渡部 平司 | 大阪大学大学院工学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 大阪大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 志村 考功

  大阪大学大学院工学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 渡部 平司

  大阪大学

• 内藤 裕一

  産業技術総合研究所

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• 有村 拓晃

  大阪大学大学院工学研究科

• 北野 尚武

  大阪大学大学院工学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 安武 潔

  大阪大学大学院工学研究科

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• 喜多 祐起

  大阪大学大学院工学研究科

• AHMET P.

  Tokyo Institute of Technology

• 中村 孝

  ローム株式会社

• 中野 佑紀

  ローム株式会社

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 大毛利 健治

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• AHMET P.

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• CHANG K.-S.

  National Institute for Standards and Technology

• 細井 卓治

  大阪大学

• Nara Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• 大参 宏昌

  大阪大学大学院工学研究科

• 垣内 弘章

  大阪大学大学院工学研究科

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 吉本 千秋

  大阪大学大学院工学研究科

• 安武 潔

  大阪大学 大学院工学研究科

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 中島 清美

  物質・材料研究機構

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 岡本 学

  大阪大学大学院工学研究科

• 阿武 潔

  大阪大学大学院工学研究科

• 朽木 克博

  大阪大学大学院工学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• AKASAKA Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• NARA Y.

  Selete

• 佐伯 雅之

  大阪大学大学院工学研究科

• 奥 雄大

  大阪大学大学院工学研究科

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構

• 吉武 道子

  「応用物理」 編集委員会

• Ahmet P.

  物質・材料研究機構

• 吉武 道子

  物質材料研究機構 半導体材料研究センター

• 吉武 道子

  金材技研

• 大嶽 祐輝

  大阪大学大学院工学研究科

• 力石 薫介

  大阪大学大学院工学研究科

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科

• 箕浦 佑也

  大阪大学大学院工学研究科

• 中村 亮太

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 東雲 秀司

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 柏木 勇作

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 保坂 重敏

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 浅原 浩和

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 赤坂 泰志

  Selete

• 奈良 安雄

  Selete

• 小須田 求

  キヤノンアネルバ株式会社

• 小須田 求

  キヤノンアネルバ

• 有村 拓晃

  大阪大学

• 奥 雄大

  大阪大学

• 志村 考功

  大阪大学

• 北野 尚武

  大阪大学

• 山口 述夫

  キヤノンアネルバ

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 小野 倫也

  阪大院工

• 足立 哲也

  物質・材料研究機構

• 中山 恒義

  北大院工

• 吉武 道子

  (独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター

• 宮崎 誠一

  広島大学 工学部

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 吉越 章隆

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 門島 勝

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 杉田 義博

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 中島 清美

  物質材料機構

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 網中 敏夫

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 黒澤 悦男

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松木 武雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 垣内 弘章

  大阪大学 大学院工学研究科

• 大参 宏昌

  大阪大学 大学院工学研究科

• 赤坂 泰志

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 中岡 高司

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中村 源治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 太田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 石川 恵子

  物質・材料研究機構

• 杉田 義博

  半導体先端テクノロジーズ

• 中村 亮太

  ローム株式会社研究開発本部

• 小野 倫也

  大阪大学大学院工学研究科:大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 網中 敏夫

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 垣内 弘章

  大阪大学工学部

• 宮崎 誠一

  広大

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター

• 齊藤 真里奈

  大阪大学工学部

• 齊藤 正一朗

  大阪大学大学院工学研究科

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• SHIRAISHI K.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• NAKAMURA G.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• KADOSHIMA M.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• WATANABE H.

  Graduate School of Engineering, Osaka University

• OHMORI K.

  Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University

• YAMABE K.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• OHJI Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• YAMADA K.

  Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University

• UMEZAWA N.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• OHMORI K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• CHIKYOW T.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• SHIRAISHI K.

  University of Tsukuba

• YAMABE K.

  University of Tsukuba

• WATANABE H.

  Osaka University

• AKASAKA Y.

  Selete

• NAKAJIMA K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• YOSHITAKE M.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• NAKAYAMA T.

  Chiba University

• KAKUSHIMA K.

  Tokyo Institute of Technology

• IWAI H.

  Tokyo Institute of Technology

• YAMADA K.

  Waseda University

• 齊藤 正一朗

  阪大院工

• 吉武 道子

  金属材料技術研究所

• 吉武 道子

  科学技術庁金属材料技術研究所

• 知京 豊裕

  物材機構:comet-nims:科技機構戦略

• 門島 勝

  ルネサステクノロジ

• 中山 隆史

  干葉大理

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院

• Yamabe K.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究料

• Umezawa N.

  Advanced Electronic Materials Center National Institute For Materials Science

• Nakaoka T.

  Chiba University

• Shiraishi K.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• Akasaka Y.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Ahmet Parhat

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻

• 糟谷 篤志

  大阪大学大学院工学研究科

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究所

• 中野 佑紀

  ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

• 箕谷 周平

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 中野 佑紀

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• チャンタパン アタウット

  大阪大学大学院工学研究科

• 田中 亮平

  大阪大学大学院工学研究科

• 秀島 伊織

  大阪大学大学院工学研究科

• 大田 晃生

  広島大学 大学院先端物質科学研究科

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著作論文

• 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
• 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 真空一貫原子制御PVDプロセスによるTiO_2/HfSiO/SiO_2積層構造 High-k 絶縁膜の作製と電気特性評価
• GeO_2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
• Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• 技術解説 高誘電率ゲート絶縁膜開発の現状
• グリーンエネルギーと応用物理
• ゲルマニウム窒化膜の形成と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 低損傷スパッタ成膜装置を用いた真空一貫メタル電極/高誘電率絶縁膜ゲートスタック作製技術の提案
• MOSトランジスタ : ゲート絶縁膜形成技術の進展と今後の展開
• 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
• Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
• 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
• 走査型容量顕微鏡による誘電体/伝導性薄膜観察 (小特集 半導体産業で利用される走査プローブ顕微鏡技術)
• 走査型容量顕微鏡による誘電体/伝導性薄膜観察
• 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO_2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 放射光X線トポグラフィによる極薄ひずみSi層の結晶性評価
• 走査型容量顕微鏡による誘電体／伝導性薄膜観察
• 1-2 High-kゲートスタック技術の進展と最新動向(1.CMOS技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
• 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
• SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• High-k ゲートスタック技術の進展と最新動向
• 熱酸化SiO_2/SiC界面原子構造と界面電気特性の評価

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