28aZF-4 Si(001) 表面における水素の動的振舞に関する理論
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-03-06
著者
-
白井 正文
東北大通研
-
三浦 良雄
東北大・通研
-
中西 寛
阪大院工
-
笠井 秀明
阪大院工
-
三浦 良雄
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
-
興地 斐男
和歌山高専
-
三浦 良雄
東北大通研
-
Dino W.
阪大院工
-
Shirai M
Kyoto Univ. Kyoto
-
Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Osaka University
-
Kasai Haruo
Department Of Electronics Chiba University
関連論文
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 21aTH-11 閃亜鉛鉱型 CrAs, CrSb における格子歪みの効果
- 22pWF-4 Sr_La_Ti_Cr_xO_3の電子構造のキャリア濃度(y)依存性(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 24aXB-2 低温走査トンネル顕微鏡を用いたNi(111)の表面電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aWG-3 RECoO_3及びPrMnO_3の電子構造(Co酸化物,熱電材料,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 20pZA-7 TM-Pt合金(TM=Cr,Fe)の価電子帯共鳴光電子分光(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
- 18pTG-5 Si反転層中の2次元正孔ガスの角度分解光電子分光 : 光エネルギー依存性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-6 低温STMを用いたNi(111)表面電子状態の研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pPSA-13 Rh(110)の高分解能角度分解光電子分光(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23aYH-2 Cu(110)(2×1)O表面における量子閉じ込め効果(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYD-1 層状物質TiSe_2の光電子分光II(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 27aPS-103 ハーフメタル強磁性体Co_2MnSiの電子状態における温度依存性(27aPS 領域3ポスターセッション(遍歴磁性体・化合物磁性体・f電子系・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピン偏極強磁性体"閃亜鉛鉱型CrAs"の厚膜化と磁気特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体の物質設計と合成
- 完全スピン偏極強磁性体CrAsの物質設計および合成 : 合金薄膜
- 閃亜鉛鉱型CrAs多層構造の作製と特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体CrAs: 物質設計, 合成, デバイス応用
- 28aTB-7 閃亜鉛鉱型CrAsの光電子分光
- 21aYJ-8 層状ルテニウム酸化物の角度分解光電子スペクトルにおけるキンク構造(Ru系,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aPS-27 磁壁を有する磁性ナノワイヤの電気伝導度に関する第一原理計算(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29pRE-4 角度分解光電子分光を用いたストライプ表面Cu(110)(2×1)Oの表面量子井戸状態の研究(29pRE 光電子分光・逆光電子分光,放射光真空紫外分光,軟X線発光,領域5(光物性))
- 24pQE-13 遷移金属合金FePt_3単結晶の価電子帯光電子分光II(24pQE 軟X線発光・散乱・放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光,領域5(光物性))
- 28pRF-9 遷移金属合金FePt_3単結晶の価電子帯光電子分光(28pRF 光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 23aYC-2 グラファイト表面及びアームチェアエッジと水素の相互作用
- 23aYC-1 グラファイト層内での水素原子・分子の安定状態
- 28pPSB-32 グラファイト端およびグラファイト層内での水素の動的振舞
- 21pYD-5 ホイスラー型合金(Ru_Fe_x)_2CrSiの電子状態(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 31pYH-3 非一様ドーピングによる強磁性半導体の物質設計
- 高スピン偏極率を有するホイスラー合金/MgO界面の理論設計(スピンエレクトロニクス)
- 22aPS-132 ハーフメタル/絶縁体ヘテロ構造における磁気抵抗の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pTA-13 Co_2CrAl/GaAsヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aYH-3 角度分解光電子分光によるNi(111)Shockley表面準位の電子状態の研究(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pQE-9 高分解能光電子分光によるNiフェルミ面の研究(24pQE 軟X線発光・散乱・放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光,領域5(光物性))
- 26pPSA-8 ペロブスカイト型化合物Mn_3GaCの中間磁気相における電子状態計算(II)
- 29p-PSB-14 ペロブスカイト型化合物 Mn_3GaC の中間磁気相における電子状態計算
- 25a-PS-99 ペロブスカイト型化合物Mn_3GaC及び関連物質の磁気秩序間相転移
- 24aPS-6 Pb_Ge_xTe単結晶の温度可変高分解能光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 24aZC-5 完全スピン偏極ホイスラー合金/半導体界面の第一原理計算(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 28aZF-4 Si(001) 表面における水素の動的振舞に関する理論
