26pPSA-18 強磁性体/非磁性半導体の電子状態と輸送現象
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-09-03
著者
-
白井 正文
東北大通研
-
白井 正文
阪大基礎工
-
成田 賢治
阪大基礎工
-
Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Osaka University
-
久堀 菜穂
阪大基礎工
関連論文
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 21aTH-11 閃亜鉛鉱型 CrAs, CrSb における格子歪みの効果
- 27aPS-103 ハーフメタル強磁性体Co_2MnSiの電子状態における温度依存性(27aPS 領域3ポスターセッション(遍歴磁性体・化合物磁性体・f電子系・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピン偏極強磁性体"閃亜鉛鉱型CrAs"の厚膜化と磁気特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体の物質設計と合成
- 完全スピン偏極強磁性体CrAsの物質設計および合成 : 合金薄膜
- 閃亜鉛鉱型CrAs多層構造の作製と特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体CrAs: 物質設計, 合成, デバイス応用
- 28aTB-7 閃亜鉛鉱型CrAsの光電子分光
- 30p-K-11 有機結晶の磁気秩序相に対する第一原理的電子状態計算
- 30p-PSA-22 有機分子結晶の電子状態と磁気相図及び強磁性発現条件
- 13p-PSA-4 磁性有機分子結晶における磁気双極子相互作用と磁気異方性
- 25p-PSA-27 Cu_2Sb 型遷移金属化合物 Cr_2As, Mn_2As, Fe_2Asの電子状態
- 28p-N-1 高圧下における固体ヨウ素の電子格子相互作用、 格子振動と超伝導
- 27p-M-11 三元系銅硫化物Na_3Cu_4S_4, K_2Cu_8S_6などにおける一次元鎖[Cu_4S_4]_∞の電子状態
- 20aPS-27 磁壁を有する磁性ナノワイヤの電気伝導度に関する第一原理計算(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26p-N-8 Cu_2Sb型遷移金属化合物Mn_2Sbの電子状態の圧力効果
- 31pYH-3 非一様ドーピングによる強磁性半導体の物質設計
- 高スピン偏極率を有するホイスラー合金/MgO界面の理論設計(スピンエレクトロニクス)
- 22aPS-132 ハーフメタル/絶縁体ヘテロ構造における磁気抵抗の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pTA-13 Co_2CrAl/GaAsヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pPSA-8 ペロブスカイト型化合物Mn_3GaCの中間磁気相における電子状態計算(II)
- 29p-PSB-14 ペロブスカイト型化合物 Mn_3GaC の中間磁気相における電子状態計算
- 25a-PS-99 ペロブスカイト型化合物Mn_3GaC及び関連物質の磁気秩序間相転移
- 24aZC-5 完全スピン偏極ホイスラー合金/半導体界面の第一原理計算(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 28aZF-4 Si(001) 表面における水素の動的振舞に関する理論
- 1a-KM-3 RbFeBr_3型変形三角格子の磁気相図
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- ホイスラー合金/半導体界面の電子状態計算
- 12aYC-6 閃亜鉛鉱型 CrAs における磁気光学効果の第一原理計算(磁性半導体, 領域 4)
- 28aXR-5 閃亜鉛鉱型MAs(M=V,Cr,Mn)超格子構造の第一原理計算(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- 28aXR-4 遷移金属酸化物ナノシートを用いた二次元ハーフメタルの物質設計(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- ハーフメタル強磁性体のマテリアルデザイン (
- 高スピン偏極ホイスラー合金Co_2(Cr, Fe)Alの電子状態計算
- 21aTH-12 第一原理計算による IV 族半導体 (Ge, Si) ベース希薄磁性半導体の物質設計
- 28p-YF-9 層状物質NbS_2の超伝導における異方性の効果
- 12a-D-3 層状物質NbS_2の超伝導と輸送現象 II.
