光散乱法による研磨・洗浄後のSiウエハ表面の評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2001-09-01
著者
-
森 勇蔵
大阪大学大学院工学研究科
-
押鐘 寧
大阪大学大学院工学研究科
-
片岡 俊彦
大阪大学大学院
-
和田 勝男
株式会社シリコンテクノロジー
-
安 弘
大阪電気通信大学工学部
-
井上 晴行
大阪大学大学院
-
中野 元博
大阪大学大学院工学研究科
-
和田 勝男
(株)シリコンテクノロジー
-
里見 慎哉
大阪大学大学院工学研究科
-
押鐘 寧
大阪大 大学院工学研究科
-
片岡 俊彦
大阪大 大学院工学研究科
-
安 弘
大阪電通大
-
安 弘
阪電通
-
里見 慎哉
大阪大学大学院工学研究科:(現)ミノルタ(株)
関連論文
- 超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極表面における加工現象
- 超純水のみによる電気化学加工法のダマシン配線形成プロセスへの応用
- 超純粋超高速せん断流によるシリコンウエハ表面の洗浄:汚染微粒子の除去特性
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- プラズマCVMおよびEEMによる放射光用X線ミラーの作製とその応用 : 硬X線顕微鏡の開発
- コヒーレント照射でのX線全反射ミラー
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第2報) : 加工表面の原子像観察と構造評価
- 硬X線用斜入射平面ミラーの形状誤差が反射X線強度・位相分布に及ぼす影響の波動光学的評価
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 回転電極とパイプ電極を併用した数値制御加工による水晶ウエハ厚さの均一化
- プラズマCVMによるSOlの数値制御薄膜化:薄膜化した8インチSOlウエハのデバイス特性
- プラズマCVMおよびEEMによるX線平面ミラーの加工と放射光による評価
- 数値制御プラズマCVMおよび数値制御EEMによる硬X線集光用超精密非球面ミラーの加工
- プラズマCVMおよびEEMによるX線光学素子の加工と放射光による評価
- レーザ誘起蛍光分光法による大気圧・高周波CF_4プラズマ中のラジカル密度の空間分布計測
- 超清浄数値制御EEM(Elastic Emission Machining)の開発(第2報) -ノズル噴射流れを利用した加工ヘッドの開発-
- 超清浄数値制御EEM(Elastic Emission Machining)の開発(第1報) -超純水静圧軸受けを用いた数値制御ステージシステムの開発-
- 超清浄EEM (Elastic Emission Machining)加工システムの開発:加工表面の原子レベルでの評価
- 超清浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究(第2報) : 原子像による加工表面の評価
- 光散乱法を用いたSiウエハ表面のウエット洗浄によるナノパーティクル評価
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Maching)加工機構の解明:加工物表面構造に対する反応性の依存性
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の原子像観察
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- SMTによる水素終端化Si(001)表面の昇温過程の観察
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- STMによる湿式洗浄Si(110)表面の昇温過程の観察
- STMによる溶液処理水素終端化Si(001)表面の原子構造観察
- STMによる溶液処理水素終端化Si(001)表面の観察
- STMによる水素終端化Si(001)ウェーハ表面の観察
- 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性
- 大気圧以上の高圧力下でのプラズマCDVによるダイヤモンドの高速形成
- 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報) : エピタキシャルSi成長条件の検討
- 大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH_3/SiH_4比の最適化
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係
- STM/STSによるSiウェーハ表面の金属汚染物の極微量元素分析
- STM/STSによるSiウェーハ表面の金属原子の観察
- STM/STSによるSiウェーハ表面の金属汚染物の極微量元素分析
- 傾斜角積分法による形状測定(第2報)-EEMよる修正加工前後の形状測定-
- 傾斜角積分法による形状測定(第1報)-製作した自動測定装置の性能-
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machining)加工特性の加工物材料(Si, Ge)依存性の解析
- EEM(Elastic Emission Machining)による超精密数値制御加工に関する研究(第1報) : nmオーダの形状修正加工システムの開発
- 超洗浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究(第1報) : シリコン表面の平坦化及び評価
- プラズマCVM加工における電極/ワーク間ギャップセンサの開発
- 回転電極型プラズマCVM法におけるシリコンの加工速度向上に関する-検討
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiN-X膜の成膜に関する研究(SiH4/NH3系成膜)
