超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2001-09-01
著者
-
小畠 厳貴
荏原
-
後藤 英和
大阪大学大学院工学研究科
-
広瀬 喜久治
大阪大学大学院工学研究科
-
當間 康
(株)荏原総合研究所
-
森田 健一
大阪大学大学院工学研究科
-
當間 康
荏原総研
-
森 勇蔵
大阪大学大学院工学研究科
-
小畠 巌貴
(株)荏原製作所
-
當間 康
荏原総合研究所
-
後藤 英和
阪大院工
-
小畠 巌貴
大阪大学大学院工学研究科
関連論文
- 29a-PS-23 シリコンおよび金属表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
- 水酸基と相互作用するシリコン単結晶(001)水素終端化表面の第1原理分子動力学シミュレーション
- 5a-B-4 Si(001)水素終端化表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
- 超純水のみによる電気化学的加工法の銅ダマシン配線形成プロセスへの応用
- 21710 次世代平坦化技術の比較(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 超純水電解加工(超純水のみによる電気化学的加工方法)のCuダマシン平坦化プロセスへの適用開発 (特集:最近の興味深い将来加工技術)
- 超純水電解加工(超純水のみによる電気化学的加工方法)のCuダマシン平坦化プロセスへの適用開発
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極Al(001)表面における除去加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極表面における加工現象
- 超純水のみによる電気化学加工法のダマシン配線形成プロセスへの応用
- 超純粋超高速せん断流によるシリコンウエハ表面の洗浄:汚染微粒子の除去特性
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極Si(001)表面における除去加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陽極Si(001)表面の反応素過程
- 19pPSB-62 実空間差分法に基づく水分子解離過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 19pPSB-45 超純水のみによる電気化学的加工法 : Al (001)表面の陰極反応素過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 水素終端化されていないSi(001)表面原子とOHとの反応素過程
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : Si(001)水素終端化表面原子のOHによる加工現象の反応素過程
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : Si(001)水素終端化表面のOH^-イオンによる加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 触媒反応を利用した超純水中のOH^-イオン密度の増加方法
- プラズマCVMおよびEEMによる放射光用X線ミラーの作製とその応用 : 硬X線顕微鏡の開発
- コヒーレント照射でのX線全反射ミラー
- 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第2報) : 超純水・高速せん断流によるCu除去メカニズムの研究
- 超純水・高速せん断流によるSi基板洗浄法の研究 : Si基板表面のDOP汚染の洗浄効果
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第2報) : 加工表面の原子像観察と構造評価
- 硬X線用斜入射平面ミラーの形状誤差が反射X線強度・位相分布に及ぼす影響の波動光学的評価
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 回転電極とパイプ電極を併用した数値制御加工による水晶ウエハ厚さの均一化
- プラズマCVMによるSOlの数値制御薄膜化:薄膜化した8インチSOlウエハのデバイス特性
- プラズマCVMおよびEEMによるX線平面ミラーの加工と放射光による評価
- 数値制御プラズマCVMおよび数値制御EEMによる硬X線集光用超精密非球面ミラーの加工
- プラズマCVMおよびEEMによるX線光学素子の加工と放射光による評価
- レーザ誘起蛍光分光法による大気圧・高周波CF_4プラズマ中のラジカル密度の空間分布計測
- 超清浄数値制御EEM(Elastic Emission Machining)の開発(第2報) -ノズル噴射流れを利用した加工ヘッドの開発-
- 超清浄数値制御EEM(Elastic Emission Machining)の開発(第1報) -超純水静圧軸受けを用いた数値制御ステージシステムの開発-
- 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第1報) : Si基板表面のCu汚染の洗浄効果
- 超清浄EEM (Elastic Emission Machining)加工システムの開発:加工表面の原子レベルでの評価
- 超清浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究(第2報) : 原子像による加工表面の評価
- 光散乱法を用いたSiウエハ表面のウエット洗浄によるナノパーティクル評価
- Elastic Emission Machiningにおける表面原子除去過程の解析とその機構の電子論的な解釈
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Maching)加工機構の解明:加工物表面構造に対する反応性の依存性
- 21414 電解複合研磨(ECMP)によるCuクリアプロセスの検討(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の原子像観察
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- SMTによる水素終端化Si(001)表面の昇温過程の観察
