安武 潔 | 大阪大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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安武 潔
大阪大学大学院工学研究科
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安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
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垣内 弘章
大阪大学大学院工学研究科
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芳井 熊安
大阪大学大学院工学研究科
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芳井 熊安
大阪大学工学部精密工学科
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阿武 潔
大阪大学大学院工学研究科
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森 勇藏
大阪大学大学院 工学研究科
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吉井 熊安
大阪大学工学部
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垣内 弘章
大阪大学工学部
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垣内 弘章
大阪大学 大学院工学研究科
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森 勇藏
大阪大学大学院工学研究科
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大参 宏昌
大阪大学大学院工学研究科
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大参 宏昌
大阪大学 大学院工学研究科
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竹内 昭博
大阪大学大学院
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森 勇蔵
大阪大学大学院工学研究科
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森 勇蔵
大阪大学工学部精密工学科
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江畑 裕介
シャープ(株)
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清水 正男
(株)日本アイ・ビー・エム
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中濱 康治
シャープ(株)
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広瀬 喜久治
大阪大学大学院工学研究科
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和田 勝男
株式会社シリコンテクノロジー
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和田 勝男
(株)シリコンテクノロジー
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川辺 秀昭
大阪職業能力開発短期大学校
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森 勇蔵
大阪大 工
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森 勇臓
大阪大学大学院工学研究所
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志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
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中村 恒夫
シャープ(株)
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木山 精一
三洋電機(株)
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堂本 洋一
三洋電機(株)
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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竹内 博明
シャープ(株)
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北條 義之
シャープ(株)
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古川 和彦
シャープ(株)
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樽井 久樹
三洋電機(株)
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松井 優貴
大阪大学大学院
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清水 正男
日本IBM
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川邉 秀昭
大阪職業能力開発短期大学校
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木山 精一
(株)三洋電機
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木山 精一
三洋電機株式会社 株式会社ジーティシー
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吉本 千秋
大阪大学大学院工学研究科
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後藤 英和
阪大院工
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竹内 博明
シャープ株式会社
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北條 義之
シャープ株式会社
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江畑 裕介
シャープ株式会社
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中村 恒夫
シャープ株式会社
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古川 和彦
シャープ株式会社
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 誠
昭和大学藤が丘病院呼吸器外科
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坂本 正雄
阪大工
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後藤 英和
大阪大学大学院工学研究科
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山内 和人
大阪大学大学院工学研究科
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山村 和也
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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堤 建一
日本電子(株)
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遠藤 勝義
大阪大学大学院
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
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押鐘 寧
大阪大学大学院工学研究科
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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中澤 弘一
大阪大学大学院工学研究科
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安武 潔
大阪大学
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中野 元博
大阪大学大学院工学研究科
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青木 稔
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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山本 達志
シャープ(株)
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中濱 康冶
シャープ(株)
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松本 光弘
三洋電機(株)
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細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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松本 光弘
三洋電機
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岡本 学
大阪大学大学院工学研究科
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清水 正男
日本アイ・ビー・エム(株)
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安川 貴清
大阪大学大学院
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角谷 哲司
大阪大学大学院
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奥山 佳正
日本たばこ産業(株)
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山田 裕一
松下電子部品(株)
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萩原 琢也
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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西山 浩司
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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清水 正男
大阪大学大学院工学研究科
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文 承啓
日本アイ・ビー・エム(株)
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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朽木 克博
大阪大学大学院工学研究科
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川辺 秀昭
大阪大学職業能力開発短期大学校
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押鐘 寧
大阪大 大学院工学研究科
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坂本 正雄
阪大・工・精密
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辻井 ます美
(株)アイテス
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森 勇蔵
大阪大学 工学部
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坂本 正雄
新技術事業団
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後藤 英和
京都大学工芸繊維大学工芸学部
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堤 建一
大阪大学大学院
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山村 和也
大阪大学大学院
著作論文
- 大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH_4濃度の影響
- 大気圧プラズマCVDによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第2報) : 成膜パラメータの最適化による膜構造の改善
- 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiN_x薄膜の構造と成膜パラメータの相関
- Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性
- 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長
- 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性
- 大気圧プラズマCVD法によるSiN_xの成膜特性
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法による多結晶Siの成膜特性
- 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報) : エピタキシャルSi成長条件の検討
- 大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH_3/SiH_4比の最適化
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係
- 大気圧プラズマCVD法による太陽電池用アモルファスSiの超高速成膜
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究:薄膜太陽電池デバイスの分光感度特性について
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 : 太陽電池変換効率のパラメーター依存性について
- 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長
- ナノ構造作製へ向けた単色原子ビームの生成
- 注入同期法による色素レーザの増幅
- Li原子ビームのレーザコリメーション
- 中性原子ビーム速度分光装置の開発
- 原子光学用レーザーの周波数安定化と光の増幅
- 単色Li原子ビームの生成とナノリソグラフィーへの応用
- 中性原子ビームのコリメーションとナノリソグラフィーへの応用
- 光電流および光ホール電圧過渡分光法による半絶縁性GaAs単結晶中の欠陥準位評価
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第2報) : Si薄膜の構造および電気・光学特性
- InGaAs/GaAs単一ひずみ量子井戸薄膜の低温成長に関する研究
- TeO_2単結晶表面の熱損傷および光照射損傷に関する研究
- ラジカルソースMBE法によるSi(111)基板上AIN薄膜の成長第2報)-成膜条件の最適化-
- ラジカルソースMBE法を用いたSi(111)基板上AIN薄膜のエピタキシャル成長
- ゲルマニウム窒化膜の形成と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第1報)
- Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第3報) : 高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第2報) : 成膜速度の高速化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第1報) : 回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作
- 大気圧プラズマCVDシステムにおけるプロセス雰囲気の清浄化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第1報) : 成膜速度および膜構造の検討
- 半導体素子保護用ポリイミド表面のプラズマ処理
- 超精密加工専門委員会 : 水の化学的機能を利用した新しい生産プロセス(専門委員会・分科会研究レビュー)
- 次世代を担う原子・電子レベルの先端技術 : 超精密加工専門委員会の目指すところ(超精密加工専門委員会)(専門委員会研究レビュー)
- Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 大気圧プラズマによる超精密加工と高速成膜(最先端薄膜技術)
- 【超精密加工専門委員会】原子制御製造プロセスの創出に向けて