宮本 幸治 | 広大放セ
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概要
関連著者
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宮本 幸治
広大放セ
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木村 昭夫
広大院理
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谷口 雅樹
広大院理
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生天目 博文
広大放射光
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木村 昭夫
広大理
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生天目 博文
広大放射光セ
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喬 山
広大放射光セ
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島田 賢也
広大放射光
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宮本 幸治
広大院理
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Namatame Hirofumi
Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo
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Namatame Hirofumi
広大放セ
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黒田 健太
広大大学院理
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TAGUCHI Munetaka
RIKEN/SPring-8
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坂本 和昭
広大院理
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喬 山
広大放セ
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成田 尚司
東大物性研
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喬 山
広島大学放射光科学研究センター
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宮本 幸治
広大放射光セ
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喬 山
広大放射光科学研究センター
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伊折 数幸
広島大学大学院理学研究科
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島田 賢也
広大放射光セ
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生天目 博文
広大放セ
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西村 良祐
広大院理
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門野 利治
広大院理
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Shimada K.
広大放セ
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黒田 健太
広大院理
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崔 芸濤
広大放セ
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崔 芸涛
広大院理
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木村 雅仁
阪大基礎工
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奥田 太一
広大放射光セ
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Ye M.
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.
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Kimura A.
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.
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奥田 太一
広大放セ
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叶丸 孝治
広大院理
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伊折 数幸
広大院理
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有田 将司
広大放射光セ
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谷口 雅樹
広大放セ
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木村 昭夫
東大物性研
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成田 尚司
広大院理
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植田 義文
呉高専
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植田 義文
呉工業高等専門学校電気情報工学科
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植田 義文
徳山工業高等専門学校情報電子工学科
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谷口 雅樹
広大理
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Namatame H.
HSRC, Hiroshima Univ.
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斉藤 祐児
原研 SPring-8
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谷口 雅樹
広島大院理
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田口 政義
日大生産工
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Taniguchi M.
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.
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竹田 幸治
原子力機構
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ARAI Masatoshi
Japan Atomic Energy Agency
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Namatame Hirofumi
Hiroshima Synchrotron Radiation Center Hiroshima Univ.
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Taguchi M.
Riken/spring-8
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Shimada Kenya
Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn
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仲武 昌史
広大放射光
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島田 賢也
広大放セ
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池永 英司
JASRI SPring-8
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斎藤 祐児
Jaeri
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Avila Marcos
Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn
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Arita M.
広大放セ
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叶 茂
広大院理
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谷口 雅樹
広大大学院理:広大放射光セ
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Arita M
Hokkaido Univ. Sapporo
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谷口 雅樹
広大放射光セ
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Cui Y.
HSRC, Hiroshima Univ.
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Nakatake M.
HSRC, Hiroshima Univ.
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鹿又 武
東北学院大工
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島田 賢也
広大放射セ
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生天目 博文
広大放射セ
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池永 英司
(財)高輝度光科学研究センター
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三浦 雄一
広大院理
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小林 啓介
JASRI SPring-8
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斉藤 祐児
原子力機構
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小林 啓介
NIMS Spring-8
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喬 山
復旦大物理
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武田 幸治
広大放射光セ
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小畠 雅明
NIMS
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長谷川 和寛
広大院理
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竹田 幸治
原研機構放射光
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斉藤 祐児
原研機構放射光
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小林 研介
京大化研
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斎藤 祐児
原子力機構放射光
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東口 光晴
広大院理
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島田 賢也
広島大学放射光センター
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三浦 良雄
東北大・通研
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島田 賢也
広島大放射光セ
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上田 茂典
NIMS Spring-8
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小口 多美夫
広大院先端
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矢治 光一郎
京大院理:jst Crest
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木村 昭夫
広島大学大学院理学研究科
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小畠 雅明
JASRI SPring-8
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大坪 嘉之
京大院理
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八田 振一郎
京大院理
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奥山 弘
京大院理
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有賀 哲也
京大院理
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生天目 博文
広島大放射光
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松田 巌
東大理
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池永 英司
Crest・jst
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謝 天
広大放射光
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藤森 伸一
原研機構放射光
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三浦 良雄
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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辛 埴
東大物性研
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矢橋 牧名
JASRI
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玉作 賢治
理研
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永長 直人
東大工
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井野 明洋
広大院理
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下志万 貴博
東大物性研
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松田 巌
東大物性研
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圓山 裕
広大院理
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長尾 忠昭
物材機構
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斎藤 祐児
JAEA
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長谷川 修司
東大理
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藤森 伸一
原子力機構放射光
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中村 哲也
JASRI
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白井 正文
東北大通研
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十倉 好紀
東大工
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石坂 香子
東京大学物性研究所
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岩澤 英明
広大放射光
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橋本 美絵
奈良先端大物質
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大門 寛
奈良先端大物質
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大門 寛
奈良先端科学技術大学院大学
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石川 哲也
JASRI
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有田 亮太郎
東大工
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小野瀬 佳文
東大工
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山中 昭司
広大院工
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姜 健
広大院理
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上田 茂典
物材機構
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小林 啓介
物材機構
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武市 泰男
東大物性研
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原沢 あゆみ
東大物性研
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柿崎 明人
東大物性研
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武田 さくら
奈良先端大物質創成
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森吉 千佳子
広大院理
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黒岩 芳弘
広大院理
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金子 良夫
ERATO
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斎藤 祐児
原研
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平原 徹
東大理
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川上 正之
鹿児島大理
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有田 将司
広大放セ
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辛 埴
理研 SPring-8
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三浦 良雄
東北大電通研
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白井 正文
東北大電通研
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崔 芸涛
広大放セ
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竹田 幸治
原研 SPring-8
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西村 良祐
広大理
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門野 利治
広大理
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叶丸 孝治
広大理
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Iori K.
Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.
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西野 吉則
理研
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世良 正文
Department Of Quantum Matter Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima University
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玉作 賢治
理化学研究所播磨研究所
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生天目 博文
広島大学放射光科学研究センター
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大門 寛
奈良先端大物質創成:crest-jst
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大門 寛
奈良先端大
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中村 哲也
高輝度セ
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小河 愛実
東京大学理学系研究科物理学専攻
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原沢 あゆみ
東京大学物性研究所
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柿崎 明人
東京大学物性研究所
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森田 誠
奈良先端大物質創成
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平本 尚三
広大理
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下山田 篤史
東大物性研
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菅滋 正
阪大基礎工
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中村 哲也
理研
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谷口 雅樹
広島大学大学院理学研究科
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謝 天
広大放射光セ
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土谷 浩一
豊橋技科大
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西野 吉則
理化学研究所
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村川 寛
京大院理:(現)jst Erato-mf
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橋本 美絵
奈良先端大物質創成
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有田 亮太郎
東大工:js-crest
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三輪 大五
理研 SPring-8
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石坂 香子
東大工
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Kobayashi K.
NIMS
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十倉 好紀
理研cmrg:erato-mf
-
十倉 好紀
東大工:産総研cerc:erato-mf
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管 滋正
阪大基礎工
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金子 良夫
Erato-mf
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Shen Z.
Department Of Applied Physics Stanford University
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三輪 大吾
理研 Spring-8
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三輪 大五
理化学研究所・播磨研究所
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石川 哲也
理化学研究所放射光科学総合研究センター
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永長 直人
東大工:理研cmrg
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草刈 陽介
東北学院大工
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小林 啓介
SPring-8
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広井 政彦
鹿児島大
-
広井 政彦
鹿児島大理工
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小野 瀬佳文
JST-ERATO
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Sera M
Department Of Quantum Matter Adsm Hiroshima University
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Sera Masafumi
Department Of Physics Nagoya University
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小野瀬 佳文
Erato-mf:東大工
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藤森 伸一
JAEA SPring-8
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斉藤 祐児
JAEA SPring-8
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池永 英司
ASRI SPring-8
-
池永 英司
SPring-8 JASRI
-
小畠 雅明
SPring-8 JASRI
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長谷川 和寛
広大理
-
白井 正文
東北大・通研
-
斎藤 祐児
原研関西研
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伊析 数幸
広大院理
-
Iwasawa Hideaki
Hiroshima Synchrotron Radiation Center Hiroshima University
-
Tokura Y
Department Of Applied Physics University Of Tokyo:cross- Correlated Materials Research Group Riken:m
著作論文
- 23pHL-8 1/2原子層Bi吸着したW(110)のスピン偏極表面電子状態(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 20pGQ-5 Geに由来する表面状態のRashbaスピン分裂構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-5 W(110)のBi微量吸着系におけるスピン偏極電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aPS-103 ハーフメタル強磁性体Co_2MnSiの電子状態における温度依存性(27aPS 領域3ポスターセッション(遍歴磁性体・化合物磁性体・f電子系・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22pPSA-5 Sb吸着Si(111)表面のスピン分解ARPES(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-4 V族(111)表面におけるスピン分裂バンドの直接観測(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-6 4/3原子層鉛吸着したGe(111)表面のスピン分裂した電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pPSA-18 硬X線励起光を用いたFe_3O_4の電子状態の研究(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pTB-13 ホイスラー型合金Ru_Fe_xCrGeの電子状態(19pTB f電子系・化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28pRF-8 ハーフホイスラー型強磁性合金XMnSb(X=Ni,Pt)の電子構造(28pRF 光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 27pPSA-55 ホイスラー合金Cu_2MnAlの光電子スペクトル(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aXQ-8 充填型ホイスラー合金Co_2MnGeの光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 18pTG-1 ビスマス表面状態のスピン角度分解光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aYD-6 Bi(111)単結品表面のスビン分裂電子状態(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
