金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(<IEDM特集>先端CMOSデバイス・プロセス技術)

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概要

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• 新概念である「一般化された電荷中性点」と酸素空孔モデルを組み合わせることにより金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の有効仕事関数を記述する統一理論を構築することに成功した。我々の新しい理論はp-金属や金属シリサイドを含む様々の金属ゲートの仕事関数を説明できると同時に、金属ゲート設計の有効な指針となる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-01-13

著者

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 知京 豊裕

  物材機構

• 大毛利 健治

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• AHMET P.

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 中山 恒義

  北大院工

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 赤坂 泰志

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 中岡 高司

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中村 源治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 太田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• AHMET P.

  Tokyo Institute of Technology

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• Ahmet P.

  物質・材料研究機構

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 中山 隆史

  干葉大理

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究料

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