広瀬 喜久治 | 阪大院工

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概要

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• 阪大院工の論文著者

関連著者

• 広瀬 喜久治

  阪大院工

• 小野 倫也

  阪大院工

• 稲垣 耕司

  阪大院工

• 稲垣 耕司

  阪大院工:jst-crest

• 後藤 英和

  阪大院工

• 後藤 英和

  大阪大学

• 後藤 英和

  阪大・工

• 広瀬 喜久治

  阪大工

• 稲垣 耕司

  阪大工

• 稲垣 耕司

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 江上 喜幸

  長大工

• 小野 倫也

  阪大工

• 遠藤 勝義

  阪大院工

• 広瀬 喜久治

  阪大・工・精密

• 小野 倫也

  阪大・工

• 安武 潔

  大阪大学 大学院工学研究科

• 安武 潔

  阪大院工

• 阿武 潔

  大阪大学大学院工学研究科

• 広瀬 喜久治

  大阪大学大学院工学研究科

• 広瀬 喜久治

  阪大・工

• 広瀬 喜久治

  阪大院・工

• 佐々木 孝

  阪大・工

• 後藤 英和

  阪大工

• 森 勇藏

  大阪大学大学院 工学研究科

• 小野 倫也

  大阪大学大学院工学研究科:大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター

• 古山 健介

  阪大院工

• 古城 仁士

  阪大院工

• 稲垣 耕司

  阪大院・工

• 小畠 厳貴

  荏原

• 後藤 英和

  大阪大学大学院工学研究科

• 杉山 和久

  高知高専

• 遠藤 勝義

  阪大工

• 北島 秀樹

  阪大工

• 鈴木 卓

  阪大工

• 江上 喜幸

  阪大院工

• 森 勇蔵

  大阪大学工学部精密工学科

• 杉山 和久

  阪大院

• 遠藤 勝義

  阪大院・工

• 森 勇藏

  大阪大学大学院工学研究科

• 當間 康

  (株)荏原総合研究所

• 小畠 厳貴

  (株)荏原製作所

• 三浦 良雄

  東北大・通研

• 當間 康

  荏原総研

• 當間 康

  荏原総合研究所

• 森川 良忠

  阪大院工

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体

• 中山 博幸

  阪大・工

• 中川 大輔

  阪大院工

• 三浦 良雄

  Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University

• 太田 督

  阪大院工

• 森州 良忠

  阪大産研

• 谷出 敦

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 大塚 順

  阪大工

• 佐々木 晃

  阪大院工

• 谷出 敦

  阪大・工

• 金井 良太

  阪大工

• 堀江 伸哉

  阪大工

• 江上 喜幸

  阪大工

• 小畠 巌貴

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 勇蔵

  大阪大 工

• 森 勇臓

  大阪大学大学院工学研究所

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 江上 喜幸

  長大先端計算セ

• Kasai Haruo

  Department Of Electronics Chiba University

• 後藤 英和

  京工繊大

• 坂本 正雄

  阪大工

• 森田 健一

  大阪大学大学院工学研究科

• 中西 寛

  阪大院工

• 笠井 秀明

  阪大院工

• 稲田 敬

  大阪大学大学院工学研究科

• 遠藤 勝義

  大阪大学大学院工学研究科

• 堤 建一

  日本電子(株)