- 31p-TB-11 2H-NbS_2の電子-格子相互作用と格子運動
- 28a-N-5 スピネル型化合物CuM_2S_4(M=Co, Rh, Ir)の電子状態
- 4p-YD-4 スピネル型化合物の電子状態、電子格子相互作用及び超伝導
- 12p-D-4 スピネル型酸化物超伝導体LiTi_2O_4の電子格子相互作用と超伝導
- Theoretical Investigation of Magnetic Structure and Hyperfine Field of NaCl-Type FeN
- 31p-PSA-62 Cu_3Au型規則合金 MPt_3 (M=V, Cr, Mn, Fe, Co)の磁気相図
- 1a-PS-5 規則合金MPt_3(M=Cr,Mn,Fe,Co)及びFePd_3の電子状態と磁性
- FLAPW法による遷移金属窒化物MNの電子状態
- 30p-PSB-32 NiAs型遷移金属(Fe, Co)カルコゲナイドの磁気的光学的特性
- 27p-PS-38 La系酸化物高温超伝導体の格子振動と電子-格子相互作用
- 27a-APS-34 Cu_2Sb型遷移金属化合物Mn_2Sbの電子帯構造と磁性
- 3a-PS-13 高圧下における固体ヨウ素の電子格子相互作用と超伝導
- 27pPSA-14 DV-Xα分子軌道計算によるMn-Znフェライトの電子状態と磁性の研究
- 26p-N-10 Cu_3Au型Fe-Pt及びFe-Pd規則合金系の電子状態と磁気的光学的性質
- 29p-M-6 三次元混合原子価錯体Cs_2Au_2X_6(X=Cl,Br,I)における電子格子相互作用
- 1a-PS-4 Cu_2Sb型遷移金属化合物Mn_2Sbの電子状態の圧力効果II
- 1a-R-1 立方晶ペロヴスカイト型化合物Mn_3GaCの電子状態と強磁性-反強磁性相転移
- 31p-YH-12 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算II
- 26pPSA-18 強磁性体/非磁性半導体の電子状態と輸送現象
- 28a-PS-80 強磁性体/非磁性半導体の電子状態と輸送現象
- 28a-YN-13 強磁性体/半導体/強磁性体ヘテロ構造における磁気相互作用
- スピン流の創出のための材料設計
- 17pYH-1 閃亜鉛鉱型遷移金属リン化合物における強磁性の探索
- 17pPSA-42 閃亜鉛鉱型ハーフメタル強磁性体におけるスピン軌道相互作用の効果
- 28p-PS-111 La系酸化物高温超伝導体における電子格子相互作用と超伝導
- 26aPS-43 遷移金属合金/MgO界面における交換結合の第一原理計算(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29p-PSB-20 MnGa/NiGa超格子の電子状態と磁性
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-38 ホイスラー合金/MgO界面におけるノンコリニア磁気構造と交換結合(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 貴金属フリー高磁気異方性材料L1_0型FeNi規則合金の作製と評価
- 新しい高スピン偏極強磁性材料の理論設計
- 30pWD-2 高スピン偏極磁性体ベースのデバイス・デザイン
- 30pWD-2 高スピン偏極磁性体ベースのデバイス・デザイン
- スピン機能材料の電子状態
- 28aTB-8 III-V族希薄磁性半導体における新強磁性相の第一原理設計II
- 日本磁気学会編, 井上順一郎,伊藤博介著, スピントロニクス-基礎編-, 共立出版, 東京, 2010, xi+278p, 22×16cm, 本体3,600円, (現代講座・磁気工学3), [大学院向], ISBN978-4-320-08589-3
- 30a-PS-97 NiAs型遷移金属化合物MnSbの電子状態と磁気円二色性
- 27pYS-4 磁性半導体の強磁性発現機構
- 28aPS-51 MB_2C_2(M=La, Ca)の電子構造
- 27pYS-4 磁性半導体の強磁性発現機構
- 23pSB-8 III-V族希薄磁性半導体における新強磁性相の第一原理設計
- 22aK-1 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算 VI
- 24aC-2 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算V
- 29p-ZE-5 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算IV
- 28a-YN-10 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算III
- 30p-YM-5 電子相関効果と1電子バンド描像の限界
- 5p-PSB-19 NiAs型遷移金属化合物の電子状態と磁気光効果
- 24aBG-2 FeCo/MgO界面における垂直磁気異方性とその電界変調(24aBG スピントロニクス(薄膜・ナノ粒子・スピン分極),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29aXW-11 MgO/CoFeAl界面垂直磁気異方性の電界効果(29aXW 量子スピンクラスター・薄膜・界面,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 3a-PS-18 BaPb_Bi_xO_3の電子格子相互作用と格子振動および超伝導(低温(酸化物超伝導体))
- 25aPS-40 X線磁気円二色性によるL1_0型FeNi規則合金薄膜の磁気異方性評価(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般,領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28pDB-1 硬X線光電子分光を用いたホイスラー合金Ni_2MnGaの電子状態観測(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))
- 29p-CA-5 BaPb_Bi_xO_3の電子-格子相互作用と超伝導(低温)
- 1a-PS-34 種々のNiAs型化合物の電子帯構造(1p PS 磁性ポスターセッション(人工格子・強磁場・Laves相・磁気測定))
- 1P-PSA-53 TlCu_2X_2(X=S,Se)の電子状態(1pPSA 磁性(理論,アモルファス,測定手段,遷移金属合金・化合物),磁性)
- 1p-YK-11 トンネル分光による高温超伝導電子対機構の解折(II)(1pYK 低温(高温超伝導・超伝導対称性),低温)
- 1P-PSA-54 FLAPW法による遷移金属窒化物の電子状態の計算(II)(1pPSA 磁性(理論,アモルファス,測定手段,遷移金属合金・化合物),磁性)