Shirai Masafumi | Department Of Material Physics Osaka University
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概要
関連著者
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白井 正文
東北大通研
-
Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Osaka University
-
Shirai M
Kyoto Univ. Kyoto
-
白井 正文
東北大・通研
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三浦 良雄
東北大・通研
-
三浦 良雄
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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三浦 雄一
広大院理
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白井 正文
阪大・基礎工
-
三浦 良雄
東北大通研
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水口 将輝
東北大学
-
白井 正文
阪大基礎工
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辻川 雅人
金沢大自然
-
三浦 良雄
東北大
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水口 将輝
ナノ機能合成プロ産総研
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眞砂 卓史
JRCAT
-
眞砂 卓史
Jrcat:オングストロームテクノロジ研究機構
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小野 寛太
総研大・高エ研
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阿部 和多加
東北大・通研
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長尾 和多加
東北大通研
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Oda T
Kanazawa Univ. Kanazawa Jpn
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小田 竜樹
金沢大理工
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白井 正文
東北大RIEC:東北大CSIS
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白井 正文
東北大CSIS
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小田 竜樹
金沢大自然:金沢大理工
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小田 竜樹
金沢大自然
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秋永 広幸
JRCAT
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秋永 広幸
産総研
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小野 寛太
東京大学大学院工学系研究科
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白井 正文
大阪大学基礎工学研究科
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秋永 広幸
産業技術総合研究所
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秋永 広幸
産総研ナノテク
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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成田 賢治
阪大基礎工
-
斉藤 達也
阪大基礎工
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鈴木 直
大阪大学 基礎工学部
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奥 貴司
阪大・基礎工
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白井 正文
東北大学電気通信研究所
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草部 浩一
阪大基礎工
-
鈴木 直
阪大基礎工
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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水口 将輝
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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小野 寛太
東大工
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水口 将輝
JRCAT
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吉田 博
阪大産研
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白井 正文
大阪大学基礎工学研究科物理系専攻物性分野
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斉藤 達也
阪大・基礎工
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田口 秀樹
阪大院基礎工
-
白井 正文
阪大院基礎工
-
久堀 菜穂
阪大基礎工
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成田 賢治
阪大・基礎工
-
池内 一智
阪大院基礎工
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辻川 雅人
東北大csis
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小林 研介
京大化研
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木村 昭夫
広大理
-
山名 啓太
阪大基礎工
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内田 一郎
阪大基礎工
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尾嶋 正治
東大院工
-
尾嶋 正治
東大工
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島田 賢也
広大放射光セ
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上田 茂典
物材機構
-
小嗣 真人
JASRI SPring-8
-
斉藤 祐児
原子力機構
-
木村 昭夫
広大院理
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SUZUKI Naoshi
Department of Material Physics,Faculty of Engineering Science,Osaka University
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島田 賢也
広大放セ
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生天目 博文
広大放セ
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谷口 雅樹
広大放セ
-
宮本 幸治
広大放セ
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三浦 良雄
東北大電通研
-
白井 正文
東北大電通研
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崔 芸涛
広大放セ
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叶 茂
広大院理
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竹田 幸治
原研 SPring-8
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斉藤 祐児
原研 SPring-8
-
池永 英司
JASRI SPring-8
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上田 茂典
NIMS Spring-8
-
小林 啓介
NIMS Spring-8
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鹿又 武
東北学院大工
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中西 寛
阪大院工
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笠井 秀明
阪大院工
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播磨 尚朝
阪大産研
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高梨 弘毅
東北大学金属材料研究所
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尾嶋 正治
東京大学工学部
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竹田 幸治
原子力機構
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小野 寛太
高エ研
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佐藤 和則
阪大基礎工
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水口 将輝
東北大金研
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秋永 広幸
アトムテクノロジー研究体・産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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水口 将輝
産総研
-
眞砂 卓史
産総研
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尾嶋 正治
東大工
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眞砂 卓史
アトムテクノロジー研究体産業技術総合研究所つくば中央第4事業所
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白井 正文
大阪大学大学院基礎工学系研究科
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岡林 潤
東大理
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小野 寛太
東大院工
-
間野 高明
東大院工
-
間野 高明
東大工
-
水口 将輝
東大工
-
Yeom H.