• 遠藤 勝義

  大阪大学大学院

• 宮本 岩男

  東京理科大学 基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 大参 宏昌

  大阪大学大学院工学研究科

• 垣内 弘章

  大阪大学大学院工学研究科

• 芳井 熊安

  大阪大学大学院工学研究科

• 後藤 英和

  大阪大学 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 稲垣 耕司

  大阪大学 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 広瀬 喜久治

  大阪大学 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 遠藤 勝義

  大阪大学 大学院工学研究科附属超精密科学研究センター

• 森 勇藏

  大阪大学 大学院工学研究科附属超精密科学研究センター

• 谷口 淳

  東京理科大学基礎工学部

• 垣内 弘章

  大阪大学 大学院工学研究科

• 大参 宏昌

  大阪大学 大学院工学研究科

• Dino Wilson

  阪大院工

• 垣内 弘章

  阪大院工

• 大参 宏昌

  阪大院工

• 芳井 熊安

  阪大院工

• 森 勇蔵

  阪大院

• 大谷 めぐみ

  阪大工

• 藤本 義隆

  東工大理

• 垣内 弘章

  大阪大学工学部

• 中川 大輔

  阪大・工

• 小野 倫也

  阪大院・工

• 佐原 翔太

  阪大院工

• 古山 健介

  阪大工

• 佐々木 孝

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 江上 喜幸

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 吉井 熊安

  大阪大学工学部

• 斉藤 正一朗

  阪大工

• 江上 喜幸

  長崎大工

• 北島 秀樹

  阪大・工

• 江上 喜幸

  阪大・工

• 中山 博幸

  大阪大学大学院工学研究科

• 荒木 真

  東京理科大学基礎工学研究科

• 三浦 良雄

  東北大通研

• 谷口 淳

  東京理科大学

• 森 勇藏

  阪大院・工

• DINO Wilson

  Graduate School of Science, Osaka University

• 宮本 岩男

  東京理科大学基礎工学部

• ネルソン アルボレダ

  阪大工

• Arboleda Jr.

