谷川 雄洋 | 東大理
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概要
関連著者
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谷川 雄洋
東大理
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長谷川 修司
東大理
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松田 巌
東大理
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長尾 忠昭
物材機構
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長尾 忠昭
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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長尾 忠昭
東大理
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Yeom H.
延世大
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Yeom H.
Yonsei大
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沖野 泰之
東大理
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白木 一郎
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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金川 泰三
東大理
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金川 泰三
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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大内 暁
東大理
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Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
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Yeom W.h
Yonsei Univ. Seoul Kor
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登野 健介
理研XFEL
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登野 健介
東大院理
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Yeom Han
東大理
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松田 巌
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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谷川 雄洋
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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守川 春雲
東大理
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守川 春雲
延世大学
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森川 春雲
東大理
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堀越 孝太郎
東大理
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X Tong
科学技術振興事業団
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田邊 輔仁
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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田辺 輔仁
東大理
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Tong X.
理研
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長谷川 修司
東京大学大学院理学研究科
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三沢 和彦
東大理
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小林 孝嘉
東大理
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太田 俊明
東大理
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植木 昭勝
東大理
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福武 直樹
東大理
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小林 孝嘉
東京大学理学系研究科
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原沢 あゆみ
東大物性研
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保原 麗
東大理
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太田 俊明
立命館大学SRセンター
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太田 俊明
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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YEOM Han
Atomic-scale Surface Science Reserch Center and Institute of Physics and Applied Physics. Yonsei Uni
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登野 健介
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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登野 健介
東大理
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松田 巌
東大大理
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保原 麗
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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保原 麗
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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Yeom Han
東大大工
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PETERSEN Christian
Capres A/S
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HANSSEN Torben
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
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BOGGILD Peter
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
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GREY Francois
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
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Grey F
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
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YEOM Han-Woong
東大理
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関口 武治
東大理
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Yeom H.W.
東大工
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木下 豊彦
東大理
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Yeom Han
Atomic-scale Surface Science Research Center And Institute Of Physics And Applied Physics Yonsei Uni
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Peterson C
Capres A/s
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白木 一郎
東大理
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谷川 雄洋
東大大理
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長尾 忠昭
東大大理
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長谷川 修司
東大大理
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淺沼 伸彦
東大理
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太田 俊昭
東大理
著作論文
- 8a-G-12 シアニンJ会合体の顕微分光
- 半導体表面上金属超薄膜の量子井戸状態の研究
- 27aWP-4 In/Si(111)-4x1 ↔ 8x'2'表面相転移に対する不純物の影響(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 21aYD-6 Si(111)-4x1-In 系の低温相転移の STM 観察
- 31pZE-4 マイクロ 4 端子プローブ法による表面相転移での電子輸送の研究
- ミクロな4端子プローブによる表面電気伝導の測定
- 24pPSA-38 アルカリ金属原子吸着Si(111)-√×√表面の構造と電気伝導
- 27a-PS-44 Si(001)表面上のAgの低温層状成長と量子閉じ込めの研究
- 27pY-12 Si(111)-3x2-Ca表面の電子状態
- 実験室 マイクロ4端子プローブによる表面電気伝導の測定
- 28aYQ-11 マイクロ4端子法による電気伝導の測定
- 24aPS-18 Si(111)-√×√-Ag表面の電子状態
- 24aT-7 Si(001)上のAg原子層のunwettingと電気伝導II
- 26aPS-50 Si(001)上のAg原子層のunwettingと電気伝導
- 26aPS-24 インジウムが吸着したSi(111)表面での低温相転移
- 7aSM-13 マイクロ4端子法を用いた単原子層電荷密度波の電子輸送特性(表面界面構造・電子物性,領域9)