延世大
-
Yeom H.
Yonsei大
-
Chung Y.
Yonsei大
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小嶋 隆幸
東北大金研
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水口 将輝
東北大学金属材料研究所
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小嗣 真人
高輝度光科学研究センター
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斎藤 祐児
Jaeri
-
小嗣 真人
Jasri
-
Yeom Han
東大理
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池永 英司
Crest・jst
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下司 雅章
阪大ナノサイエンスデザインセンター
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武田 幸治
広大放射光セ
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鈴木 直
大阪大学大学院基礎工学研究科
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崔 芸濤
広大放セ
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崔 芸涛
広大院理
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間野 高明
物質・材料研究機構
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池永 英司
(財)高輝度光科学研究センター
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小野 寛太
高工研
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間野 高明
(独)物質・材料研究機構
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興地 斐男
和歌山高専
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佐藤 和則
ユーリッヒ研
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齋藤 祐児
原研
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SHIRAI Masafumi
Department of Material Physics,Faculty of Engineering Science,Osaka University
-
Yeom H.
Yonsei Univ. Seoul Kor
-
高梨 弘毅
東北大学 金属材料研究所
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Shimizu Hisashi
Department of Cardiology, Kyorin University School of Medicine
-
Takanashi K
Institute For Materials Research Tohoku University
-
鈴木 直
阪大院基礎工
-
荒木 和也
阪大産研
-
Kulatov E.
ロシア科学アカデミー
-
Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
-
徐 迅
阪大院基礎工
-
Yeom W.h
Yonsei Univ. Seoul Kor
-
清家 聖嘉
阪大産研
-
三浦 良雄
東北東大学電気通信研究所
-
阿部 和多加
東北東大学電気通信研究所
-
白井 正文
東北東大学電気通信研究所
-
阿部 和多加
東北大通研
-
Suzuki N
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
-
Suzuki Naoshi
Department Of Material Physics Osaka University
-
Cui Y.t.
Hsrc Hiroshima Univ.
-
Dino W.
阪大院工
-
秋永 広幸
アトムテクノロジー研究体:産業技術総合研究所 & 東大物性研
-
斎藤 祐二
大阪大学基礎工学部
-
小嗣 真人
広島大学放射光科学研究センター
-
下司 雅章
阪大基礎工
-
Suzuki Naoshi
Department Of Material Phsics Faculty Of Engineering Science Osaka University
-
Shimizu Hisashi
Department Of Cardiology Kyorin University School Of Medicine
-
Shimizu H
Osaka Univ. Osaka
-
Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Faculty Of Engineering Science Osaka University
-
Shimizu H
Department Of Electronics And Computer Science Tokyo University Of Science
-
奥 貴司
阪大基礎工
-
鈴木 直
阪大・基礎工
-
久堀 菜穂
阪大・基礎工
-
池内 一智
阪大・基礎工
-
田口 秀樹
阪大・基礎工
-
Shimizu Hiroyasu
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Kobe University:department Of Electrical
-
池永 英司
高輝度光科学研究センター:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
-
Kasai Haruo
Department Of Electronics Chiba University
-
阿部 和多和
東北大・通研
-
池永 英司
Jasri/spring-8
-
小嶋 隆幸
東北大学大学院
-
白井 正文
東北大学
-
高梨 弘毅
東北大学
-
池永 英司
財団法人高照度光科学研究センター
-
池永 英司
JASRI
-
Shimizu Hajime
