極薄ゲート酸化膜におけるSoft Breakdownの統計解析
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概要
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厚さ1.9-4.8nmのゲートSiO_2膜のtime-to-hard breakdown(t_<BD>)及びtime-to-soft breakdown(t_<SBD>))を統計的に解析した。t_<BD>及びt_<SBD>分布はワイブル分布関数に従う。また、t_<SBD>に対するワイブルスロープβの値は、t_<BD>に対するそれと良く一致し、酸化膜厚減少と共に直線的に減少する。さらに、βの値は、SiO_2/Si界面領域の圧縮性応力で歪んだSi-O-Si結合の結合角減少量Δθと良く相関していることが示された。t_<BD>及びt_<SBD>分布のワイブルスロープの酸化膜厚依存性が、広範囲で全く同様であることから、極薄酸化膜領域のSoft Breakdown(SBD)とHard Breakdown(HBD)は同様な起源の劣化メカニズムで生じることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-31
著者
-
水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
広瀬 全孝
産業技術総合研究所
-
水林 亘
広島大学工学部
-
吉田 友一
広島大学工学部
-
宮崎 誠一
広島大学工学部
-
廣瀬 全孝
広島大学工学部
-
水林 亘
広島大学大学院 先端物物質科学研究科
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