福居 直哉 | 東大理
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概要
関連著者
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東大院工:東大放射光機構
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白井 皓寅
東大理
著作論文
- 23pPSA-5 集束イオンビーム複合型低温4探針STM装置の開発(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-4 Bi_2Te_3上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-3 Bi_2Te_3超薄膜および1BL BiのLEED-IV構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFE-4 集束イオンビームによるin situ微細加工を施した表面の電気伝導特性(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pKF-3 Bi_2Se_3超薄膜でのスピンホール効果検出の試み(スピントロニクス(スピン流),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 30pAQ-6 FIB微細加工を用いたBi_2Se_3のスピンホール効果測定(30pAQ 領域9,領域4合同 トポロジカル表面,領域9(表面・界面・結晶成長))
- 28aAQ-3 多層シリセンの構造解析(28aAQ グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面・結晶成長))