- 20aYD-5 Sb(111)単結晶表面のスピン分解ARPES(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
- 26pTD-2 Bi(111)単結晶表面のスピン角度分解光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- スピン角度分解光電子分光によるfcc Co(001)のスピン偏極表面電子状態の研究
- 24aTK-3 スピン分解光電子分光を用いたfcc Co表面バンド構造の観測(光電子分光・MCD,領域5,光物性)
- 22aXK-4 スピン分解ARPESによるSb(111)表面のスピン偏極バンド構造の観測(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aTB-5 Fe/Co超薄膜のスピン偏極バンド構造の観測(領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aTB-5 Fe/Co超薄膜のスピン偏極バンド構造の観測(18aTB 領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aYH-11 fcc Co/Cu(001)単結晶超薄膜のスピン角度分解MDAD効果(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pQE-11 Fe/Co(001)のスピン偏極バンド構造(24pQE 軟X線発光・散乱・放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光,領域5(光物性))
- 26aYH-11 fcc Co/Cu(001)単結晶超薄膜のスピン角度分解MDAD効果(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aSC-6 fcc Co/Cu(001)超薄膜のスピン偏極表面電子状態(27aSC 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pPSA-54 Electronic Structures of Fe_V_xSi Probed by Photoemission Spectroscopy
- 21pYD-5 ホイスラー型合金(Ru_Fe_x)_2CrSiの電子状態(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 24aPS-40 Bi/Si(001)のスピン分解角度分解光電子分光(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-5 Si(557)-Auにおける一次元金属表面状態のスピン分解光電子分光(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-10 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面・バルク電子散乱(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-6 三次元トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の異方的なフェルミ面(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aXA-12 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3のフェルミ面と表面電子散乱(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pRE-8 Bi(111)のバルク状態におけるラシュバ型スピン偏極の観測(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 25aWX-1 Interference of Dirac electrons on the surface of Bi_2Se_3 studied by scanning tunneling microscopy
- 29pRE-6 Co/Cu(001)超薄膜のスピン角度分解MDAD効果(29pRE 光電子分光・逆光電子分光,放射光真空紫外分光,軟X線発光,領域5(光物性))
- 28aPS-12 fcc Co/Cu(001)のスピン角度分解光電子分光スペクトルの膜厚依存性(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aXB-2 Co/Cu(001)単結晶薄膜のスピン依存した電子状態の研究(光電子分光・放射光真空紫外分光・軟X線発光・散乱,領域5(光物性))
- 25aXQ-10 Ni(110)のΓ^^--Y^^-方向のスピン角度分解光電子スペクトル(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 25pPSA-50 Electronic structures of Ni_2Mn_Sn_ upon the martensitic phase transition studied by X-ray magnetic circular dichroism (XMCD)
- 25aRA-4 Electronic and magnetic structures of Heusler-type alloys Ru_Fe_xCrGe
- 25aRA-3 Electronic structures of Ni_2MnGa upon the martensitic phase transition studied by X-ray magnetic circular dichroism (XMCD)
- 27pTH-8 The electronic structures correlated with the martensitic transition in Ni_2Mn_Sn_
- 25pWK-2 Electronic Structures of Heusler-Type Alloys Ru_Fe_xCrZ (Z=Ge,Sn) : Studied by Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy
- 23aXH-2 Electronic Structures of Fe_V_xSi Probed by Photoemission Spectroscopy
- 25aWX-2 W(110)表面におけるスピン軌道誘起バンドギャップ中のRashba型スピン偏極表面状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-39 Ag吸着によるBi(111)表面スピン電子状態への影響(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSA-4 Cr_xTi_N/MgOの電子状態(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- スピン・角度分解光電子分光による表面 Rashba 効果の研究
- 26aHG-2 トポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドの放射光角度分解光電子分光(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aHB-8 高効率スピン検出器を備えたスピン分解光電子分光装置の開発とその性能評価(28aHB 放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光(強相関係・スピン分解・理論等),領域5(光物性))
- 26aTH-9 高分解能スピン分解光電子分光を用いたBi(111)表面スピン電子状態の観測(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aHG-3 Controlling the topological surface states of Bi_2Se_3 by guest atoms intercalation
- 23aJB-2 W(110)のスピン偏極表面電子構造における異方的ディラックコーン(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-9 高分解能スピン・角度分解光電子分光装置を用いた表面スピン電子物性測定(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTN-8 ARPES及びXMCD分光を用いたMnドープBi_2Se_3の電子状態の研究(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 24pTC-2 極性半導体BiTeIにおけるラシュバ型スピン分裂の観測(24pTC トポロジカル絶縁体(表面・界面・メゾスコピック効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTR-2 低エネルギー放射光ARPESを用いたトポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドにおけるディラック電子状態の観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTC-2 Electronic states of Co and Fe atoms deposited on topological insulator Bi_2Se_3 studied by XMCD, ARPES and STM
- 24pTC-5 Relocation of the topological state of Bi_2Se_3 beneath the surface by Ag intercalation
- 23pTR-1 鉛系トポロジカル絶縁体PbBi_2Te_4におけるディラック表面状態の観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pBJ-7 MnドープBi_2Te_3の内殻吸収円二色性分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pCK-2 Bi(111)表面のC_対称性による異方的Rashba効果(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXK-3 W(110)表面電子状態のC_対称性による平らなディラックコーン(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-4 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2のバルクキャリア制御された単結晶育成と表面状態の観測(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))