Department of Electronics and Computer Science, Tokyo University of Science
-
小嗣 真人
(公財)高輝度光科学研究センター(SPring-8/JASRI)
-
白井 正文
大阪大基礎工
-
鹿又 武
東北学院大・工
著作論文
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 21aTH-11 閃亜鉛鉱型 CrAs, CrSb における格子歪みの効果
- 27aPS-103 ハーフメタル強磁性体Co_2MnSiの電子状態における温度依存性(27aPS 領域3ポスターセッション(遍歴磁性体・化合物磁性体・f電子系・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピン偏極強磁性体"閃亜鉛鉱型CrAs"の厚膜化と磁気特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体の物質設計と合成
- 完全スピン偏極強磁性体CrAsの物質設計および合成 : 合金薄膜
- 閃亜鉛鉱型CrAs多層構造の作製と特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体CrAs: 物質設計, 合成, デバイス応用
- 28aTB-7 閃亜鉛鉱型CrAsの光電子分光
- 20aPS-27 磁壁を有する磁性ナノワイヤの電気伝導度に関する第一原理計算(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 31pYH-3 非一様ドーピングによる強磁性半導体の物質設計
- 高スピン偏極率を有するホイスラー合金/MgO界面の理論設計(スピンエレクトロニクス)
- 22aPS-132 ハーフメタル/絶縁体ヘテロ構造における磁気抵抗の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pTA-13 Co_2CrAl/GaAsヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pPSA-8 ペロブスカイト型化合物Mn_3GaCの中間磁気相における電子状態計算(II)
- 29p-PSB-14 ペロブスカイト型化合物 Mn_3GaC の中間磁気相における電子状態計算
- 25a-PS-99 ペロブスカイト型化合物Mn_3GaC及び関連物質の磁気秩序間相転移
- 24aZC-5 完全スピン偏極ホイスラー合金/半導体界面の第一原理計算(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 28aZF-4 Si(001) 表面における水素の動的振舞に関する理論
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- ホイスラー合金/半導体界面の電子状態計算
- 12aYC-6 閃亜鉛鉱型 CrAs における磁気光学効果の第一原理計算(磁性半導体, 領域 4)
- 28aXR-5 閃亜鉛鉱型MAs(M=V,Cr,Mn)超格子構造の第一原理計算(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- 28aXR-4 遷移金属酸化物ナノシートを用いた二次元ハーフメタルの物質設計(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- ハーフメタル強磁性体のマテリアルデザイン (
- 高スピン偏極ホイスラー合金Co_2(Cr, Fe)Alの電子状態計算
- 21aTH-12 第一原理計算による IV 族半導体 (Ge, Si) ベース希薄磁性半導体の物質設計
- Theoretical Investigation of Magnetic Structure and Hyperfine Field of NaCl-Type FeN
- 27pPSA-14 DV-Xα分子軌道計算によるMn-Znフェライトの電子状態と磁性の研究
- 26pPSA-18 強磁性体/非磁性半導体の電子状態と輸送現象
- 28a-PS-80 強磁性体/非磁性半導体の電子状態と輸送現象
- 28a-YN-13 強磁性体/半導体/強磁性体ヘテロ構造における磁気相互作用
- スピン流の創出のための材料設計
- 17pYH-1 閃亜鉛鉱型遷移金属リン化合物における強磁性の探索
- 17pPSA-42 閃亜鉛鉱型ハーフメタル強磁性体におけるスピン軌道相互作用の効果
- 26aPS-43 遷移金属合金/MgO界面における交換結合の第一原理計算(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29p-PSB-20 MnGa/NiGa超格子の電子状態と磁性
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-38 ホイスラー合金/MgO界面におけるノンコリニア磁気構造と交換結合(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 貴金属フリー高磁気異方性材料L1_0型FeNi規則合金の作製と評価
- 新しい高スピン偏極強磁性材料の理論設計
- 30pWD-2 高スピン偏極磁性体ベースのデバイス・デザイン
- 30pWD-2 高スピン偏極磁性体ベースのデバイス・デザイン
- スピン機能材料の電子状態
- 28aTB-8 III-V族希薄磁性半導体における新強磁性相の第一原理設計II
- 日本磁気学会編, 井上順一郎,伊藤博介著, スピントロニクス-基礎編-, 共立出版, 東京, 2010, xi+278p, 22×16cm, 本体3,600円, (現代講座・磁気工学3), [大学院向], ISBN978-4-320-08589-3
- 27pYS-4 磁性半導体の強磁性発現機構
- 28aPS-51 MB_2C_2(M=La, Ca)の電子構造
- 27pYS-4 磁性半導体の強磁性発現機構
- 23pSB-8 III-V族希薄磁性半導体における新強磁性相の第一原理設計
- 22aK-1 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算 VI
- 24aC-2 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算V
- 29p-ZE-5 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算IV
- 28a-YN-10 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算III
- 30p-YM-5 電子相関効果と1電子バンド描像の限界