SiO_x/TiO_2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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比誘電率の大きく異なるSiO_xとTiO_2を積層したTi電極MIMダイオードをRFスパッタリングにより形成し、X線光電子分光分析(XPS)と電流-電圧(I-V)特性からその化学構造と抵抗変化動作を評価した。XPS分析では、SiO_x/TiO_2界面の化学結合状態とTi電極堆積時に生じるSiO_x層の還元反応を調べ、SiO_x上に厚さ5nm以上のTiO_2層を追加堆積することで還元反応を抑制できることを明らかにした。また、SiO_x/TiO_2積層したMIMダイオードでは、フォーミング動作後にバイポーラ型の抵抗変化動作が生じた。SiO_x膜厚およびSiO_x/TiO_2二重積層がスイッチング特性に与える影響を評価した結果、厚さ5nmと10nmのSiO_x層を厚さ5nmのTiO_2層で挟んだ二重積層構成で、2桁の抵抗比で〜1.3V以下の動作電圧でスイッチング動作を得た。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-11
著者
-
大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
牧原 克典
名古屋大学大学院工学研究科
-
福嶋 太紀
名古屋大学大学院工学研究科
-
宮崎 誠一
名古屋大学 大学院工学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
牧原 克典
名古屋大学 大学院工学研究科
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