完全スピン偏極強磁性体CrAs: 物質設計, 合成, デバイス応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2001-09-01
著者
-
白井 正文
東北大通研
-
秋永 広幸
JRCAT
-
尾嶋 正治
東京大学工学部
-
水口 将輝
東北大学
-
水口 将輝
ナノ機能合成プロ産総研
-
水口 将輝
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
秋永 広幸
産総研
-
眞砂 卓史
JRCAT
-
小野 寛太
東京大学大学院工学系研究科
-
白井 正文
大阪大学基礎工学研究科
-
秋永 広幸
産業技術総合研究所
-
眞砂 卓史
Jrcat:オングストロームテクノロジ研究機構
-
小野 寛太
総研大・高エ研
-
秋永 広幸
産総研ナノテク
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
-
白井 正文
大阪大学基礎工学研究科物理系専攻物性分野
-
Shirai M
Kyoto Univ. Kyoto
-
Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Osaka University
-
白井 正文
大阪大基礎工
関連論文
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 21aTH-11 閃亜鉛鉱型 CrAs, CrSb における格子歪みの効果
- 27aPS-103 ハーフメタル強磁性体Co_2MnSiの電子状態における温度依存性(27aPS 領域3ポスターセッション(遍歴磁性体・化合物磁性体・f電子系・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 30p-L-4 MnSb(0001)のスピン・角度分解光電子分光
- スピン偏極強磁性体"閃亜鉛鉱型CrAs"の厚膜化と磁気特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体の物質設計と合成
- 完全スピン偏極強磁性体CrAsの物質設計および合成 : 合金薄膜
- 強磁性半導体(Ga,Cr)Asの成長と磁気特性
- 閃亜鉛鉱型CrAs多層構造の作製と特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体CrAs: 物質設計, 合成, デバイス応用
- MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
- 28aTB-7 閃亜鉛鉱型CrAsの光電子分光
- MnSbグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果
- 半導体表面への磁性ナノ構造の成長と物性
- MnSbグラニュラー薄膜の作製と基礎物性評価
- 26pPSA-54 (111)B GaAs基板上MnSb薄膜の作製とその磁気特性
- 29a-ZH-3 GaAs上に成長したMnAsドットの光電子分光
- 5p-F-11 MnTe:Sb系薄膜の作製と磁気光学効果
- 20aPS-27 磁壁を有する磁性ナノワイヤの電気伝導度に関する第一原理計算(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27p-W-2 遍歴強磁性体MnAsおよびMnSbのスピン偏極光電子分光
- 18pWA-6 GaAs基板上に成長したCo/Al_2O_3/Feのスピンバルブ特性
- MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
- 26p-YJ-16 Mn_2Sb_As_x磁性薄膜における磁気抵抗の温度依存性
- 8p-YG-8 分子線エピタキシー法によるMn_2(Sb, As)薄膜の作製とその特性評価
- 30p-W-14 分子線エピタキシー法によるMn_2Sb薄膜の作製とその特性評価
- GaAs基板上Mn-Sb薄膜の作製とその成長様式の基板表面構造依存性
- MnSb薄膜の作製及びその磁気光学効果の基板依存性
- 29a-PS-57 MnSb薄膜の作製とその磁気光学効果
- 28a-YQ-11 Surface Structure of the first few Monolayers of Fe deposited at Room Temperature on GaAs (100) Substrates
- 31pYH-3 非一様ドーピングによる強磁性半導体の物質設計
- 高スピン偏極率を有するホイスラー合金/MgO界面の理論設計(スピンエレクトロニクス)
- 22aPS-132 ハーフメタル/絶縁体ヘテロ構造における磁気抵抗の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pTA-13 Co_2CrAl/GaAsヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pYG-10 Zn_Mn_xSeのMn発光
- 26pPSA-8 ペロブスカイト型化合物Mn_3GaCの中間磁気相における電子状態計算(II)
- 29p-PSB-14 ペロブスカイト型化合物 Mn_3GaC の中間磁気相における電子状態計算
- 25a-PS-99 ペロブスカイト型化合物Mn_3GaC及び関連物質の磁気秩序間相転移
- MnTeSbにおけるMn発光の温度依存性
- 24aZC-5 完全スピン偏極ホイスラー合金/半導体界面の第一原理計算(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 28aZF-4 Si(001) 表面における水素の動的振舞に関する理論
- Au(111)再配列面上へのCoドット配列の作製と磁性
- Au(111)面上に成長したCo微細構造と磁気光学効果
- 29a-PS-50 Au(111)面上のCoの初期成長過程と磁気光学効果
