21aTH-12 第一原理計算による IV 族半導体 (Ge, Si) ベース希薄磁性半導体の物質設計
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-08-15
著者
-
白井 正文
東北大通研
-
三浦 良雄
東北大・通研
-
吉田 博
阪大産研
-
三浦 良雄
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
-
白井 正文
東北大・通研
-
三浦 良雄
東北大通研
-
長尾 和多加
東北大通研
-
Shirai M
Kyoto Univ. Kyoto
-
Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Osaka University
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