大坪 嘉之 | 京大院理

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概要

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• 大坪 嘉之

  京大院理

• 八田 振一郎

  京大院理

• 奥山 弘

  京大院理

• 有賀 哲也

  京大院理

• 八田 振一郎

  京大院理:jst-crest

• 有賀 哲也

  京大院理:jst-crest

• 大坪 嘉之

  京大院理:jst-crest

• 奥山 弘

  京都大学大学院理学研究科

• 矢治 光一郎

  京大院理:jst Crest

• 有賀 哲也

  京都大学大学院理学研究科

• 宮本 早苗

  京大院理

• 原沢 あゆみ

  東大物性研

• 原沢 あゆみ

  東京大学物性研究所

• 森 亮順

  京大院理

• 奥田 太一

  広大放射光セ・先端計測

• 松田 巌

  東大物性研

• 木村 昭夫

  広大理

• 武市 泰男

  東大物性研

• 奥田 太一

  東大物性研

• 木村 昭夫

  広大院理

• 宮本 幸治

  広大放セ

• 生天目 博文

  広大放射光

• 矢治 光一郎

  東大物性研

• 田尻 寛男

  JASRI

• 坂田 修身

  JASRI

• 田尻 寛男

  高輝度光科学研究センター

• 坂田 修身

  Jst-crest:高輝度光科学研

• 坂田 修身

  高輝度光科学研究センター

• 坂田 修身

  Spring-8 Jasri

• 坂田 修身

  財団法人 高輝度光科学研究センター

• 松原 弘佳

  京大院理

• 坂田 修身

  (財)高輝度光科学研究センター(jasri/spring-8)

• 坂田 修身

  財団法人 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門

• 坂田 修身

  高輝度光科学研究センター放射光研究所利用促進部門

• 生天目 博文

  広大放射光セ

• 谷口 雅樹

  広大放射光セ

• 木村 雅仁

  阪大基礎工

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 奥田 太一

  広大放射光セ

• 生天目 博文

  広大放セ

• 谷口 雅樹

  広大放セ

• 奥田 太一

  広大放セ

• 宮本 幸治

  広大放射光セ

• 武藤 宏

  京大院理

• 岩田 学

  京大院理

• 谷口 雅樹

  広大放射光:広大院理

• 金 聖憲

  東大物性研

• 松田 巌

  東大物性研究所

• 矢治 光一郎

  JST CREST

• 奥田 太一

  広大放射光

• 谷口 雅樹

  広大放射光

• 宮本 幸治

  広大放射光

• 中辻 一貴

  京大院理

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著作論文

• 21pPSA-9 Pb/Ge(111)-β(√×√)R30°の表面構造と電子状態(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pGQ-5 Geに由来する表面状態のRashbaスピン分裂構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pGL-7 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究II(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYG-6 4/3原子層鉛吸着したGe(111)表面のスピン分裂した電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYG-7 Bi/Ge(111)-"2×1"表面の原子構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-53 金属吸着Ge(111)表面の電子状態(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aTE-5 Bi/Ge(111)表面の構造と電子状態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXA-3 Bi/Ge(111)-(√×√)R30°表面の電子状態とRashba効果(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pTE-12 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pTD-3 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態2(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-94 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aWX-8 PbBi共吸着Ge(111)表面のスピン偏極した金属的ショックレー状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-44 Br/Ge(111)表面のShockley状態とスピン軌道相互作用(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-8 Ge(111)の表面吸着種に誘起されたGe由来のスピン偏極した表面電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTH-10 Br終端Ge(111)基板のsubsurface領域に局在するスピン偏極電子状態(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aHA-10 Br/Ge(111)-(1×1)表面subsurface領域に局在した電子状態のスピン分解光電子分光(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pCK-7 単原子層Pb吸着Ge(111)の電子状態とそのスピン構造(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pCK-6 Tl/Ge(111)-(1×1)表面における過剰Tlによる金属的スピン分裂バンドの形成(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-4 TlBiSe_2(111)の表面構造(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))

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