有賀 哲也 | 京都大学大学院理学研究科
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概要
関連著者
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有賀 哲也
京都大学大学院理学研究科
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奥山 弘
京大院理
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有賀 哲也
京大院理
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有賀 哲也
京大院理:jst-crest
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八田 振一郎
京大院理:jst-crest
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八田 振一郎
京大院理
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熊谷 崇
京大院理
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有賀 哲也
京都大学大学院理学研究科化学専攻
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八田 振一郎
京都大学大学院理学研究科
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森川 良忠
阪大院工
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大坪 嘉之
京大院理
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浜田 幾太郎
東北大
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坂田 修身
JASRI
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高橋 真
コベルコ科研:京大院理:原研
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坂田 修身
Jst-crest:高輝度光科学研
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坂田 修身
高輝度光科学研究センター
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坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター
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森州 良忠
阪大産研
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大坪 嘉之
京大院理:jst-crest
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坂田 修身
高輝度光科学研究センター放射光研究所利用促進部門
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森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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森川 良忠
阪大産研
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宮本 早苗
京大院理
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山田 剛司
京都大学大学院理学研究科化学専攻
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加藤 千尋
京大院理
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高橋 真
京大院理
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奥山 弘
京都大学大学院理学研究科
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西嶋 光昭
京大院理
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八田 振一郎
京都大学大学院理学研究科化学専攻
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海津 政久
京都大学大学院理学研究科化学専攻
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浜田 幾太郎
科技団:阪大基礎工
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原沢 あゆみ
東大物性研
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有賀 哲也
京大理
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海津 政久
京大院理
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山田 剛司
京大院理
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奥山 弘
京都大学大学院埋学研究科
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奥田 太一
東大物性研
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木下 豊彦
東大物性研
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木下 豊彦
NEDO
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木下 豊彦
Jasri
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坂田 修身
Spring-8 Jasri
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奥田 太一
広島大学放射光科学研究センター
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浜田 幾太郎
阪大産研
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坪井 紀子
理研:jst-crest
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木下 豊彦
高輝度光科学研究センター(jasri)
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坂田 修身
(財)高輝度光科学研究センター(jasri/spring-8)
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坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門
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加藤 千尋
信州大理
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濱田 幾太郎
東北大WPI-AIMR
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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寺岡 有殿
原研
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大友 亮介
京大院理
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梅本 周作
京大院理
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吉越 章隆
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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吉越 章隆
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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熊谷 崇
京都大学大学院理学研究科化学専攻
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吉越 章隆
原研 放射光科学研セ
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熊谷 崇
京都大学大学院情報学研究科
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坪井 紀子
京大理
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奥山 弘
京大理
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Yi Min
Jasri
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玉森 正多
京都大学大学院理学研究科化学専攻
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大塚 靖仁
京大院理
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嶋田 恵朋
JASRI
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構
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寺岡 有殿
日本原子力研究所放射光科学研究センター
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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松田 巌
東大物性研
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中川 剛志
JASRI SPring-8
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郭 方准
JASRI SPring-8
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矢治 光一郎
京大院理:jst Crest
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濱田 幾太郎
阪大産研
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原沢 あゆみ
東京大学物性研究所
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森川 良忠
大阪大学産業科学研究所
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西嶋 光昭
京大理
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郭 方准
Jasri
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郭 方准
高輝度光科学研究センター
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寺岡 有殿
原研 関西研
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田尻 寛男
JASRI
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盛谷 浩右
兵庫県立大学大学院工学研究科機械系工学専攻
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吉越 章隆
原研
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盛谷 浩右
原研
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田尻 寛男
高輝度光科学研究センター
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奥田 太一
ISSP 東京大学
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原沢 あゆみ
ISSP 東京大学
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木下 豊彦
ISSP 東京大学
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有賀 哲也
コベルコ科研
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寺岡 有殿
コベルコ科研
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吉越 章隆
コベルコ科研
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藤本 洋介
京大院理
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盛谷 浩右
大阪大学大学院理学研究科化学専攻
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吉越 章隆
原研関西研
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大神 統
京大院理
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松原 弘佳
京大院理
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濱田 幾太郎
大阪大学産業科学研究所
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八田 振一郎
JST-CREST
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有賀 哲也
JST-CREST
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中川 剛恵
名大院工
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上田 裕也
京大院理
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玉森 正多
京大院理
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坪井 紀子
京大院理
-
中川 剛志
京大理
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本多 潤
京大院理
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橋田 亮
京大院理
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Yi Min-Su
JASRI
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Walker C.
JASRI
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塩足 亮隼
東大院理
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北口 雄也
東大院理
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北口 雄也
京都大学大学院理学研究科
-
塩足 亮隼
京都大学大学院理学研究科
著作論文
- 18aTG-4 Tl/Ge(111)-(3×1)表面の原子構造および電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-14 角度分解光電子分光法によるGe(111)3×1-Tl表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-12 高分解能XPSおよび超音速分子線法による4H-SiC(0001)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-48 超音速分子線によるRu(0001)表面上の酸素吸着の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-5 Tl/Ge(111)-(1×1)表面の構造と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 30aYE-12 Cu(001)-5×1-Ga擬一次元原子鎖の構造と表面電子状態(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 表面系の Rashba 効果
- 25aYH-12 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 水の少数クラスターにおける水素結合交換の直接観測
- 29pPSB-53 金属吸着Ge(111)表面の電子状態(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-5 Bi/Ge(111)表面の構造と電子状態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aRD-7 単分子水和反応の制御と可視化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Tl吸着Ge(111)表面のラシュバ効果
- 22pPSB-13 Cu(110)におけるアセチレンの環化反応(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-3 Bi/Ge(111)-(√×√)R30°表面の電子状態とRashba効果(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aXB-3 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Cu(110)表面における水単分子の移動と反応
- 結晶表面におけるパイエルス転移
- 24aRJ-2 表面吸着系における巨大Rashba効果(24aRJ 領域9,領域3合同シンポジウム 反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域3(磁性,磁気共鳴))
- パラジウムによる水素吸収と水素化反応
- Pd表面における水素の吸収・放出過程
- 23aRJ-6 水ダイマーにおける水素結合交換の観測(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aWB-8 Pd(911)表面と水素分子の相互作用(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-40 Mn/Pd(100) 表面で形成される 2 種の c(2×2) 構造(領域 9)
- 31aZE-5 Ti/Pd(100) 表面上の水素誘起構造相転移に関わる電子状態変化
- 25pTE-12 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pTD-3 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態2(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-94 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-99 Tl/Ge(111)-(3×1)構造とステップ誘起局所構造のSTM観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-5 Cu(110)表面における水単分子の移動と反応(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aTG-2 Cu(110)に吸着したアセチレン単分子の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Cu(110)表面上に形成された水一次元鎖のSTM観察
- 21pXF-4 Cu(110)表面上に形成された水一次元鎖のSTM観察(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-13 Si(111)-(7×7)表面におけるH_20の吸着・反応(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13aXF-10 Si(111)-(7×7)表面での H_2O の吸着状態(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
- 20aPS-47 結晶性氷表面の振動分光 II
- 27pXJ-2 SPELEEM装置を用いたIn(Sn)/Cu(001)表面における相転移の実空間観察(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRJ-2 表面吸着系における巨大Rashba効果(反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域9,領域3合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-26 Ga/Cu(001)-p(5×1)表面の構造及びc(10×2)への相転移(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-30 Si(111)-(7×7)表面におけるアセトアルデヒドとフェノールの吸着状態(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aYE-13 In/Cu(001)表面におけるCDW相の臨界挙動と相転移(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 20aPS-22 表面 X 線回折による In/Cu(001)-c(4×4) 表面の構造解析と電荷密度波相転移
- NOの不対電子はCu表面上で生き残るか?
- 結晶表面における電荷密度波相転移