奥田 太一 | 広大放射光セ
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概要
関連著者
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奥田 太一
広大放射光セ
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広大放セ
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広大放射光
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西出 聡悟
東大物性研
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中辻 寛
東大物性研
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東大物性研
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広大院理
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TAGUCHI Munetaka
RIKEN/SPring-8
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何 珂
東大物性研
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市川 雄一
理研
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島田 賢也
広大放射光
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東大理
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東大物性研
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江口 豊明
東大物性研
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首藤 健一
横国大工
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横国大工
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長谷川 幸雄
東京大学物性研究所
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山崎 紀明
横国大工
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横国大工
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大野 真也
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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Taskin Alexey
阪大産研
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阪大産研
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吉信 淳
東大物性研
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長谷川 修司
東大理
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広大放射光セ
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木村 真一
分子研uvsor:総研大物理
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叶 茂
広大院理
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東大物性研
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矢治 光一郎
京大院理:jst Crest
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脇田 高穂
Jst-crest:岡山大理界面
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脇田 高徳
東北大院理:東大物性研
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平井 正明
岡山大院自然:岡山大理界面
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小森 文夫
東京大学物性研究所
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脇田 高徳
岡大理界面
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小野 雅紀
東大物性研
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平井 正明
岡大理界面
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村岡 祐治
岡大理界面
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横谷 尚睦
岡大理界面
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吉信 淳
東京大学物性研究所
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小河 愛実
東京大学理学系研究科物理学専攻
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山上 浩志
京産大院理
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村岡 祐治
岡山大院自然:jst-crest:岡山大理界面
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植田 義文
呉高専
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植田 義文
呉工業高等専門学校電気情報工学科
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木下 豊彦
NEDO
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植田 義文
徳山工業高等専門学校情報電子工学科
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山上 浩志
京都産業大理
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中武 昌史
広大放射光セ
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田中 正俊
横国大工
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青木 健志
横浜国立大学工学府
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崔 芸濤
広大放セ
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崔 芸涛
広大院理
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近藤 寛
慶応大理工
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BERTRAN F.
SOLEIL/LURE
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FEVRE P.
SOLEIL/LURE
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TALEB-IBRAHIMI A.
SOLEIL/LURE
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武市 泰男
東京大学物性研究所
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市川 雄一
横国大工
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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小野 雅紀
理化学研究所
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辛 埴
東大物性研
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永長 直人
東大工
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有田 将司
広大放射光セ
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高野 義彦
物材機構
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下志万 貴博
東大物性研
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村上 修一
東工大理
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大河内 拓雄
原子力機構放射光
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室隆 桂之
SPring-8 JASRI
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中村 哲也
JASRI
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大沢 仁志
JASRI
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十倉 好紀
東大工
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石坂 香子
東京大学物性研究所
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木村 真一
分子研
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橋本 美絵
奈良先端大物質
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大門 寛
奈良先端大物質
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岡崎 宏之
岡山大院自然
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大門 寛
奈良先端科学技術大学院大学
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大澤 仁志
JASRI SPring-8
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有田 亮太郎
東大工
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小野瀬 佳文
東大工
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宮崎 秀俊
分子研UVSOR
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武田 さくら
奈良先端大物質創成
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金子 良夫
ERATO
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伊藤 孝寛
名大工
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坂本 裕介
東大理
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最首 祐樹
東大理
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村上 修一
東工大理工
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何 珂
中国科学院物理研
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伊藤 孝寛
名大工院
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木村 真一
UV-SOR
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辛 埴
理研 SPring-8
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叶丸 孝治
広大院理
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宮本 幸治
広大院理
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小口 多美夫
広大院先端
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田崎 義昭
東京大学大学院 工学系研究科
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保原 麗
東大理
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松下 智裕
Jasri
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松下 智裕
(財)高輝度光科学研究センター
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横谷 尚睦
岡山大院自然:jst-crest:岡山大理界面
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岡崎 宏之
岡大院自然
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佐伯 邦成
岡大院自然
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谷口 雅樹
広大大学院理:広大放射光セ
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新井 邦明
東大物性研
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大河内 拓雄
JASRI
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福本 恵紀
JASRI
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大門 寛
奈良先端大物質創成:crest-jst
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大門 寛
奈良先端大
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松田 巌
東京大学物性研究所
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室隆 桂之
JASRI
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Ran Fan-Yong
東大物性研
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長谷川 隆英
東大物性研
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大谷 義近
東大物性研
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福木 恵紀
JASRI
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森田 誠
奈良先端大物質創成
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岡崎 宏之
岡山大院自然:jst-crest
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田中 正俊
横国大院工
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下山田 篤史
東大物性研
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伊藤 孝寛
東北大院理
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菅滋 正
阪大基礎工
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中村 哲也
理研
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室隆 佳之
JASRI
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大沢 仁志
高輝度光科学研究センター
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村川 寛
京大院理:(現)jst Erato-mf
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橋本 美絵
奈良先端大物質創成
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有田 亮太郎
東大工:js-crest
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松井 真二
兵庫県立大高度研
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Arita M
Hokkaido Univ. Sapporo
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石坂 香子
東大工
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大坪 嘉之
京大院理
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八田 振一郎
京大院理
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奥山 弘
京大院理
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有賀 哲也
京大院理
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十倉 好紀
理研cmrg:erato-mf
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十倉 好紀
東大工:産総研cerc:erato-mf
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管 滋正
阪大基礎工
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金子 良夫
Erato-mf
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Shen Z.
