フィルムコーテイングのための大気圧・超高周波プラズマ技術 (特集 気相薄膜形成技術)
スポンサーリンク
概要
著者
-
大参 宏昌
大阪大学大学院工学研究科
-
垣内 弘章
大阪大学大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
-
垣内 弘章
大阪大学 大学院工学研究科
-
大参 宏昌
大阪大学 大学院工学研究科
-
垣内 弘章
大阪大学工学部
-
阿武 潔
大阪大学大学院工学研究科
関連論文
- 大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH_4濃度の影響
- 大気圧プラズマCVDによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第2報) : 成膜パラメータの最適化による膜構造の改善
- 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiN_x薄膜の構造と成膜パラメータの相関
- Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の原子像観察
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性
- 大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術 (特集 プラズマプロセスの応用技術)
- 大気圧・超高周波プラズマを用いた微結晶Siの低温・高速成膜
- フィルムコーテイングのための大気圧・超高周波プラズマ技術 (特集 気相薄膜形成技術)
- 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長
- 大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速・低温形成技術 (特集1 大気圧プラズマの生成,計測と産業応用)
- 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性
- 大気圧プラズマCVD法によるSiN_xの成膜特性
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法による多結晶Siの成膜特性
- 大気圧以上の高圧力下でのプラズマCDVによるダイヤモンドの高速形成
- 20pYD-12 第一原理分子動力学法による CVD エピタキシャル Si 成長初期過程の研究
- 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報) : エピタキシャルSi成長条件の検討
- 大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH_3/SiH_4比の最適化
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係
- 大気圧プラズマCVD法による太陽電池用アモルファスSiの超高速成膜
- 24aPS-82 水素終端Si(001)2×1表面に過剰吸着したHの拡散(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- スパッタ法により作製したa-Si/a-SiC超格子薄膜の構造
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiN-X膜の成膜に関する研究(SiH4/NH3系成膜)
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究:薄膜太陽電池デバイスの分光感度特性について
- 紫外光半導体レーザ用AIN単結晶薄膜の作製
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 : 太陽電池変換効率のパラメーター依存性について
- 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiNx膜の成膜過程に関する研究
- 大気圧・高周波プラズマの特性-励起周波数, 圧力の違い-
- 大気圧RFプラズマの特性
- ナノ構造作製へ向けた単色原子ビームの生成
- 注入同期法による色素レーザの増幅
- Li原子ビームのレーザコリメーション
- 中性原子ビーム速度分光装置の開発
- レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発 : フッ素ラジカルの生成と準安定状態の寿命測定
- 原子光学用レーザーの周波数安定化と光の増幅
- 単色Li原子ビームの生成とナノリソグラフィーへの応用
- レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発
- 中性原子ビームのコリメーションとナノリソグラフィーへの応用
- Si(111)基板上AIN単結晶薄膜のドーピングに関する研究
- Si(111)基板上AlN単結晶薄膜のドーピングに関する研究
- レーザー冷却法による中性原子ビームのコリメーション
- 光電流および光ホール電圧過渡分光法による半絶縁性GaAs単結晶中の欠陥準位評価
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第2報) : Si薄膜の構造および電気・光学特性
- InGaAs/GaAs単一ひずみ量子井戸薄膜の低温成長に関する研究
- TeO_2単結晶表面の熱損傷および光照射損傷に関する研究
- ラジカルソースMBE法によるSi(111)基板上AIN薄膜の成長第2報)-成膜条件の最適化-
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Si薄膜の低温成長に関する研究(第4報) -結晶粒の大粒径化に関する検討-
- ラジカルソースMBE法を用いたSi(111)基板上AIN薄膜のエピタキシャル成長
- 関西支部の現況(5.2 支部の活動,5.精密工学の輪,創立75周年記念)
- 半導体素子特性に対するコンタクトホール内部の残留有機物薄膜の影響
- ゲルマニウム窒化膜の形成と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- スパッタ法により作製したa-Si( : H)/a-SiC( : H)超格子薄膜の量子井戸効果
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第1報)
- 技術解説 中性原子ビームの速度分光
- 太陽電池材料の開発動向
- 多結晶Siデバイスにおける粒界と電気的特性
- 材料の表面・界面物性の基礎
- Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 26pPSB-41 低速Hラジカル照射下におけるSi(001)2×1表面H被覆率の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-25 第一原理分子動力学シミュレーションによる水素終端Si表面上へのSi成膜反応前駆体衝突時の反応解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-1 大気圧プラズマCVDによるSiエピタキシャル成膜過程の解明 : 表面拡散に影響をおよぼす表面温度の解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-46 水素ラジカルによる水素終端化 Si(001)2×1 表面からの水素引き抜き反応の運動エネルギーを保存した第一原理分子動力学シミュレーション
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第3報) : 高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第2報) : 成膜速度の高速化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第1報) : 回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第5報) -高速形成a-Si薄膜の特性-
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第4報) -a-Siの成膜速度の高速化-
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第3報) -a-Si : H成膜プロセスにおけるパウダーの影響-
- 大気圧プラズマCVDシステムにおけるプロセス雰囲気の清浄化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第1報) : 成膜速度および膜構造の検討
- 半導体素子保護用ポリイミド表面のプラズマ処理
- 超精密加工専門委員会 : 水の化学的機能を利用した新しい生産プロセス(専門委員会・分科会研究レビュー)
- 回転電極を用いた高圧力プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第1報) -成膜装置の試作とその成膜特性-
- 次世代を担う原子・電子レベルの先端技術 : 超精密加工専門委員会の目指すところ(超精密加工専門委員会)(専門委員会研究レビュー)
- Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 27pPSA-46 HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 大気圧プラズマCVD法の開発
- 23pPSB-23 HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析 : 飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 大気圧プラズマによる超精密加工と高速成膜(最先端薄膜技術)
- 大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 (特集 大気圧プラズマと注目の応用)