Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける多段階電子注入(新型不揮発性メモリ)

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概要

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• Si量子ドットフローティングゲートを有するMOSFETを作製し, ドレイン電流-ゲート電圧(Id-Vg)特性においてSi量子ドットへの多段階的な電子注入を実証した. また, 一定ゲート電圧下でのドレイン電流の時間変化(Id-t)特性において, Si量子ドットへの電子注入は準安定状態を介して階段状に進行することが分かった. この準安定状態においては, 隣接ドット間での電子再分布が起こっていると考えられる. さらに, 光照射によるキャリア密度の増加及びこれに伴うトンネル酸化膜電界の増大により, ドットへの電子注入が促進されることを示した.

• 2005-03-04

著者

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 村上 秀樹

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 東 清一郎

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 池田 弥央

  広大院先端研

• 池田 弥央

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 永井 武志

  広島大学大学院・先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 東 清一郎

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院

• 池田 弥央

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 村上 秀樹

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

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