STMによる水素終端化Si(001)ウェーハ表面の観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1998-09-01
著者
-
有馬 健太
阪大院工
-
森 勇蔵
大阪大学大学院工学研究科
-
有馬 健太
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
遠藤 勝義
大阪大学大学院工学研究科
-
遠藤 勝義
大阪大学大学院
-
有馬 健太
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
有馬 健太
大阪大学 大学院工学研究科
-
押鐘 寧
大阪大学大学院工学研究科
-
片岡 俊彦
大阪大学大学院
-
井上 晴行
大阪大学大学院
-
木庭 謙二
大阪大学大学院工学研究科
-
片岡 俊彦
大阪大 大学院工学研究科
-
有馬 健太
大阪大学大学院工学研究科
関連論文
- 22pGQ-6 超平坦化加工した4H-SiC(0001)表面上のグラフェン(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極表面における加工現象
- 超純水のみによる電気化学加工法のダマシン配線形成プロセスへの応用
- 超純粋超高速せん断流によるシリコンウエハ表面の洗浄:汚染微粒子の除去特性
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- プラズマCVMおよびEEMによる放射光用X線ミラーの作製とその応用 : 硬X線顕微鏡の開発
- コヒーレント照射でのX線全反射ミラー
- 触媒基準エッチング法(CAtalyst Referred Ething: CARE)の開発--SiC, GaN基板加工への応用 (特集 グリーンエネルギー時代を支える先進加工技術とその課題)
- 触媒基準エッチング法
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第2報) : 加工表面の原子像観察と構造評価
- 硬X線用斜入射平面ミラーの形状誤差が反射X線強度・位相分布に及ぼす影響の波動光学的評価
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 回転電極とパイプ電極を併用した数値制御加工による水晶ウエハ厚さの均一化
- プラズマCVMによるSOlの数値制御薄膜化:薄膜化した8インチSOlウエハのデバイス特性
- プラズマCVMおよびEEMによるX線平面ミラーの加工と放射光による評価
- 数値制御プラズマCVMおよび数値制御EEMによる硬X線集光用超精密非球面ミラーの加工
- プラズマCVMおよびEEMによるX線光学素子の加工と放射光による評価
- レーザ誘起蛍光分光法による大気圧・高周波CF_4プラズマ中のラジカル密度の空間分布計測
- 超清浄数値制御EEM(Elastic Emission Machining)の開発(第2報) -ノズル噴射流れを利用した加工ヘッドの開発-
- 超清浄数値制御EEM(Elastic Emission Machining)の開発(第1報) -超純水静圧軸受けを用いた数値制御ステージシステムの開発-
- 超清浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究 : 最適加工条件の探索
- 超清浄EEM (Elastic Emission Machining)加工システムの開発:加工表面の原子レベルでの評価
- 超清浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究(第2報) : 原子像による加工表面の評価
- 光散乱法を用いたSiウエハ表面のウエット洗浄によるナノパーティクル評価
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Maching)加工機構の解明:加工物表面構造に対する反応性の依存性
- 原子レベルで平坦な表面の創成技術
- レーザ光散乱法によるSiウエハ表面上の極薄酸化膜段差の計測
- Surface Hall Potentiometry for Characterizing Semiconductor Films (Special Issue: Solid State Devices & Materials)
- Surface Hall Potentiometry to Characterize Functional Semiconductor Films
- ナノ材料・表面の原子構造・機能評価 : STMをベースにした新規計測手法の開発とその応用
- Visible Light Irradiation Effects on STM Observations of Hydrogenated Amorphous Silicon Surfaces
- Atomic Structure of Si(001)-c(4×4) Formed by Heating Processes after Wet Cleaning and Its First-Principles Study
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の原子像観察
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- SMTによる水素終端化Si(001)表面の昇温過程の観察
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- STMによる湿式洗浄Si(110)表面の昇温過程の観察
- STMによる溶液処理水素終端化Si(001)表面の原子構造観察
- STMによる溶液処理水素終端化Si(001)表面の観察
- STMによる水素終端化Si(001)ウェーハ表面の観察
- モノメチルシラン(SiH_3CH_3)を用いた熱CVDによるシリコンカーバイド膜の作製
- 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性
- 大気圧以上の高圧力下でのプラズマCDVによるダイヤモンドの高速形成
- 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報) : エピタキシャルSi成長条件の検討
- 大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH_3/SiH_4比の最適化
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係
- 超平坦化加工を施した4H-SiC(0001)表面 : 高品質グラフェン作製への応用
