大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報) : エピタキシャルSi成長条件の検討
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概要
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ロックマン
- 社団法人精密工学会の論文
- 2003-06-05
著者
-
森 勇蔵
大阪大学大学院工学研究科
-
森 勇藏
大阪大学大学院 工学研究科
-
和田 勝男
株式会社シリコンテクノロジー
-
大参 宏昌
大阪大学大学院工学研究科
-
垣内 弘章
大阪大学大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学大学院工学研究科
-
芳井 熊安
大阪大学大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
-
垣内 弘章
大阪大学 大学院工学研究科
-
大参 宏昌
大阪大学 大学院工学研究科
-
和田 勝男
(株)シリコンテクノロジー
-
垣内 弘章
大阪大学工学部
-
吉井 熊安
大阪大学工学部
-
阿武 潔
大阪大学大学院工学研究科
-
芳井 熊安
大阪大学工学部精密工学科
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