  Graduate School Of Engineering Osaka University

• 小畠 巌貴

  阪大院

• 片岡 俊彦

  阪大院工

• 宮本 岩男

  東京理科大学

• 芳井 熊安

  大阪大学工学部精密工学科

• 片岡 俊彦

  大阪大 大学院工学研究科

• 金井 良太

  阪大院工

• 田代 崇

  阪大工

• 坂本 正雄

  阪大・工・精密

• 藤本 義隆

  阪大院

• 吉桑 伸幸

  阪大院

• 坂本 正雄

  新技団

• 別所 勇爾

  阪大院

• 堤 建一

  新技団

• 堀江 伸哉

  大阪大学工学部

• 桂 大詞

  阪大院・工

• 森 勇蔵

  阪大院・工

• 谷口 淳

  東京理大 基礎工

• 中西 寛

  Graduate School of Engineering, Osaka University

• 稲垣 耕司

  Graduate School of Engineering, Osaka University

• 広瀬 喜久治

  Graduate School of Engineering, Osaka University

• 笠井 秀明

  Graduate School of Engineering, Osaka University

• Arboleda Nelson

  阪大院工

• 宮本 岩男

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• Dino Wilson

  Graduate School Of Engineering Osaka University

• 荒木 真

  東京理科大学·基礎工学部

• 江上 喜幸

  北大院工

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著作論文

• 29a-PS-23 シリコンおよび金属表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
• 超純水のみによる電気化学的加工法の銅ダマシン配線形成プロセスへの応用
• 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極Al(001)表面における除去加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
• 原子論的生産技術における電子状態シミュレーション
• 28aYE-3 第一原理計算による二次元BNC構造のスピン依存量子輸送特性の解明(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
• 20pYD-12 第一原理分子動力学法による CVD エピタキシャル Si 成長初期過程の研究
• 25aWB-1 第一原理電子輸送特性計算による酸化シリコン薄膜のリーク電流の予測(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27pPSA-54 第一原理計算による酸化シリコン薄膜のリーク電流の予測(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 24aPS-82 水素終端Si(001)2×1表面に過剰吸着したHの拡散(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aPS-29 第一原理計算による色素増感型太陽電池の新色素設計手法のためのプログラム開発(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 28aPS-21 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションIV(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 29pPSB-34 第一原理に基づくフラーレンダイマーの伝導計算(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-32 実空間差分法に基づく時間依存密度汎関数理論を用いた時間発展計算プログラムの開発と応用(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23aPS-36 実空間差分法によるセルフコンシステント場における電子状態の時間発展計算(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23aPS-33 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションIII(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pPSA-27 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションII(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 25pPSA-38 時間依存密度汎関数理論による励起された電子状態の第一原理計算(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 24aPS-25 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 21aPS-20 経路積分繰り込み群法による長距離反発力をもつ多体電子系の取扱い(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 半無限電極に挟まれたナノジャンクションの第一原理電子状態計算法
• 29pPSB-1 酸化ゲルマニウムの原子構造および電子状態解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-34 一次元Al原子ワイヤーの磁気構造(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-2 第一原理に基づくナノ構造体における電気伝導特性計算手法の開発(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-48 第一原理に基づくフラーレンポリマーの電気伝導特性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-12 C_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像の理論的解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aPS-118 第一原理によるフラーレンポリマーの電子状態計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aPS-19 第一原理電気伝導特性計算を用いたC_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-66 ピーナッツ型フラーレンナノチューブの電子状態計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXH-1 第一原理計算によるAlNナノチューブの分極の計算(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 29pXJ-9 第一原理に基づく半無限結晶電極に挟まれたナノストラクチャーの電子状態計算(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pXJ-11 第一原理計算によるナノワイヤ列の電気伝導特性予測(30pXJ ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• ダイヤモンドからの電界電子放出に関する研究 : 電界電子放出素子作製法の開発及び電界電子放出中のダイヤモンド表面の電子論的解析
• 24pPSA-22 Direct Energy Minimization (DEM)法による少数多体系の基底状態計算(24pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25aWB-2 第一原理に基づく半無限結晶電極に挟まれたナノストラクチャーの電子状態計算手法(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27pPSA-6 第一原理計算に基づくオーダーN電子状態計算手法の開発II(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 20pYE-4 第一原理計算に基づくオーダー N 電子状態計算手法の開発
• 20pYE-5 第一原理計算によるフラーレン鎖の電気特性の解析 II
• 26pPSB-41 低速Hラジカル照射下におけるSi(001)2×1表面H被覆率の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-25 第一原理分子動力学シミュレーションによる水素終端Si表面上へのSi成膜反応前駆体衝突時の反応解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-1 大気圧プラズマCVDによるSiエピタキシャル成膜過程の解明 : 表面拡散に影響をおよぼす表面温度の解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 半無限表面の電子状態の計算とそれに基づく光反射率スペクトルの解析
• 量子力学の第一原理に基づく電子状態の計算 -Si光反射率スペクトルの面方位依存性の解析-
• 27aXD-7 単原子鎖におけるコンダクタンス振動現象の理論的解析(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-134 第一原理電気伝導計算による水素原子が吸着したSi(001)表面のSTM像の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aPS-9 ワニエ関数を用いた誘電率の計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 第一原理計算によるH原子吸着Si(001)表面のSTM像の解析
• 30pWP-2 金属原子鎖の構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ)(領域9)
• 27pPSA-52 第一原理計算によるナノストラクチャーの電気伝導特性の予測(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 第一原理計算によるナノスケール構造体の量子輸送予測 (
• 20pYE-10 第一原理計算によるナトリウムナノワイヤーの電気伝導特性の予測
• 20pYE-2 第一原理計算による金属原子鎖の電気伝導特性解析
• 22pPSA-20 水素終端化Si(001)面と(111)面の反射率差スペクトルの第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYC-11 NH_4F処理したSi(111)表面の光学特性(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-12 表面構造を持つ水素終端化シリコン(001)表面光反射率スペクトルの第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-11 光反射スペクトルを用いたSi結晶表面評価法の開発 : 超清浄測定装置の開発(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pQF-8 PIRG法に基づくクーロン多体系の第一原理計算手法の開発(電子系(密度汎関数法,その他),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 23aPS-32 離散Transcorrelated法による第一原理計算(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pPSA-28 Transcorrelated法における多体相互作用項の取扱い(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 22pWA-3 第一原理シミュレーションによるナノスケール構造の機能予測(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pWA-3 第一原理シミュレーションによるナノスケール構造の機能予測(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 28pYB-2 Molecular Rotation Effects on the Dissociative Adsorption of H_2 on Si(001)(Surface science and photoemission spectroscopy)
• 20pYD-11 Quantum Dynamics of Hydrogen Interaction with Si(001) : A Coupled Channel Approach
• 28aPS-21 非直交基底による電子相関エネルギーの高精度計算手法(28aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21pRA-4 第一原理計算によるナノスケール構造の電気伝導予測
• 27pPSA-46 HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-23 HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析 : 飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pSB-7 グラフェンにおける動的電子輸送プロセスの第一原理研究(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aFF-4 Impulse Respose法による分子ワイヤーにおける動的電子輸送特性予測(21aFF ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 28aJA-12 Impulse Response法による単分子接合における動的電子輸送特性の吸着構造依存性に関する研究(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))

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