- 飛来する水素原子による金属表面吸着水素のはぎとり反応
- 18aTF-2 はぎとり反応におけるHot-Atomの量子ダイナミクス : 表面被覆率依存性
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- ホイスラー合金/半導体界面の電子状態計算
- 12aYC-6 閃亜鉛鉱型 CrAs における磁気光学効果の第一原理計算(磁性半導体, 領域 4)
- 28aXR-5 閃亜鉛鉱型MAs(M=V,Cr,Mn)超格子構造の第一原理計算(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- 28aXR-4 遷移金属酸化物ナノシートを用いた二次元ハーフメタルの物質設計(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- ハーフメタル強磁性体のマテリアルデザイン (
- 高スピン偏極ホイスラー合金Co_2(Cr, Fe)Alの電子状態計算
- 21aTH-12 第一原理計算による IV 族半導体 (Ge, Si) ベース希薄磁性半導体の物質設計
- 26a-YM-10 解離吸着・会合脱離過程での水素分子の回転励起 : Cu表面とPd表面との相違
- Theoretical Investigation of Magnetic Structure and Hyperfine Field of NaCl-Type FeN
- 25pTA-5 金属表面近傍における水素原子の振る舞い : 吸着と吸収
- 25aW-12 金属表面上においてホットアトムが関与する素過程のダイナミクス
- 29pRE-5 高分解能角度分解光電子分光によるNi(111)表面電子状態の研究(29pRE 光電子分光・逆光電子分光,放射光真空紫外分光,軟X線発光,領域5(光物性))
- 19pYD-1 Pd(110)の高分解能角度分解光電子分光(光電子分光,領域5(光物性))
- 30pXJ-8 磁性不純物を含むAuナノワイヤーの電気伝導の第一原理計算(30pXJ ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXQ-4 Cu(110)の高分解能角度分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 30aTA-4 金属表面における水素のはぎとり反応 : Eley-Rideal機構とHot-Atom機構
- 25pTA-7 水素分子の金属表面への解離吸着 : 低エネルギー領域での分子回転依存性の異常
- 27pPSA-14 DV-Xα分子軌道計算によるMn-Znフェライトの電子状態と磁性の研究
- 28pYB-2 Molecular Rotation Effects on the Dissociative Adsorption of H_2 on Si(001)(Surface science and photoemission spectroscopy)
- 26pPSA-18 強磁性体/非磁性半導体の電子状態と輸送現象
- 28a-PS-80 強磁性体/非磁性半導体の電子状態と輸送現象
- 28a-YN-13 強磁性体/半導体/強磁性体ヘテロ構造における磁気相互作用
- 20pYD-11 Quantum Dynamics of Hydrogen Interaction with Si(001) : A Coupled Channel Approach
- スピン流の創出のための材料設計
- 17pYH-1 閃亜鉛鉱型遷移金属リン化合物における強磁性の探索
- 17pPSA-42 閃亜鉛鉱型ハーフメタル強磁性体におけるスピン軌道相互作用の効果
- 走査トンネル顕微鏡によるCu(111)上のCO分子操作に関する理論
- 固体表面での水素分子の回転励起を伴う回析現象
- 26aPS-43 遷移金属合金/MgO界面における交換結合の第一原理計算(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29p-PSB-20 MnGa/NiGa超格子の電子状態と磁性
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-38 ホイスラー合金/MgO界面におけるノンコリニア磁気構造と交換結合(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 貴金属フリー高磁気異方性材料L1_0型FeNi規則合金の作製と評価
- 新しい高スピン偏極強磁性材料の理論設計
- 30pWD-2 高スピン偏極磁性体ベースのデバイス・デザイン
- 30pWD-2 高スピン偏極磁性体ベースのデバイス・デザイン
- スピン機能材料の電子状態
- 28aTB-8 III-V族希薄磁性半導体における新強磁性相の第一原理設計II
- 日本磁気学会編, 井上順一郎,伊藤博介著, スピントロニクス-基礎編-, 共立出版, 東京, 2010, xi+278p, 22×16cm, 本体3,600円, (現代講座・磁気工学3), [大学院向], ISBN978-4-320-08589-3
- 27pYS-4 磁性半導体の強磁性発現機構
- 28aPS-51 MB_2C_2(M=La, Ca)の電子構造
- 27pYS-4 磁性半導体の強磁性発現機構
- 23pSB-8 III-V族希薄磁性半導体における新強磁性相の第一原理設計
- 22aK-1 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算 VI
- 24aC-2 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算V
- 29p-ZE-5 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算IV
- 28a-YN-10 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算III
- 30p-YM-5 電子相関効果と1電子バンド描像の限界
- 24aBG-2 FeCo/MgO界面における垂直磁気異方性とその電界変調(24aBG スピントロニクス(薄膜・ナノ粒子・スピン分極),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29aXW-11 MgO/CoFeAl界面垂直磁気異方性の電界効果(29aXW 量子スピンクラスター・薄膜・界面,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aPS-40 X線磁気円二色性によるL1_0型FeNi規則合金薄膜の磁気異方性評価(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般,領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28pDB-1 硬X線光電子分光を用いたホイスラー合金Ni_2MnGaの電子状態観測(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))