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- STMによる湿式洗浄Si(110)表面の昇温過程の観察
- STMによる溶液処理水素終端化Si(001)表面の原子構造観察
- STMによる溶液処理水素終端化Si(001)表面の観察
- STMによる水素終端化Si(001)ウェーハ表面の観察
- 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性
- 大気圧以上の高圧力下でのプラズマCDVによるダイヤモンドの高速形成
- 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報) : エピタキシャルSi成長条件の検討
- 大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH_3/SiH_4比の最適化
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係
- STM/STSによるSiウェーハ表面の金属汚染物の極微量元素分析
- STM/STSによるSiウェーハ表面の金属原子の観察
- STM/STSによるSiウェーハ表面の金属汚染物の極微量元素分析
- 傾斜角積分法による形状測定(第2報)-EEMよる修正加工前後の形状測定-
- 傾斜角積分法による形状測定(第1報)-製作した自動測定装置の性能-
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machining)加工特性の加工物材料(Si, Ge)依存性の解析
- EEM(Elastic Emission Machining)による超精密数値制御加工に関する研究(第1報) : nmオーダの形状修正加工システムの開発
- 超洗浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究(第1報) : シリコン表面の平坦化及び評価
- 25aPS-37 実空間差分法による水分子の解離過程の解析
- 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第2報) : 超純水・高速せん断流によるCu除去メカニズムの研究
- 懸架導体粒子が介在する極間における液中放電現象 : 小鋼球による浮遊加工くずの模擬化
- 半無限電極に挟まれたナノジャンクションの第一原理電子状態計算法
- 25pPSB-66 ピーナッツ型フラーレンナノチューブの電子状態計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ダイヤモンドからの電界電子放出に関する研究 : 電界電子放出素子作製法の開発及び電界電子放出中のダイヤモンド表面の電子論的解析
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machinig)加工機構の解明 : Si(001)表面とSiO_2微粒子の結合過程および分離過程の解明
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第2報) : Si薄膜の構造および電気・光学特性
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第1報)
- 超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極表面における加工現象
- STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2X1表面の観察(第3報)
- 21106 電解複合CMPにおける加工レートと電解液充填率との関係(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
- 液体金属の濡れ性に関する分子軌道計算による考察
- 炭素系基盤への金属原子拡散過程の分子軌道論的考察
- 超高真空中での液体金属の濡れ性測定と評価(第2報) : 液体金属の濡れ性と原子拡散の検討
- 固体表面での濡れ性制御に関する研究(第3報) -炭素系基板上の液体金属の濡れ性, 相互拡散性の評価-
- 超高真空中での液体金属の濡れ性測定と評価
- 固体表面での濡れ性制御に関する研究 第2報 -第一原理分子軌道計画(二原子分子モデル)による液体金属の濡れ性評価-
- 極微小収束電子銃の試作
- 第一原理計算によるH原子吸着Si(001)表面のSTM像の解析
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究
- 超精密加工専門委員会 : 水の化学的機能を利用した新しい生産プロセス(専門委員会・分科会研究レビュー)
- 超純水のみによる電気化学的加工法の第一原理分子動力学シミュレーション : 陰極におけるA1(001)表面加工現象
- ナノ構造の電気伝導特性
- 金属・半導体と水酸イオンの電気化学反応及び超純水による加工への応用(第3報)
- 金属・半導体と水酸イオンの電気化学反応及び超純水による加工への応用(第2報)
- STM/STSによるハロゲン原子が吸着したSi(001)2×1表面の観察
- 光反射率スペクトルによるSiウエハ表面評価法の開発 : 装置の開発と加工表面評価
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション(第5報)-Si表面とハロゲン原子の相互作用の解析(その3)-
- STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2x1表面の観察(第4報)
- Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 第一原理分子動力学の新手法の開発
- 第一原理分子動力学法による計算機シュミレーション : シリコン単結晶(001)表面へのアンモニア分子の吸着過程
- 金属・半導体と水酸イオンの電気化学反応及び超純水による加工への応用(第1報)
- 20306 ECMPの研磨圧力依存性シミュレーション(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
- 25pPSB-35 Si(001)表面の超純水によるエッチング現象の第一原理計算(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))