阿武 潔 | 大阪大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
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阿武 潔
大阪大学大学院工学研究科
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垣内 弘章
大阪大学大学院工学研究科
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芳井 熊安
大阪大学大学院工学研究科
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吉井 熊安
大阪大学工学部
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芳井 熊安
大阪大学工学部精密工学科
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垣内 弘章
大阪大学 大学院工学研究科
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垣内 弘章
大阪大学工学部
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安武 潔
大阪大学大学院工学研究科
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大参 宏昌
大阪大学 大学院工学研究科
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森 勇藏
大阪大学大学院 工学研究科
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大参 宏昌
大阪大学大学院工学研究科
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森 勇藏
大阪大学大学院工学研究科
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森 勇蔵
大阪大学大学院工学研究科
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竹内 昭博
大阪大学大学院
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森 勇蔵
大阪大学工学部精密工学科
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清水 正男
(株)日本アイ・ビー・エム
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稲垣 耕司
阪大院工
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安武 潔
大阪大学
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稲垣 耕司
阪大院工:jst-crest
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広瀬 喜久治
阪大院工
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中濱 康治
シャープ(株)
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江畑 裕介
シャープ(株)
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安武 潔
阪大院工
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木山 精一
三洋電機(株)
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堂本 洋一
三洋電機(株)
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樽井 久樹
三洋電機(株)
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清水 正男
日本IBM
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木山 精一
(株)三洋電機
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木山 精一
三洋電機株式会社 株式会社ジーティシー
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和田 勝男
株式会社シリコンテクノロジー
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和田 勝男
(株)シリコンテクノロジー
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森 勇蔵
大阪大学 工学部
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森 勇蔵
大阪大 工
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森 勇臓
大阪大学大学院工学研究所
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中村 恒夫
シャープ(株)
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竹内 博明
シャープ(株)
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北條 義之
シャープ(株)
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古川 和彦
シャープ(株)
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山本 達志
シャープ(株)
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松井 優貴
大阪大学大学院
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広瀬 喜久治
大阪大学
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森 勇藏
大阪大学
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森川 良忠
阪大院工
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森川 良忠
産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体
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遠藤 勝義
大阪大学大学院工学研究科
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遠藤 勝義
大阪大学
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志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
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片岡 俊彦
大阪大学大学院
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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森州 良忠
阪大産研
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山本 達志
シャープ(株)精密技術開発センター
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竹内 博明
シャープ株式会社
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北條 義之
シャープ株式会社
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江畑 裕介
シャープ株式会社
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中村 恒夫
シャープ株式会社
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古川 和彦
シャープ株式会社
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清水 正男
大阪大学大学院工学研究科
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文 承啓
日本アイ・ビー・エム(株)
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片岡 俊彦
大阪大 大学院工学研究科
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金井 良太
阪大工
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片岡 俊彦
大阪大学 工学部
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森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 誠
昭和大学藤が丘病院呼吸器外科
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広瀬 喜久治
阪大工
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後藤 英和
大阪大学大学院工学研究科
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広瀬 喜久治
大阪大学大学院工学研究科
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笠井 秀明
阪大院工
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宮川 治
大阪大学
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稲垣 耕司
阪大工
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山村 和也
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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加藤 直子
株式会社アイテス品質技術部
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
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押鐘 寧
大阪大学大学院工学研究科
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笠井 秀明
阪大工
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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中澤 弘一
大阪大学大学院工学研究科
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吉本 千秋
大阪大学大学院工学研究科
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中野 元博
大阪大学大学院工学研究科
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青木 稔
