28aXR-5 閃亜鉛鉱型MAs(M=V,Cr,Mn)超格子構造の第一原理計算(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-03-03
著者
-
白井 正文
東北大通研
-
草部 浩一
阪大基礎工
-
鈴木 直
阪大基礎工
-
下司 雅章
阪大ナノサイエンスデザインセンター
-
白井 正文
東北大・通研
-
下司 雅章
阪大基礎工
-
Shirai M
Kyoto Univ. Kyoto
-
Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Osaka University
-
鈴木 直
大阪大学 基礎工学部
関連論文
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 20pEL-1 エネルギー密度汎関数が与える基底状態相転移の回数に関する帰結(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 21aTH-11 閃亜鉛鉱型 CrAs, CrSb における格子歪みの効果
- 27aPS-103 ハーフメタル強磁性体Co_2MnSiの電子状態における温度依存性(27aPS 領域3ポスターセッション(遍歴磁性体・化合物磁性体・f電子系・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26pRL-10 多配置参照密度汎関数理論に基づく層状超伝導体におけるペアホッピング機構(鉄系超伝導体4(理論),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 半導体表面上の原子サイズ細線における強磁性の可能性
- スピン偏極強磁性体"閃亜鉛鉱型CrAs"の厚膜化と磁気特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体の物質設計と合成
- 完全スピン偏極強磁性体CrAsの物質設計および合成 : 合金薄膜
- 閃亜鉛鉱型CrAs多層構造の作製と特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体CrAs: 物質設計, 合成, デバイス応用
- 28aTB-7 閃亜鉛鉱型CrAsの光電子分光
- 24aTG-4 クラスレート化合物Ba_Ge_とAg_6O_8AgNO_3におけるNMR(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28pYG-3 第一原理計算に基づいた貴金属・遷移金属酸化物薄膜における触媒機能の理論(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aTA-9 高結晶性グラファイトから合成した六方晶ダイヤモンドの物性測定(20aTA グラフェン・グラファイトの形成と評価I,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aPS-27 磁壁を有する磁性ナノワイヤの電気伝導度に関する第一原理計算(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 30pTE-2 欠陥をもつグラファイト・アームチェア端におけるエッジ状態(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30pTE-1 グラファイトのジグザグ端におけるエッジ状態のSTM観察(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYK-3 STM/STSによるグラファイトのジグザグ・アームチェア端の観察とエッジ状態の考察(グラファイト, LB膜,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYG-2 電子励起原子移動によるダイマーフラーレン合成の第一原理的研究(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYE-4 埋め込まれたエッジ状態をもつグラフェン/酸化物界面構造の理論設計(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pWB-11 グラファイトエッジ状態を発生する接合デバイス構造の理論設計(グラファイト・グラフェン(作成・評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 24pRA-8 第一原理メタダイナミクスシミュレーションによるカルシウムIV相・V相の構造決定(グラファイト・グラフェン・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23aXB-12 酸化パラジウム薄膜の触媒機能に関する第一原理シミュレーション(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pTE-13 超高圧縮リンにおける変調構造の起源(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pWN-7 ダイヤモンド・グラファイト・ハイブリッド構造における磁気構造の可能性(グラファイト・クラスター・クラスレート)(領域7)
- 26pQK-10 双曲変形による一次元量子スピン鎖の励起ギヤップ評価(量子スピン系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 23aPS-25 内殻励起炭素クラスター合成の第一原理シミュレーション(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- ナノグラファイトの磁性
- 20aXF-12 高圧下のグラファイトボールの電子状態と伝導の理論解析
- 30pZB-9 ジグザグ端改質法による磁気的ナノグラファイトと高スピン炭化水素の理論予測
- 磁気的ナノグラファイトおよび磁気的ナノチューブの合成可能性
- 22aPS-103 磁化過程プラトー状態のストリング秩序の有限サイズスケーリング(領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子,スピングラス,量子スピン系),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 19aWA-4 フェリ磁性スピン鎖におけるストリング秩序(量子スピン系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 25aXK-1 第一原理計算による微小分子フェリ磁性鎖Mn_6R_6の有効スピン模型の決定(25aXK 量子スピン系(クラスター系および一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pYB-14 トリマー状態を基底状態に持つ(S=1, S=1/2)フェリ磁性スピン鎖(量子スピン系(一次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pYF-3 (S=3/2,S=1)異方的フェリ磁性スピン鎖の量子相転移(量子スピン系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 14aTB-5 (S=3/2, S=1) 異方的一次元フェリ磁性鎖の磁化過程(量子スピン系, 領域 11)
