(Ba,Sr)TiO_3高誘電率膜特性の電極金属依存症
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
メモリセルの微細化によりDRAMの大規模集積化は実現されてきた。一方で、微細化に伴うキャパシタ面積の減少に対して、ギガビット世代では、容量絶縁膜の誘電率の大きな材料を用いることが必要となる。そこで現在、高誘電率(Ba, Sr)TiO_3膜が有力視されている。また高誘電率材料の場合、リーク電流を抑えて良好なキャパシタを形成するためには電極金属の選択が重要となる。本研究では、仕事関・数の異なる電極金属としてIr、Ru、TiN、Alを用いて、高誘電率BST膜特性の電極金属依存性を評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-31
著者
-
宮崎 誠一
広島大学工学部
-
吉川 公麿
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
-
山田 紘士
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
木寺 俊郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
西山 文隆
広島大学放射線総合実験室
-
藤原 直憲
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
関連論文
- 高空孔率(50%)高強度(9GPa)自己組織化ポーラスシリカ膜を用いた32nmノードLSI向け超低誘電率膜(k=2.1)Cuダマシン多層配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- Effect of High-Resistivity Si Substrate on Antenna Transmission Gain for On-Chip Wireless Interconnects
- A New Plasma-Enhanced Co-Polymerization (PCP) Technology for Reinforcing Mechanical Properties of Organic Silica Low-k/Cu Interconnects on 300 mm Wafers(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 自己集合体化技術を用いた超低誘電率多孔質シリカ膜(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 極薄ゲート酸化膜におけるSoft Breakdownの統計解析
- シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
- SC-8-4 Si量子ドットの自己組織化形成とフローティングゲートMOSメモリへの応用
- シリコン量子ドットの自己組織化形成と発光特性
- FD-TD法によるLSIチップ内光配線の解析
- 光配線を用いたパターン認識システム基本回路の設計と試作
- 低誘電率層間絶縁膜中のリン添加効果によるCuイオンドリフト抑制効果
- 10-6 シリコンナノ結晶材料を用いた光導電膜の検討
- 集積技術の将来を握るチップ間/チップ内通信技術(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
- 集積技術の将来を握るチップ間/チップ内通信技術(コデザイン)(VLSIの設計/検証/テスト及び一般)(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会)
- 集積技術の将来を握るチップ間/チップ内通信技術
- Ultra low-k 膜対応のCMP技術
- A 2.4GHz Differential Wavelet Generator in 0.18μm CMOS for 1.4Gbps UWB Impulse Radio in Wireless Inter/Intra-Chip Data Communication
- CT-1-7 無線インタコネクトと3次元集積(CT-1.Si集積回路配線の解析と設計,エレクトロニクス2)
- Low-k/Cu技術の現状と将来動向(High Speed and Optoelectronic Technology II, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ポーラスシリカの低誘電率絶縁膜への応用
- ハイパーブレイン実現を目指した無線インタコネクションを用いた三次元集積技術(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- Transmission Characteristics of Gaussian Monocycle Pulses for Inter-Chip Wireless Interconnections Using Integrated Antennas
- A CMOS Monocycle Pulse Generation Circuit in a Ultra-Wideband Transmitter for Intra/Inter Chip Wireless Interconnection
- VLSIチップ内・チップ間無線インタコネクト(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- A CMOS Monocycle Pulse Generation Circuit of UWB Transmitter for Intra/Inter Chip Wireless Interconnection
- 配線技術
- BST電気特性の下部電極依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ワイヤレス配線におけるSiおよび低誘電率基板の影響
- ウェハ保管環境の MOS デバイス特性への影響
- (Ba,Sr)TiO_3膜物性の下地Si基板方位依存性
- (Ba,Sr)TiO_3膜キャパシタ特性の電極金属依存性
- Alダマシンプロセスによる多層配線形成
- シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
- リン再分布によるゲート酸化膜の構造緩和
- ギガビットスケールDRAM用TiN/Ti-CVDコンタクト技術
- 高温スパッタを用いたサブクォーターマイクロンのチタンサリサイド形成技術
- 高流動性プラズマ CVD による薄膜形成
- プラズマCVDにおける表面反応制御(最新のプラズマプロセス技術)
- 熱酸化ポーラスシリコンの時間分解フォトルミネッセンス
- 狭バンドギャップa-Si:H/a-Ge:H極薄多層膜の光学的及び電気的特性の評価
- 水素結合は不要 : 局在準位を介した発光再結合の可能性
- p-MOSFETのための原子層成長Si窒化膜/SiO_2スタックゲート絶縁膜の研究
- シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響
- Plasma-enhanced polymerization thin films as a drift barrier for Cu interconnects
- Mechanical Strength of Multilayered Dielectric Structures Measured by Laser-Pulse Generated Surface-Acoustic-Wave Technique
- 集積技術の将来を握るチップ間/チップ内通信技術
- Mechanical Property Determination of Thin Porous Low-k Films by Twin-Transducer Laser Generated Surface Acoustic Waves
- Theoretical Analysis of Elastic Modulus and Dielectric Constant for Low-k Two-Dimensional Periodic Porous Silica Films
- 0.15μm CMOS用CoSi_2サリサイド技術
- Effect of Phosphorus Atom in Self-Assembled Monolayer as a Drift Barrier for Advanced Copper Interconnects
- Si(100)表面の水素終端化に及ぼすBHF処理の影響
- XPSによるサブミクロンCuビアホールのクリーニング方法の解析
- Measurement of Copper Drift in Methylsilsesquiazane-Methylsilsesquioxane Dielectric Films
- Measurement of Copper Drift in Methylsilsesquioxane Dielectric Films
- (Ba,Sr)TiO_3高誘電率膜特性の電極金属依存症
- Theoretical Investigation into Effects of Pore Size and Pore Position Distributions on Dielectric Constant and Elastic Modulus of Two-Dimensional Periodic Porous Silica Films
- Nondestructive characterization of dielectric stack structures by laser-pulse-generated surface acoustic wave analysis
- The structural origin of determining the coefficient of thermal expansion for porous silica low-k films
- Nondestructive characterization of temperature-dependent backbone Si-O-Si structure in porous silica films by in-situ Fourier-transform infrared spectroscopy
- Infrared Complex Dielectric Function Analysis for Chemical Bonding Structure of Porous Silica Low Dielectric Constant Films
- Adsorption in-situ Spectroscopic Ellipsometry Analysis of Disordered Porous Silica Low-k Films
- Comparison of Pore Shape Models for Small Angle X-ray Scattering of a Disordered Porous Silica Low-k Film
- Electrical Characteristics of Porous Zeolite Interlayer Dielectrics
- Microstructure Characterization of Skeletal Silica in Porous Low-k Films by Infrared Spectroscopic Ellipsometry
- Low-k/Cu技術の現状と将来動向(High Speed and Optoelectronic Technology II, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 低誘電率層間絶縁膜中へのCuイオンドリフトによる絶縁破壊
- A Novel Photosensitive Porous Low-$k$ Interlayer Dielectric Film
- ULSI多層配線技術の課題
- 多層配線技術とスケーリング
- ULSIの微細化と多層配線技術への課題
- 9.各種材料の層状成長 : 9.2シリコンウエハの自然酸化
- ポリシランの低温成長
- 7.シリコンチップ間無線インタコネクション技術(インタコネクション技術)
- C-2-99 共焦点画像処理用100GS/sサンプリングシステムの開発(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)