Department Of Applied Physics Stanford University
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室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
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ARAI Masatoshi
Japan Atomic Energy Agency
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矢治 光一郎
東大物性研
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永長 直人
東大工:理研cmrg
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小嗣 真人
Jasri
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Shimada K.
広大放セ
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西岡 広明
横国大工
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小林 功佳
お茶の水大理
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木下 豊彦
Jasri
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室 桂隆之
JASRI SPring-8
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小野 瀬佳文
JST-ERATO
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奥田 太一
東京大学物性研究所
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小野瀬 佳文
Erato-mf:東大工
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Avila Marcos
Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn
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永村 直佳
東大理
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高野 義彦
(独)物質・材料研究機構
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江口 豊明
東京大学物性研究所
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秋山 琴音
東京大学物性研究所
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森 文夫
東大物性研
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モーラス パオロ
イタリア国立研究所(CNR)
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トプワル ディネシュ
イタリア国立研究所(CNR)
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カルボーネ カルロ
イタリア国立研究所(CNR)
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松田 厳
東大物性研
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Arita M.
広大放セ
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後藤 公徳
広大放射光
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佐藤 和成
横国大工
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青木 健志
横国大工
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山崎 紀明
横国大院工
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中山 史人
横国大院工
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大野 真也
横国大院工
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寅丸 雅光
横国大院工
-
市川 雄一
横国大院工
-
山崎 貴彦
横国大院工
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飯田 貴則
横国大院工
-
佐藤 和成
横国大院工
-
青木 健志
横国大院工
-
西岡 広明
横国大院工
-
首藤 健一
横国大院工
-
山崎 貴彦
横浜国大工
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Tokura Y
Department Of Applied Physics University Of Tokyo:cross- Correlated Materials Research Group Riken:m
-
Tokura Y
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist):department Of Applied Physic
著作論文
- 23pHL-3 Si(111)1x1水素終端面の角度分解共鳴光電子分光(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 27aYG-10 BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYG-9 トポロジー絶縁体Bi_Sb_x合金(x=0.04,0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 角度分解光電子分光によるFeSi (001) およびCoSi (001) の価電子帯構造の研究
- 26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
- 30aTL-3 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性II(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aYG-6 4/3原子層鉛吸着したGe(111)表面のスピン分裂した電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pTX-12 高分解能スピン分解光電子分光によるBi_Sb_x量子スピンホール相の研究(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pRD-3 Si(111)1次元表面超構造上Ag薄膜の量子井戸状態・III(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pRD-2 スピン・角度分解光電子分光による(√×√)BiAg/Ag量子薄膜の研究(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pVA-3 高効率スピン分解光電子分光によるFe_3O_4/MgO(001)薄膜の研究(29pVA 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質等),領域5(光物性))
- 26aYG-2 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-6 Si(001)表面におけるTiシリサイド形成過程へのサーファクタント効果の検討(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 低速電子回折型電子スピン検出器を用いた高分解能スピン・角度分解光電子分光(実験技術)
- 29pPSB-40 テンプレート効果とCoシリサイドクラスターの原子・電子構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 放射光励起走査トンネル顕微鏡による高分解能元素分析イメージング
- ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
- 22aXB-10 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究IV(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-40 Bi/Si(001)のスピン分解角度分解光電子分光(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-5 Si(557)-Auにおける一次元金属表面状態のスピン分解光電子分光(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-10 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面・バルク電子散乱(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aXA-12 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3のフェルミ面と表面電子散乱(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23aWX-8 チタン薄膜直下におけるSi(001)酸化促進反応の解析(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-39 Ag吸着によるBi(111)表面スピン電子状態への影響(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ミクロンサイズ磁気円盤配列における磁気ダイナミクスの時間分解光電子顕微鏡観測
- 27pPSA-12 高効率スピン分解光電子分光による表面電子状態のスピン構造の直接測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTH-9 高分解能スピン分解光電子分光を用いたBi(111)表面スピン電子状態の観測(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-9 高分解能スピン・角度分解光電子分光装置を用いた表面スピン電子物性測定(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pTC-2 極性半導体BiTeIにおけるラシュバ型スピン分裂の観測(24pTC トポロジカル絶縁体(表面・界面・メゾスコピック効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTR-1 鉛系トポロジカル絶縁体PbBi_2Te_4におけるディラック表面状態の観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aGB-4 HiSOR準周期APPLE型アンジュレータのパーフォーマンス(25aGB 光源・ビーム源・ビーム診断・真空,ビーム物理領域)