Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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シリコン量子ドット(Si-QDs)とNiSiナノドット(NDs)のハイブリッド積層構造をフローティングゲート(FG)にしたMOSキャパシタにおいて,内部光電効果によるNiSi-NDsからSi-QDsへの電荷移動に着目し,近赤外光照射がハイブリッドFG内の電荷移動・再分布に及ぼす影響を調べた.容量-電圧特性において,光照射下での電子注入に起因するフラットバンド電圧シフトは,暗状態に比べて減少した.これは,NiSi-NDs内で光励起された電子がSi-QDsへ移動することによりハイブリッドFG中で負電荷中心がゲート電極側へシフトした結果として解釈できる.また,NiSi-NDs内で光励起された電子のパルスゲート電圧に対する応答を調べた結果,NiSi-NDsからSi-QDsへ移動する電荷量は,パルスゲート電圧の大きさに比例することが示唆された.
- 2012-06-14
著者
-
牧原 克典
広大院先端研
-
池田 弥央
広大院先端研
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大
-
牧原 克典
名古屋大学大学院工学研究科
-
宮崎 誠一
名古屋大学 大学院工学研究科
-
池田 弥央
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
牧原 克典
名古屋大学 大学院工学研究科
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