20aPS-46 水素ラジカルによる水素終端化 Si(001)2×1 表面からの水素引き抜き反応の運動エネルギーを保存した第一原理分子動力学シミュレーション

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 広瀬 喜久治

  阪大工

• 笠井 秀明

  阪大院工

• 稲垣 耕司

  阪大工

• 稲垣 耕司

  阪大院工

• 笠井 秀明

  阪大工

• 安武 潔

  大阪大学 大学院工学研究科

• ネルソン アルボレダ

  阪大工

• 阿武 潔

  大阪大学大学院工学研究科

• 稲垣 耕司

  阪大院工:jst-crest

• 安武 潔

  阪大工

• Kasai Haruo

  Department Of Electronics Chiba University

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