- 29pXR-3 厳密対角化計算を用いたフェリ磁性ナノリングMn_6R_6の磁気特性の評価(量子スピン系(クラスター系及び一般))(領域3)
- 20pTC-10 任意の大きさのスピンからなる量子スピン系の磁化過程
- 22pEH-15 一次元量子スピン鎖の励起ギャップ評価 : 双曲変形を用いたスケーリング解析(22pEH 量子スピン系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27aVL-4 密度汎関数変分法計算によるSr_2CuO_3の電子状態計算(27aVL 銅酸化物など(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pTJ-7 基底状態現象論的繰り込み群の拡張と1次元スピン鎖への応用(27pTJ 量子スピン系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 22pVD-15 S=1反強磁性2本鎖における周期的鎖間相互作用の効果(22pVD 量子スピン系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23pWD-4 ハルデン相を特徴付けるストリング秩序の有限サイズスケーリング(量子スピン系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 31pYH-3 非一様ドーピングによる強磁性半導体の物質設計
- 高スピン偏極率を有するホイスラー合金/MgO界面の理論設計(スピンエレクトロニクス)
- 22aPS-132 ハーフメタル/絶縁体ヘテロ構造における磁気抵抗の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pTA-13 Co_2CrAl/GaAsヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pPSA-8 ペロブスカイト型化合物Mn_3GaCの中間磁気相における電子状態計算(II)
- 29p-PSB-14 ペロブスカイト型化合物 Mn_3GaC の中間磁気相における電子状態計算
- 25a-PS-99 ペロブスカイト型化合物Mn_3GaC及び関連物質の磁気秩序間相転移
- 24aZC-5 完全スピン偏極ホイスラー合金/半導体界面の第一原理計算(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 28aZF-4 Si(001) 表面における水素の動的振舞に関する理論
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- ホイスラー合金/半導体界面の電子状態計算
- 12aYC-6 閃亜鉛鉱型 CrAs における磁気光学効果の第一原理計算(磁性半導体, 領域 4)
- 28aXR-5 閃亜鉛鉱型MAs(M=V,Cr,Mn)超格子構造の第一原理計算(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- 28aXR-4 遷移金属酸化物ナノシートを用いた二次元ハーフメタルの物質設計(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- ハーフメタル強磁性体のマテリアルデザイン (
- 高スピン偏極ホイスラー合金Co_2(Cr, Fe)Alの電子状態計算
- 21aTH-12 第一原理計算による IV 族半導体 (Ge, Si) ベース希薄磁性半導体の物質設計
- Theoretical Investigation of Magnetic Structure and Hyperfine Field of NaCl-Type FeN
- 27pPSA-14 DV-Xα分子軌道計算によるMn-Znフェライトの電子状態と磁性の研究
- 26pPSA-18 強磁性体/非磁性半導体の電子状態と輸送現象
- 28a-PS-80 強磁性体/非磁性半導体の電子状態と輸送現象
- 28a-YN-13 強磁性体/半導体/強磁性体ヘテロ構造における磁気相互作用
- スピン流の創出のための材料設計
- 17pYH-1 閃亜鉛鉱型遷移金属リン化合物における強磁性の探索
- 17pPSA-42 閃亜鉛鉱型ハーフメタル強磁性体におけるスピン軌道相互作用の効果
- 26aPS-43 遷移金属合金/MgO界面における交換結合の第一原理計算(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29p-PSB-20 MnGa/NiGa超格子の電子状態と磁性
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-38 ホイスラー合金/MgO界面におけるノンコリニア磁気構造と交換結合(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 貴金属フリー高磁気異方性材料L1_0型FeNi規則合金の作製と評価
- 新しい高スピン偏極強磁性材料の理論設計
- 30pWD-2 高スピン偏極磁性体ベースのデバイス・デザイン
- 30pWD-2 高スピン偏極磁性体ベースのデバイス・デザイン
- スピン機能材料の電子状態
- 28aTB-8 III-V族希薄磁性半導体における新強磁性相の第一原理設計II
- 日本磁気学会編, 井上順一郎,伊藤博介著, スピントロニクス-基礎編-, 共立出版, 東京, 2010, xi+278p, 22×16cm, 本体3,600円, (現代講座・磁気工学3), [大学院向], ISBN978-4-320-08589-3
- 27pYS-4 磁性半導体の強磁性発現機構
- 28aPS-51 MB_2C_2(M=La, Ca)の電子構造
- 27pYS-4 磁性半導体の強磁性発現機構
- 23pSB-8 III-V族希薄磁性半導体における新強磁性相の第一原理設計
- 22aK-1 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算 VI
- 24aC-2 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算V
- 29p-ZE-5 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算IV
- 28a-YN-10 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算III
- 30p-YM-5 電子相関効果と1電子バンド描像の限界
- 24aBG-2 FeCo/MgO界面における垂直磁気異方性とその電界変調(24aBG スピントロニクス(薄膜・ナノ粒子・スピン分極),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29aXW-11 MgO/CoFeAl界面垂直磁気異方性の電界効果(29aXW 量子スピンクラスター・薄膜・界面,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aPS-40 X線磁気円二色性によるL1_0型FeNi規則合金薄膜の磁気異方性評価(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般,領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28pDB-1 硬X線光電子分光を用いたホイスラー合金Ni_2MnGaの電子状態観測(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))