- STM/STSによるSiウェーハ表面の金属汚染物の極微量元素分析
- STM/STSによる金属吸着Si(001)表面の観察
- STM/STSによるSiウェーハ表面の金属原子の観察
- STM/STSによるSiウェーハ表面の金属汚染物の極微量元素分析
- 傾斜角積分法による形状測定(第2報)-EEMよる修正加工前後の形状測定-
- 傾斜角積分法による形状測定(第1報)-製作した自動測定装置の性能-
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machining)加工特性の加工物材料(Si, Ge)依存性の解析
- EEM(Elastic Emission Machining)による超精密数値制御加工に関する研究(第1報) : nmオーダの形状修正加工システムの開発
- 超洗浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究(第1報) : シリコン表面の平坦化及び評価
- プラズマCVM加工における電極/ワーク間ギャップセンサの開発
- 回転電極型プラズマCVM法におけるシリコンの加工速度向上に関する-検討
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiN-X膜の成膜に関する研究(SiH4/NH3系成膜)
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究:薄膜太陽電池デバイスの分光感度特性について
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 : 太陽電池変換効率のパラメーター依存性について
- 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiNx膜の成膜過程に関する研究
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machinig)加工機構の解明 : Si(001)表面とSiO_2微粒子の結合過程および分離過程の解明
- 大気圧プラズマインピーダンス測定(第2報) : 測定装置内電磁界解析による測定原理の検証
- 大気圧プラズマインピーダンス測定(第1報) -測定原理, 測定結果, およびその測定精度について-
- 大気圧・高周波プラズマの特性-励起周波数, 圧力の違い-
- ナノ構造作製へ向けた単色原子ビームの生成
- レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発 : フッ素ラジカルの生成と準安定状態の寿命測定
- レーザー冷却法による中性原子ビームのコリメーション
- 光散乱法を用いたシリコンウエハ面の洗浄によるナノ構造評価
- 光散乱法による研磨・洗浄後のSiウエハ表面の評価
- 光散乱法によるSiウエハ表面のナノ微細欠陥とナノ構造の計測と評価
- プラズマCVMによる光学面の形状創成 -第1報 : パイプ電極を用いた数値制御プラズマCVM装置の開発-
- エキシマレーザによる基板表面凝集相の光化学反応
- プラズマCVMによる光学部品の超精密加工 : 薄肉光学部品の加工特性
- 先端半球ロッド電極を用いたプラズマCVMによる光学面の加工
- マイクロ電極を用いたプラズマCVMによる複雑形状光学面の創成加工
- プラズマCVM加工面に影響を与える前加工面の加工変質層について
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法の開発 (第5報) : Siウエハ表面に対する洗浄前後の微粒子測定による表面評価
- レーザー光散乱によるSiウェーハ表面上の微粒子計測 -Siウェーハ表面の観察-
- ナノメータオーダの粒径測定機を用いたSiウエハ表面の微粒子および欠陥計測による表面評価
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法 (第7報) -ウルトラクリーンルームでのSiウェーハ面の測定と微粒子測定表面評価-
- 超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極表面における加工現象
- カーボンナノチューブを探針にしたSTM/SREMによるSi表面の観察
- STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2X1表面の観察(第3報)
- Metal-Insulator-Gap-Insulator-Semiconductor Structure for Sensing Devices
- Scanning Surface Hall Potentiometry on Semiconductor Wafers
- Steep On-Off Ratio of Photocurrent through Metal-Oxide-Semiconductor Tunneling Structures
- Characterization of Patterned Oxide Buried in Bonded Silicon-on-Insulator Wafers by Near-Infrared Scattering Topography and Microscopy
- Liquid Sensing by Nano-Gap Device with Treated Surface
- Photodetective Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Tunneling Structure with Aluminum Grid Gate
- Characterization of Void in Bonded SOI Wafers by Controlling Coherence Length of Near-Infrared Microscope
- Development of Nanao-Gap Device for Biosensor
- Photodetector Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Tunneling Structures with Transparent Conductive Tin Oxide Gate
- Nano-Gap Device for Liquid Sensing
- FTIR-ATR Evaluation of Organic Contaminant Cleaning Methods for SiO_2 Surfaces
- 22pRC-9 歪みシリコンの価電子帯分散構造の実験的解明(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))