸送層を有する高効率Siドット発光素子
- C-3-10 Siリング光共振器を用いたバイオセンサ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- レ-ザ-誘起エッチング及びCVD
- 半導体とバイオの融合によるバイオセンサーの開発
- LSIにおける光配線技術
- 光結合集積回路製作技術
- Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究(シリコン関連材料の作製と評価)
- 半導体とバイオの融合によるバイオセンサーの開発
- 光インターコネクションを用いた超高速データ転送メモリLSI
- DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性