Shirai M | Kyoto Univ. Kyoto
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概要
関連著者
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Shirai M
Kyoto Univ. Kyoto
-
白井 正文
東北大通研
-
Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Osaka University
-
白井 正文
東北大・通研
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三浦 良雄
東北大・通研
-
三浦 良雄
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
-
三浦 雄一
広大院理
-
三浦 良雄
東北大通研
-
水口 将輝
東北大学
-
白井 正文
東北大CSIS
-
辻川 雅人
金沢大自然
-
三浦 良雄
東北大
-
水口 将輝
ナノ機能合成プロ産総研
-
阿部 和多加
東北大・通研
-
長尾 和多加
東北大通研
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Oda T
Kanazawa Univ. Kanazawa Jpn
-
小田 竜樹
金沢大理工
-
白井 正文
東北大RIEC:東北大CSIS
-
小田 竜樹
金沢大自然:金沢大理工
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眞砂 卓史
JRCAT
-
眞砂 卓史
Jrcat:オングストロームテクノロジ研究機構
-
小野 寛太
総研大・高エ研
-
小田 竜樹
金沢大自然
-
秋永 広幸
産総研
-
秋永 広幸
JRCAT
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水口 将輝
東北大金研
-
小野 寛太
東京大学大学院工学系研究科
-
白井 正文
大阪大学基礎工学研究科
-
小嶋 隆幸
東北大金研
-
秋永 広幸
産業技術総合研究所
-
秋永 広幸
産総研ナノテク
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
-
Takanashi K
Institute For Materials Research Tohoku University
-
白井 正文
東北大学電気通信研究所
-
辻川 雅人
東北大csis
-
草部 浩一
阪大基礎工
-
鈴木 直
阪大基礎工
-
高梨 弘毅
東北大金研
-
小嗣 真人
JASRI SPring-8
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
水口 将輝
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
水口 将輝
JRCAT
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小嗣 真人
高輝度光科学研究センター
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吉田 博
阪大産研
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小嗣 真人
Jasri
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白井 正文
大阪大学基礎工学研究科物理系専攻物性分野
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白井 正文
阪大・基礎工
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小嗣 真人
広島大学放射光科学研究センター
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田口 秀樹
阪大院基礎工
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鈴木 直
大阪大学 基礎工学部
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池内 一智
阪大院基礎工
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小林 研介
京大化研
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木村 昭夫
広大理
-
山名 啓太
阪大基礎工
-
内田 一郎
阪大基礎工
-
尾嶋 正治
東大院工
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島田 賢也
広大放射光セ
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上田 茂典
物材機構
-
斉藤 祐児
原子力機構
-
木村 昭夫
広大院理
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島田 賢也
広大放セ
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生天目 博文
広大放セ
-
谷口 雅樹
広大放セ
-
宮本 幸治
広大放セ
-
三浦 良雄
東北大電通研
-
白井 正文
東北大電通研
-
崔 芸涛
広大放セ
-
叶 茂
広大院理
-
竹田 幸治
原研 SPring-8
-
斉藤 祐児
原研 SPring-8
-
池永 英司
JASRI SPring-8
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上田 茂典
NIMS Spring-8
-
小林 啓介
NIMS Spring-8
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鹿又 武
東北学院大工
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中西 寛
阪大院工
-
笠井 秀明
阪大院工
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高梨 弘毅
東北大学金属材料研究所
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尾嶋 正治
東京大学工学部
-
竹田 幸治
原子力機構
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大河内 拓雄
高輝度光科学研究センター
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小野 寛太
高エ研
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佐藤 和則
阪大基礎工
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秋永 広幸
アトムテクノロジー研究体・産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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水口 将輝
産総研
-
眞砂 卓史
産総研
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小野 寛太
東大工
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尾嶋 正治
東大工
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眞砂 卓史
アトムテクノロジー研究体産業技術総合研究所つくば中央第4事業所
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白井 正文
大阪大学大学院基礎工学系研究科
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小野 寛太
東大院工
-
白井 正文
阪大基礎工
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水口 将輝
東北大学金属材料研究所
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中村 哲也
高輝度光科学研究センター
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斎藤 祐児
Jaeri
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池永 英司
Crest・jst
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下司 雅章
阪大ナノサイエンスデザインセンター
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武田 幸治
広大放射光セ
-
崔 芸濤
広大放セ
-
崔 芸涛
広大院理
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池永 英司
(財)高輝度光科学研究センター
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小野 寛太
高工研
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興地 斐男
和歌山高専
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佐藤 和則
ユーリッヒ研
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齋藤 祐児
原研
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高梨 弘毅
東北大学 金属材料研究所
-
荒木 和也
阪大産研
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Kulatov E.
ロシア科学アカデミー
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清家 聖嘉
阪大産研
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三浦 良雄
東北東大学電気通信研究所
-
阿部 和多加
東北東大学電気通信研究所
-
白井 正文
東北東大学電気通信研究所
-
阿部 和多加
東北大通研
-
Cui Y.t.
Hsrc Hiroshima Univ.
-
Dino W.
