シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
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概要
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自己組織化形成したシリコン量子ドット(QD)をメモリノードとして絶縁膜中に埋め込んだフローティングゲートMOS(metal-oxide-semiconductor)構造を作製し、ドットへの電子注入、電荷保持特性を明らかにすると共に、室温でメモリ動作することを実証した。Si QDフローティングゲートMOSトランジスタのドレイン電流-ゲート電圧特性に、ドットへの電子注入に基づく特徴的なヒステリシスが観測された。またゲート電圧を一定に保持してドットに電子注入した場合, ドレイン電流が時間に対して段階的に減少することを見出し, ドットの帯電状態は準安定状態を経て最終安定状態に達することが分かった。更に, パルスゲート電圧印加時の過渡ドレイン電流特性から、ドットへの電子注入はゲート電圧値に対して多段階的に起こることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-21
著者
-
池田 弥央
広大院先端研
-
広瀬 全孝
産業技術総合研究所
-
香野 淳
福岡大学理学部
-
宮崎 誠一
広島大学工学部
-
廣瀬 全孝
広島大学工学部
-
池田 弥央
広島大学工学部
-
村上 秀樹
広島大学工学部
-
香野 淳
福岡大学理学研究科応用物理学専攻
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