半導体表面上金属超薄膜の量子井戸状態の研究
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概要
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- 日本表面科学会の論文
- 2002-08-10
著者
-
登野 健介
理研XFEL
-
谷川 雄洋
東大理
-
登野 健介
東大院理
-
太田 俊明
立命館大学SRセンター
-
太田 俊明
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
-
Yeom H.
延世大
-
Yeom H.
Yonsei大
-
Yeom Han
東大理
-
松田 巌
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
-
YEOM Han
Atomic-scale Surface Science Reserch Center and Institute of Physics and Applied Physics. Yonsei Uni
-
谷川 雄洋
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
-
登野 健介
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
-
長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
-
Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
-
Yeom W.h
Yonsei Univ. Seoul Kor
-
Yeom Han
Atomic-scale Surface Science Research Center And Institute Of Physics And Applied Physics Yonsei Uni
-
長谷川 修司
東京大学大学院理学研究科
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