小林 功佳 | お茶の水大理
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
小林 功佳
お茶の水大理
-
小林 功佳
お茶の水大物理
-
小林 功佳
お茶の水女子大学理学部物理学科
-
小林 功佳
お茶の水大・理
-
長谷川 修司
東大理
-
平原 徹
東大理
-
小林 功佳
お茶大理
-
松田 巌
東大理
-
内橋 隆
物材機構
-
永村 直佳
東大理
-
長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
-
永村 直佳
東大院工:東大放射光機構
-
松田 巌
東大物性研
-
保原 麗
東大理
-
白澤 徹郎
東大物性研
-
高橋 敏男
東大物性研
-
松波 雅冶
神戸大院自然
-
中山 知信
物材機構
-
保原 麗
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
-
植竹 智哉
東大理
-
松田 巌
東大物性研究所
-
松波 雅治
分子研uvosr:総研大物理
-
福居 直哉
東大理
-
小林 功佳
お茶の水女子大
-
木村 真一
分子研
-
中村 史一
東大院理
-
一宮 彪彦
原子力機構先端基礎研
-
木村 真一
分子研UVSOR
-
柿崎 明人
東大物性研
-
奥田 太一
広大放射光セ
-
奥田 太一
広大放セ
-
長谷川 幸雄
東大物性研
-
小野 雅紀
東大物性研
-
江口 豊明
東大物性研
-
小河 愛実
東京大学理学系研究科物理学専攻
-
柿崎 明人
東京大学物性研究所
-
一宮 彪彦
名大工
-
一宮 彪彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
小野 雅紀
理研
-
岡嶋 孝治
北大電子研
-
長谷川 幸雄
東京大学物性研究所
-
松田 厳
東大物性研
-
小野 雅紀
理化学研究所
-
奥田 太一
広島大学放射光科学研究センター
-
山崎 詩郎
東大理
-
山崎 詩郎
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
-
山崎 詩郎
東京大学大学院理学系研究科:npo法人science Station
-
宮田 伸弘
東大理
-
中村 史一
東大理
-
劉 燦華
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
-
劉 燦華
東大理
-
宮田 信弘
東大理
-
Choi W.H.
Center for Atomic Wires and layers, Yonsei Univ.
-
Yeom H.W.
Center for Atomic Wires and layers, Yonsei Univ.
-
Choi W.h.
Yousei Univ.
-
Yeom H.w.
Yousei Univ.
-
何 珂
東京大学物性研究所
-
小河 愛実
東大物性研
-
奥田 太一
広島大放セ
-
小林 功佳
お茶の水理
-
中村 史一
東大理:東大物性研
-
中村 史一
東大物性研究所
-
羽尻 哲也
分子研UVSOR
-
永村 直佳
東工大
-
山田 学
東大理
-
永村 直佳
東大工
-
He Ke
中国科学院
-
宮崎 秀俊
名工大工
-
小林 功佳
Fac.of Sci.,Ochanomizu Univ.
-
相谷 昌紀
東大理
-
奥田 太一
広大放射光セ・先端計測
-
奥田 太一
広大放射光
-
松波 雅治
分子研
-
野上 陽加里
お茶大理
-
中尾 裕美
お茶大理
著作論文
- 23pGL-4 双晶超格子ナノワイヤーの電子状態(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGQ-9 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察II(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-7 Si(111)√×√表面の吸着子周囲に誘起される定在波(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXJ-6 グラファイト格子の相補媒質(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pWN-2 グラファイト蜂の巣結晶のエッジ状態(グラファイト・クラスター・クラスレート)(領域7)
- 28aYB-3 半導体表面上2次元貴金属合金相のフェルミ面研究(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- グラフェンと負の屈折・スーパーレンズ : 2次元ディラック・フェルミオンの電子光学
- 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-9 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 第14回SPM国際コロキウム(ICSPM14)報告
- 27aYG-2 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYG-3 積層欠陥を含むAg(111)ストライプ薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 表面ステップの電気抵抗 (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (理論)
- 30pRD-9 表面定在波のエネルギー依存性と次元性(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pXJ-3 相補的半導体界面の電子透過(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-8 エバネッセント波による界面状態の励起について(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aYC-7 相補媒質系における波束の運動(24aYC 領域9,領域10,領域11合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-12 電子の相補媒質(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWB-6 Cu(111)表面ステップエッジでの表面状態電子の散乱(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14aXG-8 Si(111)√×√-Ag 表面ステップでの電気抵抗(表面界面電子物性, 領域 9)
- 20pYE-8 半導体ナノワイヤーの表面伝導
- 28aWD-9 IV 族半導体表面の二探針電気伝導度の計算
- 26aTH-4 トポロジカル絶縁体表面ステップの電子透過(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-5 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-1 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子透過特性(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aRH-8 ショックレー表面状態による電気伝導
- 28aYQ-13 表面状態を経由する電気伝導の計算
- 森田清三, 走査型プローブ顕微鏡; 基礎と未来予測, 丸善, 東京, 2000, xii+182p., 21×14.5cm, 本体3,000円, [専門書]
- 25pWD-8 弾性散乱計算による非弾性散乱の平均自由行程
- 27pE-3 グラファイト・シート中の5員環欠陥のSTM像
- 29p-R-1 原子スケールのバリスティクな系としてのSTM
- 25a-YM-13 STM探針からブロッホ状態へのトンネル
- A. Liebsch Electronic Excitations at Metal Surface Splenum Press, New York, 1997, xi+336p., 23.6×15.6cm, 18,560円 [専門書]
- 6p-B-4 BEEMにおけるトンネル電流と境界条件
- STMと表面内部構造
- 25pCK-6 Sb表面ステップの電子透過特性(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-4 Bi_2Te_3上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-3 Bi_2Te_3超薄膜および1BL BiのLEED-IV構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFE-5 Bi-Bi_2Te_3界面の電子透過の計算(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-5 Bi_2Te_3基板上の1BL-Biのエッジ状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aJA-10 ビスマス超薄膜における半金属半導体転移の検証(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-37 2層シリセンの電子透過特性の計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aJA-11 Sb_2Te_3基板上のSb薄膜の電子状態計算(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))