Poly-Si/SiGe/Si積層ゲートにおける原子拡散評価(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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poly-SiGeの実用化に向け、poly-SiGeを導入する場合に用いられる、poly-Si/poly-SiGe/poly-Siスタック構造をN_2雰囲気中800-1000℃で熱処理した際に生じる不純物原子およびゲルマニウム原子の拡散現象をラマン散乱分光、X線回折(XRD)、二次電子質量分析(SIMS)を用いて評価し、1000℃、30分の熱処理によって、厚さ100nmのSiキャップ層へGeが均一分布し、熱処理後の結晶性は、As^+ドープの場合の方がBF^+_2ドープの場合よりも良いことがわかった。更に、poly-Si/poly-SiGe/poly-Siスタックゲート構造のMOSキャパシタ作成し、容量-電圧特性および電流-電圧特性を評価した結果、poly-Si/poly-SiGe/poly-Siスタック構造におけるGeの熱拡散を制御してゲート電極を形成することで、I-V特性を劣化させることなく、p^+ゲートのV_<FB>を0.2V低下させることできた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-24
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
東 大介
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
森脇 嘉一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
藤竹 正仁
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
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