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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垣内 弘章
阪大院工
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大参 宏昌
阪大院工
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芳井 熊安
阪大院工
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中濱 康冶
シャープ(株)
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松本 光弘
三洋電機(株)
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後藤 英和
阪大院工
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細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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三宅 崇之
大阪大学
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谷屋 周平
大阪大学
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西嶋 健一
大阪大学
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松本 光弘
三洋電機
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岡本 学
大阪大学大学院工学研究科
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加藤 直子
アイテス 技術事業部
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清水 正男
日本アイ・ビー・エム(株)
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田中 亮
大阪大学
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村上 健
大阪大学
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安川 貴清
大阪大学大学院
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岩井 敬文
阪大院・工
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大参 宏昌
阪大院・工
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竹内 昭博
阪大院・工
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垣内 弘章
阪大院・工
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安武 潔
阪大院・工
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芳井 熊安
阪大院・工
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森 勇藏
阪大院・工
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角谷 哲司
大阪大学大学院
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浅香 浩
大阪大学
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ネルソン アルボレダ
阪大工
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西川 明
(株)アイテス半導体故障解析
-
加藤 直子
(株)アイテス 技術事業部 品質技術部
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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朽木 克博
大阪大学大学院工学研究科
-
押鐘 寧
大阪大 大学院工学研究科
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金井 良太
阪大院工
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田代 崇
阪大工
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安武 潔
阪大工
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辻井 ます美
(株)アイテス
-
Kasai Haruo
Department Of Electronics Chiba University
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山村 和也
大阪大学大学院
著作論文
- 大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH_4濃度の影響
- 大気圧プラズマCVDによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第2報) : 成膜パラメータの最適化による膜構造の改善
- 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiN_x薄膜の構造と成膜パラメータの相関
- Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性
- 大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術 (特集 プラズマプロセスの応用技術)
- 大気圧・超高周波プラズマを用いた微結晶Siの低温・高速成膜
- フィルムコーテイングのための大気圧・超高周波プラズマ技術 (特集 気相薄膜形成技術)
- 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長
- 大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速・低温形成技術 (特集1 大気圧プラズマの生成,計測と産業応用)
- 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性
- 大気圧プラズマCVD法によるSiN_xの成膜特性
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法による多結晶Siの成膜特性
- 20pYD-12 第一原理分子動力学法による CVD エピタキシャル Si 成長初期過程の研究
- 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報) : エピタキシャルSi成長条件の検討
- 大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH_3/SiH_4比の最適化
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係
- 大気圧プラズマCVD法による太陽電池用アモルファスSiの超高速成膜
- 24aPS-82 水素終端Si(001)2×1表面に過剰吸着したHの拡散(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiN-X膜の成膜に関する研究(SiH4/NH3系成膜)
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究:薄膜太陽電池デバイスの分光感度特性について
- 紫外光半導体レーザ用AIN単結晶薄膜の作製
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 : 太陽電池変換効率のパラメーター依存性について
- 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiNx膜の成膜過程に関する研究
- ナノ構造作製へ向けた単色原子ビームの生成
- 注入同期法による色素レーザの増幅
- Li原子ビームのレーザコリメーション
- 中性原子ビーム速度分光装置の開発
- レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発 : フッ素ラジカルの生成と準安定状態の寿命測定
- 原子光学用レーザーの周波数安定化と光の増幅
- 単色Li原子ビームの生成とナノリソグラフィーへの応用
- レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発
- 中性原子ビームのコリメーションとナノリソグラフィーへの応用
- Si(111)基板上AIN単結晶薄膜のドーピングに関する研究
- 半導体素子特性に対するコンタクトホール内部の残留有機物薄膜の影響
- ゲルマニウム窒化膜の形成と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 技術解説 中性原子ビームの速度分光
- 太陽電池材料の開発動向
- 多結晶Siデバイスにおける粒界と電気的特性
- 材料の表面・界面物性の基礎
- 26pPSB-41 低速Hラジカル照射下におけるSi(001)2×1表面H被覆率の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-25 第一原理分子動力学シミュレーションによる水素終端Si表面上へのSi成膜反応前駆体衝突時の反応解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-1 大気圧プラズマCVDによるSiエピタキシャル成膜過程の解明 : 表面拡散に影響をおよぼす表面温度の解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-46 水素ラジカルによる水素終端化 Si(001)2×1 表面からの水素引き抜き反応の運動エネルギーを保存した第一原理分子動力学シミュレーション
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第3報) : 高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第2報) : 成膜速度の高速化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第1報) : 回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第5報) -高速形成a-Si薄膜の特性-
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第4報) -a-Siの成膜速度の高速化-
- 大気圧プラズマCVDシステムにおけるプロセス雰囲気の清浄化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第1報) : 成膜速度および膜構造の検討
- 半導体素子保護用ポリイミド表面のプラズマ処理
- 超精密加工専門委員会 : 水の化学的機能を利用した新しい生産プロセス(専門委員会・分科会研究レビュー)
- 27pPSA-46 HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-23 HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析 : 飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 大気圧プラズマによる超精密加工と高速成膜(最先端薄膜技術)
- 大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 (特集 大気圧プラズマと注目の応用)