保原 麗 | 東大理

スポンサーリンク

概要

• 保原 麗の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 東大理の論文著者

関連著者

• 保原 麗

  東大理

• 保原 麗

  東京大学大学院理学系研究科物理学教室

• 長谷川 修司

  東大理

• 平原 徹

  東大理

• 長谷川 修司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 松田 巌

  東大理

• 吉本 真也

  東大物性研

• 永村 直佳

  東大理

• 沖野 泰之

  東大理

• 山崎 詩郎

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 吉本 真也

  東大理

• 永村 直佳

  東大院工:東大放射光機構

• 山崎 詩郎

  東京大学大学院理学系研究科:npo法人science Station

• 金川 泰三

  東大理

• 保原 麗

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 植竹 智哉

  東大理

• 長谷川 修司

  東京大学大学院理学研究科

• 松田 巌

  東大物性研

• 松田 巌

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 山崎 詩郎

  東大理

• 白木 一郎

  東京大学大学院理学系研究科物理学教室

• 劉 燦華

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 金川 泰三

  東京大学大学院理学系研究科物理学教室

• 田邊 輔仁

  東京大学大学院理学系研究科物理学教室

• 田辺 輔仁

  東大理

• 尾浦 憲治郎

  大阪大学大学院

• 最首 祐樹

  東大理

• 小林 功佳

  お茶の水大理

• 生野 孝

  阪大工

• 本多 信一

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka U

• Honda Shin-ichi

  Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Osaka University

• 片山 光浩

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka U

• Katayama Mitsuhiro

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• 尾浦 憲治郎

  阪大工

• 守川 春雲

  延世大学

• 片山 光浩

  阪大工

• 森川 春雲

  東大理

• 細村 嘉一

  東大理

• 上野 将司

  東大理

• 小林 功佳

  お茶大理

• 本多 信一

  阪大工

• 小林 功佳

  お茶の水女子大学理学部物理学科

• 上田 洋一

  東大理

• 山田 学

  東大理

• 永村 直佳

  東大工

• 長尾 忠昭

  物材機構

• 谷川 雄洋

  東大理

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 奥田 太一

  広大放射光セ

• 奥田 太一

  広大放セ

• 山田 学

  東京大学

• 松田 巌

  東京大学物性研究所

• 小河 愛実

  東京大学理学系研究科物理学専攻

• 柿崎 明人

  東京大学物性研究所

• 中山 泰生

  千葉大先進

• 中山 泰生

  千葉大学先進科学センター

• 市川 昌和

  CREST-JST

• 松田 厳

  東大物性研

• 谷川 雄洋

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• Wongwiriyapan Winadda

  阪大工

• 高瀬 恵子

  東大理

• 奥田 太一

  広島大学放射光科学研究センター

• 長尾 忠昭

  東大理

• 平原 徹

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 守川 春雲

  東大理

• 長村 俊彦

  (株)ユニソク

• 宮田 伸弘

  東大理

• 芝崎 剛豪

  東大理

• 山崎 詩郎

  東大物性研

• Kim Y.K.

  Inha大

• 保原 麗

  東大物性研

• Lee G.

  Inha大

• 中山 泰生

  CREST-JST

• 松田 巌

  ISSP

• 守川 春雲

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• Zhian He

  Arizona State Univ.

• Bennett Peter

  Arizona State Univ.

• 上野 将司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 宮田 信弘

  東大理

• 北岡 佑介

  東大理

• 村田 祐也

  阪大工

• 岸田 優

  阪大工

• 前田 大輔

  阪大工

• 保田 達郎

  阪大工

• 須川 淳

  東大理

• 劉 燦華

  東大・理

• 山崎 詩郎

  東大・理

• 保原 麗

  東大・理

• 松田 巌

  東大・理

• 長谷川 修司

  東大・理

• 東野 剛之

  東大理

• 山内 規裕

  阪大工

• PETERSEN Christian

  Capres A/S

• HANSSEN Torben

  デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター

• BOGGILD Peter

  デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター

• GREY Francois

  デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター

• Grey F

  デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター

• 何 珂

  東京大学物性研究所

• 山田 学

  東海大理

• 小河 愛実

  東大物性研

• 平原 徹

  東京大学大学院理学系研究科

• 奥田 太一

  広島大放セ

• Peterson C

  Capres A/s

• 山内 規裕

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専政

• 山田 学

  東理大理

• 白木 一郎

  東大理

• 市川 昌和

  Crest-jst:東大工

• 長尾 忠昭

  物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター

• 長村 俊彦

  ユニソク

• 高瀬 恵子

  Ntt物性科学基礎研究所

• Katayama Mitsuhiro

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka U

• 永村 直佳

  東工大

• 松田 巌

  東大物性研究所

• He Ke

  中国科学院

• 福居 直哉

  東大理

• 高瀬 恵子

  Ntt物性基礎研

• 奥田 太一

  広大放射光セ・先端計測

• 奥田 太一

  広大放射光

• 白木 一郎

  産総研

もっと見る 閉じる

著作論文

• 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20pGQ-10 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXA-11 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果II(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18aTG-11 極薄Si酸化膿上Geナノドットの伝導機構の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-10 金属蒸着したシリコン表面上の電気伝導度異方性(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pYB-4 Au/Si(553)表面の表面電気伝導度の温度依存性(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXC-3 CoSi_2ナノワイヤの電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aWP-6 Au/Si(557)表面の電気伝導度の異方性(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 結晶表面上単原子ステップの電気抵抗
• 23aYH-9 In/Si(111)-√×√表面超構造の金属伝導と絶縁体転移(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aXB-6 PtIr被覆カーボンナノチューブ探針を用いたSi(111)-√×√-Ag表面の電気伝導測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-4 Mn吸着したSi(111)√3×√3-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 単原子ステップを通過する表面自由電子
• 4探針STMで何ができるのか (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (輸送現象)
• 吸着原子誘起の局在状態と表面自由電子ガスとの相互作用
• 24pXC-1 金属被覆カーボンナノチューブ探針の電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-131 表面状態のホール抵抗測定(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 14aXG-10 低温型四探針 STM による電気伝導測定(表面界面電子物性, 領域 9)
• 21aYD-7 STM/STS 測定による Si(111)√3x√3-Ag 表面ステップの研究
• 21aYC-5 二次元気相・液相・固相相転移の原子直視
• 20aPS-79 独立駆動型 4 探針 STM を用いた CNT 電気伝導測定
• 4探針STMの開発と表面電子輸送の測定
• ミクロな4端子プローブによる表面電気伝導の測定
• 28aYQ-10 独立駆動型四探針STM装置による表面電気伝導の測定
• 27pPSA-5 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSA-5 集束イオンビーム複合型低温4探針STM装置の開発(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pRC-4 Si(111)-4×1-In表面の異方的表面電気伝導度の温度依存性(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pRC-2 高磁場下サブケルビン・マイクロ4端子プローブ装置の開発(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pCK-10 In,Pbモノレイヤー超伝導体の超伝導転移および臨界磁場測定(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 7aSM-12 正方4端子法による表面電気伝導度測定(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 24aYF-9 4探針STMによる表面電気伝導測定(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク