28aPS-21 非直交基底による電子相関エネルギーの高精度計算手法(28aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2011-03-03

著者

• 後藤 英和

  大阪大学

• 広瀬 喜久治

  阪大院工

• 後藤 英和

  阪大院工

• 後藤 英和

  阪大・工

• 佐々木 晃

  阪大院工

関連論文

• 29a-PS-23 シリコンおよび金属表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
• 水酸基による金属表面原子の除去加工の第一原理分子動力学シミュレーション
• 水酸基と相互作用するシリコン単結晶(001)水素終端化表面の第1原理分子動力学シミュレーション
• 5a-B-4 Si(001)水素終端化表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
• 超純水のみによる電気化学的加工法の銅ダマシン配線形成プロセスへの応用
• 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極Al(001)表面における除去加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
• 超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用
• 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極表面における加工現象
• 超純水のみによる電気化学加工法のダマシン配線形成プロセスへの応用
• 超純粋超高速せん断流によるシリコンウエハ表面の洗浄:汚染微粒子の除去特性
• 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極Si(001)表面における除去加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
• 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陽極Si(001)表面の反応素過程
• 19pPSB-62 実空間差分法に基づく水分子解離過程の第一原理分子動力学シミュレーション
• 19pPSB-45 超純水のみによる電気化学的加工法 : Al (001)表面の陰極反応素過程の第一原理分子動力学シミュレーション
• 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
• 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 水素終端化されていないSi(001)表面原子とOHとの反応素過程
• 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : Si(001)水素終端化表面原子のOHによる加工現象の反応素過程
• 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : Si(001)水素終端化表面のOH^-イオンによる加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
• 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 触媒反応を利用した超純水中のOH^-イオン密度の増加方法
• 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第2報) : 超純水・高速せん断流によるCu除去メカニズムの研究
• 超純水・高速せん断流によるSi基板洗浄法の研究 : Si基板表面のDOP汚染の洗浄効果
• 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第1報) : Si基板表面のCu汚染の洗浄効果
• 原子論的生産技術における電子状態シミュレーション
• 28aYE-3 第一原理計算による二次元BNC構造のスピン依存量子輸送特性の解明(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
• 20pYD-12 第一原理分子動力学法による CVD エピタキシャル Si 成長初期過程の研究
• STM/STSによるSiウェーハ表面の金属汚染物の極微量元素分析
• 第一原理計算に基づく超精密表面創成プロセスの開発
• 25aWB-1 第一原理電子輸送特性計算による酸化シリコン薄膜のリーク電流の予測(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27pPSA-54 第一原理計算による酸化シリコン薄膜のリーク電流の予測(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第2報) : 超純水・高速せん断流によるCu除去メカニズムの研究
• 懸架導体粒子が介在する極間における液中放電現象 : 小鋼球による浮遊加工くずの模擬化
• 液中放電現象の基礎研究-極間に鋼球を介在させた場合の電界強度分布-
• 24aPS-82 水素終端Si(001)2×1表面に過剰吸着したHの拡散(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aPS-29 第一原理計算による色素増感型太陽電池の新色素設計手法のためのプログラム開発(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 28aPS-21 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションIV(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 29pPSB-34 第一原理に基づくフラーレンダイマーの伝導計算(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-32 実空間差分法に基づく時間依存密度汎関数理論を用いた時間発展計算プログラムの開発と応用(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23aPS-36 実空間差分法によるセルフコンシステント場における電子状態の時間発展計算(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23aPS-33 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションIII(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pPSA-27 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションII(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 25pPSA-38 時間依存密度汎関数理論による励起された電子状態の第一原理計算(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 24aPS-25 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 21aPS-20 経路積分繰り込み群法による長距離反発力をもつ多体電子系の取扱い(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 半無限電極に挟まれたナノジャンクションの第一原理電子状態計算法
• 23aPS-4 第一原理分子動力学シミュレーションによる水分子解離過程の解析
• 第一原理分子動力学シミュレーションコードのチューニング
• 29pPSB-1 酸化ゲルマニウムの原子構造および電子状態解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-34 一次元Al原子ワイヤーの磁気構造(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-2 第一原理に基づくナノ構造体における電気伝導特性計算手法の開発(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-48 第一原理に基づくフラーレンポリマーの電気伝導特性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-12 C_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像の理論的解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aPS-118 第一原理によるフラーレンポリマーの電子状態計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aPS-19 第一原理電気伝導特性計算を用いたC_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-66 ピーナッツ型フラーレンナノチューブの電子状態計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXH-1 第一原理計算によるAlNナノチューブの分極の計算(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 29pXJ-9 第一原理に基づく半無限結晶電極に挟まれたナノストラクチャーの電子状態計算(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pXJ-11 第一原理計算によるナノワイヤ列の電気伝導特性予測(30pXJ ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• ダイヤモンドからの電界電子放出に関する研究 : 電界電子放出素子作製法の開発及び電界電子放出中のダイヤモンド表面の電子論的解析
• 28pPSB-55 第一原理分子動力学法を用いた Nafion- 水クラスター間プロトンリレーのシミュレーション
• 24pPSA-22 Direct Energy Minimization (DEM)法による少数多体系の基底状態計算(24pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25aWB-2 第一原理に基づく半無限結晶電極に挟まれたナノストラクチャーの電子状態計算手法(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27pPSA-6 第一原理計算に基づくオーダーN電子状態計算手法の開発II(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 20pYE-4 第一原理計算に基づくオーダー N 電子状態計算手法の開発
• 20pYE-5 第一原理計算によるフラーレン鎖の電気特性の解析 II
• 26pPSB-41 低速Hラジカル照射下におけるSi(001)2×1表面H被覆率の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-25 第一原理分子動力学シミュレーションによる水素終端Si表面上へのSi成膜反応前駆体衝突時の反応解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-1 大気圧プラズマCVDによるSiエピタキシャル成膜過程の解明 : 表面拡散に影響をおよぼす表面温度の解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• EEMにおける原子除去過程の第一原理分子動力学シミュレーション
• 金属窒化物セラミックスの薄膜成長過程の第一原理シミュレーション
• EEMにおける原子除去過程の第一原理分子動力学シミュレーション
• 半無限表面の電子状態の計算とそれに基づく光反射率スペクトルの解析
• 量子力学の第一原理に基づく電子状態の計算 -Si光反射率スペクトルの面方位依存性の解析-
• 27aXD-7 単原子鎖におけるコンダクタンス振動現象の理論的解析(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-134 第一原理電気伝導計算による水素原子が吸着したSi(001)表面のSTM像の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aPS-9 ワニエ関数を用いた誘電率の計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 第一原理計算によるH原子吸着Si(001)表面のSTM像の解析
• 30pWP-2 金属原子鎖の構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ)(領域9)
• 27pPSA-52 第一原理計算によるナノストラクチャーの電気伝導特性の予測(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 第一原理計算によるナノスケール構造体の量子輸送予測 (
• 20pYE-10 第一原理計算によるナトリウムナノワイヤーの電気伝導特性の予測
• 20pYE-2 第一原理計算による金属原子鎖の電気伝導特性解析
• 22pPSA-20 水素終端化Si(001)面と(111)面の反射率差スペクトルの第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYC-11 NH_4F処理したSi(111)表面の光学特性(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-12 表面構造を持つ水素終端化シリコン(001)表面光反射率スペクトルの第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-11 光反射スペクトルを用いたSi結晶表面評価法の開発 : 超清浄測定装置の開発(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pQF-8 PIRG法に基づくクーロン多体系の第一原理計算手法の開発(電子系(密度汎関数法,その他),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 23aPS-32 離散Transcorrelated法による第一原理計算(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pPSA-28 Transcorrelated法における多体相互作用項の取扱い(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 22pWA-3 第一原理シミュレーションによるナノスケール構造の機能予測(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pWA-3 第一原理シミュレーションによるナノスケール構造の機能予測(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 28pYB-2 Molecular Rotation Effects on the Dissociative Adsorption of H_2 on Si(001)(Surface science and photoemission spectroscopy)
• 20pYD-11 Quantum Dynamics of Hydrogen Interaction with Si(001) : A Coupled Channel Approach
• 28aPS-21 非直交基底による電子相関エネルギーの高精度計算手法(28aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21pRA-4 第一原理計算によるナノスケール構造の電気伝導予測
• 27pPSA-46 HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-23 HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析 : 飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pSB-7 グラフェンにおける動的電子輸送プロセスの第一原理研究(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aFF-4 Impulse Respose法による分子ワイヤーにおける動的電子輸送特性予測(21aFF ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 28aJA-12 Impulse Response法による単分子接合における動的電子輸送特性の吸着構造依存性に関する研究(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-35 Si(001)表面の超純水によるエッチング現象の第一原理計算(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク