八田 振一郎 | 京大院理:jst-crest
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概要
関連著者
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八田 振一郎
京大院理:jst-crest
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京大院理
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海津 政久
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木下 豊彦
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田尻 寛男
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奥田 太一
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西嶋 光昭
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阪大産研
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木下 豊彦
高輝度光科学研究センター(jasri)
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京大院理
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奥田 太一
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八田 振一郎
CREST
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CREST
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八田 振一郎
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有賀 哲也
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松田 巌
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八田 振一郎
東大院理
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奥山 弘
東大院理
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有賀 哲也
東大院理
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矢治 光一郎
JST CREST
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北口 雄也
京大院理
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谷口 雅樹
広大放射光
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三井 拓也
京大院理
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宮本 幸治
広大放射光
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中辻 一貴
京大院理
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上羽 弘
富山大学工学部
著作論文
- 21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-9 Pb/Ge(111)-β(√×√)R30°の表面構造と電子状態(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGQ-5 Geに由来する表面状態のRashbaスピン分裂構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGL-7 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究II(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-6 4/3原子層鉛吸着したGe(111)表面のスピン分裂した電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aTG-4 Tl/Ge(111)-(3×1)表面の原子構造および電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-14 角度分解光電子分光法によるGe(111)3×1-Tl表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-5 Tl/Ge(111)-(1×1)表面の構造と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 30aYE-12 Cu(001)-5×1-Ga擬一次元原子鎖の構造と表面電子状態(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 表面系の Rashba 効果
- 27aYG-7 Bi/Ge(111)-"2×1"表面の原子構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pPSB-5 角度分解光電子分光法によるSb/Ge(111)-(2×1)表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-12 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 水の少数クラスターにおける水素結合交換の直接観測
- 29pPSB-53 金属吸着Ge(111)表面の電子状態(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-5 Bi/Ge(111)表面の構造と電子状態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aRD-7 単分子水和反応の制御と可視化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Tl吸着Ge(111)表面のラシュバ効果
- 22pPSB-13 Cu(110)におけるアセチレンの環化反応(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-3 Bi/Ge(111)-(√×√)R30°表面の電子状態とRashba効果(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aXB-3 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Cu(110)表面における水単分子の移動と反応
- 結晶表面におけるパイエルス転移
- 23aRJ-6 水ダイマーにおける水素結合交換の観測(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-67 PbBi共吸着Ge(111)表面の原子構造(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTE-12 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pTD-3 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態2(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-94 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aWX-8 PbBi共吸着Ge(111)表面のスピン偏極した金属的ショックレー状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-44 Br/Ge(111)表面のShockley状態とスピン軌道相互作用(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-99 Tl/Ge(111)-(3×1)構造とステップ誘起局所構造のSTM観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-5 Cu(110)表面における水単分子の移動と反応(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aTG-2 Cu(110)に吸着したアセチレン単分子の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pTX-5 TlおよびBi吸着Ge(111)表面における巨大ラシュバ効果(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXJ-2 SPELEEM装置を用いたIn(Sn)/Cu(001)表面における相転移の実空間観察(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aPS-26 Ga/Cu(001)-p(5×1)表面の構造及びc(10×2)への相転移(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aYE-13 In/Cu(001)表面におけるCDW相の臨界挙動と相転移(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 20aPS-22 表面 X 線回折による In/Cu(001)-c(4×4) 表面の構造解析と電荷密度波相転移
- 25pTG-9 PbBi共吸着Ge(111)表面の原子構造II(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-8 Ge(111)の表面吸着種に誘起されたGe由来のスピン偏極した表面電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTH-10 Br終端Ge(111)基板のsubsurface領域に局在するスピン偏極電子状態(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pTH-3 Cu(110)におけるNOの吸着構造と電子状態(28pTH 表面界面構造(金属),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-10 Br/Ge(111)-(1×1)表面subsurface領域に局在した電子状態のスピン分解光電子分光(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aJB-3 Cu(110)に吸着したNOの電子状態の制御(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 結晶表面における電荷密度波相転移 (特集 X線回折/散乱による表面界面の解析)
- NOの不対電子はCu表面上で生き残るか?
- 24pCK-8 金属吸着Ge(111)表面の電気伝導測定(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pCK-7 単原子層Pb吸着Ge(111)の電子状態とそのスピン構造(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pCK-6 Tl/Ge(111)-(1×1)表面における過剰Tlによる金属的スピン分裂バンドの形成(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSA-35 金属吸着Ge(111)表面の電気伝導測定II(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 18pFE-11 Cu(110)に吸着したNOの価電子状態と分子間相互作用(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFE-3 TI吸着Ge(111)表面の電気伝導度測定(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSA-32 Pb/Ge/Si(111)(1×1)表面の構造と電子状態(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 26pPSA-13 Au/Si(001)-c(8×2)表面の構造と電子状態(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-15 Pb/Ge(111)-(√×√)-β表面における伝導度の温度依存性(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-9 ラシュバ分裂した表面電子系におけるスピン偏極電流の検証(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pJA-9 金属単原子層の電気伝導度に対する吸着原子の効果(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJA-2 水素結合によるNO/Cu(110)の価電子状態と反応のSTM制御(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-5 Cu(110)に吸着したH_2SのSTM観測(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aJA-4 TlBiSe_2(111)の表面構造(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-14 PbまたはBi吸着Ge/Si(111)表面の電子構造(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))