- 2p-X-4 エピタキシャルMn_2(Sb,As)薄膜の磁気抵抗効果
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aK-7 (Ga,Mn)AsにおけるMCDスペクトルのキャリア密度依存性II
- 24aC-5 (Ga, Mn)Asにおける円二色性スペクトルのキャリア濃度依存性
- 28p-YN-8 (GaMn)Asの発光特性に関する膜厚依存性
- 27aPS-17 強磁性体/Al_2O_3/GaAs-MIS接合のスピン依存伝導 II
- 23pYB-6 強磁性体/Al_2O_3/GaAs-MIS接合のスピン依存伝導
- 23aE-2 GaAs表面・界面におけるスピン緩和
- 27a-YJ-8 MnAs:GaAsグラニュラー薄膜における負の磁気抵抗効果
- 8a-E-10 (Ga, Mn)Asの発光特性
- 8a-E-6 CdMnTeにおけるフェムト秒光パルス励起フェラデー回転の観測
- CaAs基板上MnSb超薄膜の磁気光学効果
- ホイスラー合金/半導体界面の電子状態計算
- 12aYC-6 閃亜鉛鉱型 CrAs における磁気光学効果の第一原理計算(磁性半導体, 領域 4)
- 28aXR-5 閃亜鉛鉱型MAs(M=V,Cr,Mn)超格子構造の第一原理計算(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- 28aXR-4 遷移金属酸化物ナノシートを用いた二次元ハーフメタルの物質設計(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- ハーフメタル強磁性体のマテリアルデザイン (
- 高スピン偏極ホイスラー合金Co_2(Cr, Fe)Alの電子状態計算
- 21aTH-12 第一原理計算による IV 族半導体 (Ge, Si) ベース希薄磁性半導体の物質設計
- Theoretical Investigation of Magnetic Structure and Hyperfine Field of NaCl-Type FeN
- 27pPSA-14 DV-Xα分子軌道計算によるMn-Znフェライトの電子状態と磁性の研究
- 26pPSA-18 強磁性体/非磁性半導体の電子状態と輸送現象
- 28a-PS-80 強磁性体/非磁性半導体の電子状態と輸送現象
- 28a-YN-13 強磁性体/半導体/強磁性体ヘテロ構造における磁気相互作用
- スピン流の創出のための材料設計
- 17pYH-1 閃亜鉛鉱型遷移金属リン化合物における強磁性の探索
- 17pPSA-42 閃亜鉛鉱型ハーフメタル強磁性体におけるスピン軌道相互作用の効果
- 26aPS-43 遷移金属合金/MgO界面における交換結合の第一原理計算(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29p-PSB-20 MnGa/NiGa超格子の電子状態と磁性
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-38 ホイスラー合金/MgO界面におけるノンコリニア磁気構造と交換結合(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 貴金属フリー高磁気異方性材料L1_0型FeNi規則合金の作製と評価
- 新しい高スピン偏極強磁性材料の理論設計
- 30pWD-2 高スピン偏極磁性体ベースのデバイス・デザイン
- 30pWD-2 高スピン偏極磁性体ベースのデバイス・デザイン
- スピン機能材料の電子状態
- 28aTB-8 III-V族希薄磁性半導体における新強磁性相の第一原理設計II
- 日本磁気学会編, 井上順一郎,伊藤博介著, スピントロニクス-基礎編-, 共立出版, 東京, 2010, xi+278p, 22×16cm, 本体3,600円, (現代講座・磁気工学3), [大学院向], ISBN978-4-320-08589-3
- 27pYS-4 磁性半導体の強磁性発現機構
- 28aPS-51 MB_2C_2(M=La, Ca)の電子構造
- 27pYS-4 磁性半導体の強磁性発現機構
- 23pSB-8 III-V族希薄磁性半導体における新強磁性相の第一原理設計
- 22aK-1 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算 VI
- 24aC-2 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算V
- 29p-ZE-5 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算IV
- 28a-YN-10 III-V族希薄磁性半導体の電子状態の第一原理計算III
- 30p-YM-5 電子相関効果と1電子バンド描像の限界
- 24aBG-2 FeCo/MgO界面における垂直磁気異方性とその電界変調(24aBG スピントロニクス(薄膜・ナノ粒子・スピン分極),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29aXW-11 MgO/CoFeAl界面垂直磁気異方性の電界効果(29aXW 量子スピンクラスター・薄膜・界面,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aPS-40 X線磁気円二色性によるL1_0型FeNi規則合金薄膜の磁気異方性評価(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般,領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28pDB-1 硬X線光電子分光を用いたホイスラー合金Ni_2MnGaの電子状態観測(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))