阪大院工
-
秋永 広幸
アトムテクノロジー研究体:産業技術総合研究所 & 東大物性研
-
斎藤 祐二
大阪大学基礎工学部
-
下司 雅章
阪大基礎工
-
白井 正文
阪大院基礎工
-
池内 一智
阪大・基礎工
-
田口 秀樹
阪大・基礎工
-
池永 英司
高輝度光科学研究センター:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
-
Kasai Haruo
Department Of Electronics Chiba University
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阿部 和多和
東北大・通研
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池永 英司
Jasri/spring-8
-
小嶋 隆幸
東北大学大学院
-
白井 正文
東北大学
-
高梨 弘毅
東北大学
-
荻原 美沙子
東北大学 金属材料研究所
-
池永 英司
財団法人高照度光科学研究センター
-
池永 英司
JASRI
-
坂田 修身
NIMS
-
荻原 美沙子
東北大金研
-
田代 敬之
東北大金研
-
小嗣 真人
(公財)高輝度光科学研究センター(SPring-8/JASRI)
-
上田 茂典
NIMS
-
三浦 良雄
東北大通研:科学技術振興機構
-
大槻 匠
高輝度光科学研究センター
-
高梨 弘毅
東北大金研:科学技術振興機構
-
小嗣 真人
高輝度光科学研究センター:科学技術振興機構
-
田代 敬之
東北大金研:科学技術振興機構
-
石丸 哲
NIMS
-
大槻 匠
高輝度光科学研究センター:科学技術振興機構
-
白井 正文
東北大通研:科学技術振興機構
-
水口 将輝
東北大金研:科学技術振興機構
-
白井 正文
大阪大基礎工
-
鹿又 武
東北学院大・工
著作論文
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 21aTH-11 閃亜鉛鉱型 CrAs, CrSb における格子歪みの効果
- 27aPS-103 ハーフメタル強磁性体Co_2MnSiの電子状態における温度依存性(27aPS 領域3ポスターセッション(遍歴磁性体・化合物磁性体・f電子系・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピン偏極強磁性体"閃亜鉛鉱型CrAs"の厚膜化と磁気特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体の物質設計と合成
- 完全スピン偏極強磁性体CrAsの物質設計および合成 : 合金薄膜
- 閃亜鉛鉱型CrAs多層構造の作製と特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体CrAs: 物質設計, 合成, デバイス応用
- 20aPS-27 磁壁を有する磁性ナノワイヤの電気伝導度に関する第一原理計算(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 31pYH-3 非一様ドーピングによる強磁性半導体の物質設計
- 高スピン偏極率を有するホイスラー合金/MgO界面の理論設計(スピンエレクトロニクス)
- 22aPS-132 ハーフメタル/絶縁体ヘテロ構造における磁気抵抗の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pTA-13 Co_2CrAl/GaAsヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aZC-5 完全スピン偏極ホイスラー合金/半導体界面の第一原理計算(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 28aZF-4 Si(001) 表面における水素の動的振舞に関する理論
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- ホイスラー合金/半導体界面の電子状態計算
- 12aYC-6 閃亜鉛鉱型 CrAs における磁気光学効果の第一原理計算(磁性半導体, 領域 4)
- 28aXR-5 閃亜鉛鉱型MAs(M=V,Cr,Mn)超格子構造の第一原理計算(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- 28aXR-4 遷移金属酸化物ナノシートを用いた二次元ハーフメタルの物質設計(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- ハーフメタル強磁性体のマテリアルデザイン (
- 高スピン偏極ホイスラー合金Co_2(Cr, Fe)Alの電子状態計算
- 21aTH-12 第一原理計算による IV 族半導体 (Ge, Si) ベース希薄磁性半導体の物質設計
- スピン流の創出のための材料設計
- 17pYH-1 閃亜鉛鉱型遷移金属リン化合物における強磁性の探索
- 17pPSA-42 閃亜鉛鉱型ハーフメタル強磁性体におけるスピン軌道相互作用の効果
- 26aPS-43 遷移金属合金/MgO界面における交換結合の第一原理計算(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-38 ホイスラー合金/MgO界面におけるノンコリニア磁気構造と交換結合(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 貴金属フリー高磁気異方性材料L1_0型FeNi規則合金の作製と評価
- 新しい高スピン偏極強磁性材料の理論設計
- 30pWD-2 高スピン偏極磁性体ベースのデバイス・デザイン
- 30pWD-2 高スピン偏極磁性体ベースのデバイス・デザイン
- スピン機能材料の電子状態
- 28aTB-8 III-V族希薄磁性半導体における新強磁性相の第一原理設計II
- 日本磁気学会編, 井上順一郎,伊藤博介著, スピントロニクス-基礎編-, 共立出版, 東京, 2010, xi+278p, 22×16cm, 本体3,600円, (現代講座・磁気工学3), [大学院向], ISBN978-4-320-08589-3
- 25aPS-40 X線磁気円二色性によるL1_0型FeNi規則合金薄膜の磁気異方性評価(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般,領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28pDB-3 硬X線を用いた新しいスピン分解光電子分光(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))