垣内 弘章 | 大阪大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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垣内 弘章
大阪大学大学院工学研究科
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安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
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芳井 熊安
大阪大学大学院工学研究科
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芳井 熊安
大阪大学工学部精密工学科
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安武 潔
大阪大学大学院工学研究科
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垣内 弘章
大阪大学 大学院工学研究科
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垣内 弘章
大阪大学工学部
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阿武 潔
大阪大学大学院工学研究科
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森 勇藏
大阪大学大学院 工学研究科
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吉井 熊安
大阪大学工学部
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大参 宏昌
大阪大学大学院工学研究科
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大参 宏昌
大阪大学 大学院工学研究科
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森 勇藏
大阪大学大学院工学研究科
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森 勇蔵
大阪大学大学院工学研究科
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竹内 昭博
大阪大学大学院
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森 勇蔵
大阪大学工学部精密工学科
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中濱 康治
シャープ(株)
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江畑 裕介
シャープ(株)
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遠藤 勝義
大阪大学大学院工学研究科
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遠藤 勝義
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
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和田 勝男
株式会社シリコンテクノロジー
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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安武 潔
大阪大学
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和田 勝男
(株)シリコンテクノロジー
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川辺 秀昭
大阪職業能力開発短期大学校
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森 勇蔵
大阪大 工
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森 勇臓
大阪大学大学院工学研究所
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広瀬 喜久治
大阪大学大学院工学研究科
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有馬 健太
阪大院工
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有馬 健太
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
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有馬 健太
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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有馬 健太
大阪大学 大学院工学研究科
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中村 恒夫
シャープ(株)
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木山 精一
三洋電機(株)
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堂本 洋一
三洋電機(株)
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押鐘 寧
大阪大学大学院工学研究科
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竹内 博明
シャープ(株)
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北條 義之
シャープ(株)
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古川 和彦
シャープ(株)
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山本 達志
シャープ(株)
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樽井 久樹
三洋電機(株)
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松井 優貴
大阪大学大学院
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清水 正男
日本IBM
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川邉 秀昭
大阪職業能力開発短期大学校
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木山 精一
(株)三洋電機
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木山 精一
三洋電機株式会社 株式会社ジーティシー
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森 勇蔵
大阪大学 工学部
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有馬 健太
大阪大学大学院工学研究科
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遠藤 勝義
阪大院工
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志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
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片岡 俊彦
大阪大学大学院
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吉本 千秋
大阪大学大学院工学研究科
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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池田 学
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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根岸 伸幸
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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山本 達志
シャープ(株)精密技術開発センター
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竹内 博明
シャープ株式会社
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北條 義之
シャープ株式会社
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江畑 裕介
シャープ株式会社
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中村 恒夫
シャープ株式会社
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古川 和彦
シャープ株式会社
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大山 貴裕
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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片岡 俊彦
大阪大 大学院工学研究科
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 誠
昭和大学藤が丘病院呼吸器外科
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坂本 正雄
阪大工
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広瀬 喜久治
阪大院工
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山村 和也
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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稲垣 耕司
阪大院工
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堤 建一
日本電子(株)
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井出 敞
愛媛大学工学部
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中澤 弘一
大阪大学大学院工学研究科
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豊田 洋通
愛媛大学工学部
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八木 秀次
愛媛大工
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中野 元博
大阪大学大学院工学研究科
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後藤 由光
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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青木 稔
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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八木 秀次
愛媛大学工学部
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安武 潔
阪大院工
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垣内 弘章
阪大院工
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大参 宏昌
阪大院工
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芳井 熊安
阪大院工
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中濱 康冶
シャープ(株)
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松本 光弘
三洋電機(株)
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後藤 英和
阪大院工
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八木 秀次
愛媛大
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三宅 崇之
大阪大学
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谷屋 周平
大阪大学
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西嶋 健一
大阪大学
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松本 光弘
三洋電機
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川島 雅人
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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清水 正男
日本アイ・ビー・エム(株)
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安川 貴清
大阪大学大学院
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角谷 哲司
大阪大学大学院
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奥山 佳正
日本たばこ産業(株)
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山田 裕一
松下電子部品(株)
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萩原 琢也
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
西山 浩司
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
川辺 秀昭
大阪大学職業能力開発短期大学校
-
稲垣 耕司
阪大院工:jst-crest
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押鐘 寧
大阪大 大学院工学研究科
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坂本 正雄
阪大・工・精密
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坂本 正雄
新技術事業団
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後藤 英和
京都大学工芸繊維大学工芸学部
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堤 建一
大阪大学大学院
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川島 雅人
阪大院
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山村 和也
大阪大学大学院
著作論文
- 大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH_4濃度の影響
- 大気圧プラズマCVDによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第2報) : 成膜パラメータの最適化による膜構造の改善
- 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiN_x薄膜の構造と成膜パラメータの相関
- Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の原子像観察
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性
- 大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術 (特集 プラズマプロセスの応用技術)
- フィルムコーテイングのための大気圧・超高周波プラズマ技術 (特集 気相薄膜形成技術)
- 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長
- 大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速・低温形成技術 (特集1 大気圧プラズマの生成,計測と産業応用)
- 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性
- 大気圧プラズマCVD法によるSiN_xの成膜特性
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法による多結晶Siの成膜特性
- 大気圧以上の高圧力下でのプラズマCDVによるダイヤモンドの高速形成
- 20pYD-12 第一原理分子動力学法による CVD エピタキシャル Si 成長初期過程の研究
- 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報) : エピタキシャルSi成長条件の検討
- 大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH_3/SiH_4比の最適化
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係
- 大気圧プラズマCVD法による太陽電池用アモルファスSiの超高速成膜
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiN-X膜の成膜に関する研究(SiH4/NH3系成膜)
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究:薄膜太陽電池デバイスの分光感度特性について
- 紫外光半導体レーザ用AIN単結晶薄膜の作製
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 : 太陽電池変換効率のパラメーター依存性について
- 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiNx膜の成膜過程に関する研究
- 大気圧・高周波プラズマの特性-励起周波数, 圧力の違い-
- 大気圧RFプラズマの特性
- ナノ構造作製へ向けた単色原子ビームの生成
- 注入同期法による色素レーザの増幅
- Li原子ビームのレーザコリメーション
- 中性原子ビーム速度分光装置の開発
- 原子光学用レーザーの周波数安定化と光の増幅
- 単色Li原子ビームの生成とナノリソグラフィーへの応用
- 中性原子ビームのコリメーションとナノリソグラフィーへの応用
- 光電流および光ホール電圧過渡分光法による半絶縁性GaAs単結晶中の欠陥準位評価
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第2報) : Si薄膜の構造および電気・光学特性
- InGaAs/GaAs単一ひずみ量子井戸薄膜の低温成長に関する研究
- TeO_2単結晶表面の熱損傷および光照射損傷に関する研究
- ラジカルソースMBE法によるSi(111)基板上AIN薄膜の成長第2報)-成膜条件の最適化-
- ラジカルソースMBE法を用いたSi(111)基板上AIN薄膜のエピタキシャル成長
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第1報)
- Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第3報) : 高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第2報) : 成膜速度の高速化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第1報) : 回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作
- 大気圧プラズマCVDシステムにおけるプロセス雰囲気の清浄化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第1報) : 成膜速度および膜構造の検討
- Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 大気圧プラズマCVD法の開発
- 大気圧プラズマによる超精密加工と高速成膜(最先端薄膜技術)
- 大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 (特集 大気圧プラズマと注目の応用)