SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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プラズマCVDにより成膜したSiO_x膜(1.0<x<1.9)に熱プラズマジェット(TPJ)を照射しミリ秒熱処理を行なった.室温でのフォトルミネッセンス(PL)測定により発光強度の顕著な増大が見られ,x=1.7において最も強い発光を観測した.〜950nmのPL発光により〜5nm程度のSiナノ結晶が形成されたことが示唆される.またp-Si(100)基板上にSiO_2/SiO_x/SiO_2/Si(100)積層構造を真空一貫形成後にTPJ照射し電気特性の評価を行なった.熱処理後に容量-電圧(CV)特性に6.8Vの明瞭なヒステリシスが観測されたことからSiナノ結晶もしくはSiナノ結晶/SiO_2界面が電子もしくは正孔の保持ノードとして機能しており,SiO_2/SiO_x/SiO_2積層構造をTPJ熱処理することで,低耐熱性基板上への不揮発性メモリ実現が期待できることが分かった.
- 2010-02-15
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広大院先端研
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
牧原 克典
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
岡田 竜弥
琉球大学工学部
-
広重 康夫
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
岡田 竜弥
琉球大学 工学部
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
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