26pTD-3 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態2(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2008-02-29
著者
-
大坪 嘉之
京大院理
-
八田 振一郎
京大院理
-
奥山 弘
京大院理
-
有賀 哲也
京大院理
-
宮本 早苗
京大院理
-
有賀 哲也
京大院理:jst-crest
-
八田 振一郎
京大院理:jst-crest
-
大坪 嘉之
京大院理:jst-crest
-
有賀 哲也
京都大学大学院理学研究科
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