9.各種材料の層状成長 : 9.2シリコンウエハの自然酸化
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概要
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The principal role of silicon-fluorine bonds in the chemical nature of HF-etched Si surfaces has been studied by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy. The fluorine coverage and the native oxide growth thickness have been systematically measured as functions of HF concentration, pure water rinse time, air or N<SUB>2</SUB>+O<SUB>2</SUB> gas exposure time and gas phase H<SUB>2</SUB>O concentration. It is found that the existence of Si-F bonds of about 0.12 monolayers on the surface strongly suppresses the native oxide growth. This is explained by a model in which Si-F bonds chemically stabilize the surface reactive sites such as atomic steps as supported by the result of the layer-by-layer oxidation of Si.
- 日本結晶学会の論文
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