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究:薄膜太陽電池デバイスの分光感度特性について
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 : 太陽電池変換効率のパラメーター依存性について
- 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiNx膜の成膜過程に関する研究
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machinig)加工機構の解明 : Si(001)表面とSiO_2微粒子の結合過程および分離過程の解明
- 大気圧プラズマインピーダンス測定(第2報) : 測定装置内電磁界解析による測定原理の検証
- 大気圧プラズマインピーダンス測定(第1報) -測定原理, 測定結果, およびその測定精度について-
- 大気圧・高周波プラズマの特性-励起周波数, 圧力の違い-
- ナノ構造作製へ向けた単色原子ビームの生成
- レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発 : フッ素ラジカルの生成と準安定状態の寿命測定
- レーザー冷却法による中性原子ビームのコリメーション
- 光散乱法を用いたシリコンウエハ面の洗浄によるナノ構造評価
- 光散乱法による研磨・洗浄後のSiウエハ表面の評価
- 光散乱法によるSiウエハ表面のナノ微細欠陥とナノ構造の計測と評価
- プラズマCVMによる光学面の形状創成 -第1報 : パイプ電極を用いた数値制御プラズマCVM装置の開発-
- エキシマレーザによる基板表面凝集相の光化学反応
- プラズマCVMによる光学部品の超精密加工 : 薄肉光学部品の加工特性
- 先端半球ロッド電極を用いたプラズマCVMによる光学面の加工
- マイクロ電極を用いたプラズマCVMによる複雑形状光学面の創成加工
- プラズマCVM加工面に影響を与える前加工面の加工変質層について
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法の開発 (第5報) : Siウエハ表面に対する洗浄前後の微粒子測定による表面評価
- レーザー光散乱によるSiウェーハ表面上の微粒子計測 -Siウェーハ表面の観察-
- ナノメータオーダの粒径測定機を用いたSiウエハ表面の微粒子および欠陥計測による表面評価
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法 (第7報) -ウルトラクリーンルームでのSiウェーハ面の測定と微粒子測定表面評価-
- 超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極表面における加工現象
- カーボンナノチューブを探針にしたSTM/SREMによるSi表面の観察
- STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2X1表面の観察(第3報)
- EEM (Elastic Emission Machining)用微粒子作製装置の開発
- 赤外半導体レーザー吸収分光法による大気圧・高周波プラズマ中のラジカル計測
- 固体表面での濡れ性制御に関する研究(第3報) -炭素系基板上の液体金属の濡れ性, 相互拡散性の評価-
- 固体表面での濡れ性制御に関する研究 第2報 -第一原理分子軌道計画(二原子分子モデル)による液体金属の濡れ性評価-
- EEM(Elastic Emission Machining)による超精密数値制御加工に関する研究(第3報) : 形状修正加工システムの高精度化
- 光散乱法によるSiウエハ表面上のナノ形状欠陥の計測
- 微粒子測定機を用いたSiウェハ表面におけるナノメータオーダのスクラッチ形状の測定
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法 (第6報) -Siウェーハ面の測定と微粒子付着分布による表面評価-
- プラズマCVMにおける切断加工に関する研究(第5報) : 加工ギャップのその場観察
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における切断加工に関する研究(第4報)-加工ギャップ制御方法-
- EEMにおける原子除去過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工法の第一原理分子動力学シミュレーション : 陰極におけるA1(001)表面加工現象
- 金属・半導体と水酸イオンの電気化学反応及び超純水による加工への応用(第3報)
- 金属・半導体と水酸イオンの電気化学反応及び超純水による加工への応用(第2報)
- 数値制御プラズマCVMによるX線ミラーの加工に関する研究(第2報)
- プラズマCVMによるSOIの数値制御薄膜化 : 加工面のデバイス特性評価
- 数値制御プラズマCVM加工装置の開発(第4報)
- 数値制御プラズマCVM加工装置の開発(第3報)
- Plasma CVM(Chemical Vaporization Machining)におけるポリシング加工に関する研究(第3報) -加工面の平坦度と電極形状ならびに試料保持方法の相関(その2)-
- 光反射率スペクトルによるSiウエハ表面評価法の開発 : 装置の開発と加工表面評価
- プラズマCVMにおける基礎研究 : 単結晶シリコンの加工における加工条件と表面粗さの相関
- プラズマCVMにおける高融点金属材料の加工特性
- プラズマCVMによる高融点金属材料の表面加工 (第3報)
- プラズマCVMによる高融点金属材料の表面加工
- STM探針をプローブとしたオージェ電子分光法の開発
- レーザー光散乱によるSiウェーハ表面上の微粒子計測 -冷却CCDカメラによる標準試料の測定-