Yeom H.w. | Yonsei Univ. Seoul Kor
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概要
関連著者
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Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
-
Yeom H.
延世大
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Yeom H.
Yonsei大
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Yeom W.h
Yonsei Univ. Seoul Kor
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Yeom Han
東大理
-
登野 健介
理研XFEL
-
太田 俊昭
東大理
-
松田 巌
東大理
-
太田 俊明
東大理
-
登野 健介
東大理
-
長谷川 修司
東大理
-
登野 健介
東大院理
-
Yeom H.W.
東大理
-
長尾 忠昭
物材機構
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長尾 忠昭
東大理
-
堀越 孝太郎
東大理
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Yeom Han
東大大工
-
尾嶋 正治
東大工
-
小野 寛太
東大工
-
小野 寛太
総研大・高エ研
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太田 俊明
東大大理
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河野 省三
東北大科研
-
河野 省三
東北大・理
-
松田 巌
東大大理
-
Yeom H.
東大工
-
武田 さくら
東大理
-
河野 省三
東北大
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長尾 忠昭
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
-
松井 文彦
東大理
-
中村 健哉
東大工
-
中園 晋輔
東大工
-
松井 文彦
東大大理
-
虻川 匡司
東北大学多原研
-
谷川 雄洋
東大理
-
鈴木 章二
東北大院・理
-
中村 真之
東北大 科研
-
木原 隆幸
東大工
-
虻川 匡司
東北大科研
-
登野 健介
東大大理
-
木原 隆幸
東大院工
-
福谷 博仁
筑波大物理
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水口 将輝
東北大学
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SHIVAPRASAD S.M
東北大 科研
-
太田 俊明
立命館大学SRセンター
-
岡林 潤
東大理
-
間野 高明
東大院工
-
間野 高明
東大工
-
水口 将輝
東大工
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虻川 匡司
東北大多元研
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柿崎 明人
東京大学放射光連携研究機構(物性研究所)
-
中村 真之
東北大科研
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坂本 一之
東北大院理
-
坂本 邦博
電総研
-
坂本 統徳
電総研
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Yeom H.W
東北大理学部
-
鈴木 章二
東北大理学部
-
佐藤 繁
東北大理学部
-
間野 高明
物質・材料研究機構
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東山 和幸
東北大理
-
東山 和幸
筑波大物理
-
間野 高明
(独)物質・材料研究機構
-
萩本 賢哉
東大工
-
岩渕 美保
筑波大物理
-
細井 真也
筑波大物理
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Yeom H.-w.
東北大 科研
-
田邊 輔仁
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
-
H.w Yeom
東大理
-
YEOM H.W
東大理
-
大内 暁
東大理
-
Yeom H.-w.
東北大理:(現)東大理
-
Koh H.
Yonsei大
-
関口 武治
東大理
-
田辺 輔仁
東大理
-
Yeom H.W.
東北大理
-
Kim J.W.
Yonsei University
-
菅 滋正
阪大基礎工
-
白井 正文
東北大通研
-
中川 剛志
JASRI SPring-8
-
木口 学
東工大院理工
-
原沢 あゆみ
東大物性研
-
奥田 太一
東大物性研
-
秋永 広幸
JRCAT
-
大門 寛
奈良先端大物質創成:crest-jst
-
佐藤 繁
東北大院理
-
佐藤 繁
東北大院・理
-
下村 勝
東北大 科研
-
虻川 匡司
東北大 科研
-
比嘉 昌
東北大 科研
-
YEOM H.W
東北大 科研
-
鈴木 章二
東北大 理
-
佐藤 繁
東北大 理
-
谷 順二
東北大 流体研
-
河野 省三
東北大 科研
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太田 俊明
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
-
大門 寛
阪大基礎工
-
眞砂 卓史
JRCAT
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白井 正文
阪大基礎工
-
木綿 秀行
東大工
-
堀場 弘司
東大工
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柿崎 明人
高エ研
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Chung Y.
Yonsei大
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呉 鎮浩
東大工
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奥山 弘
京大院理
-
虻川 匡司
東北大学多元物質科学研究所
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西嶋 光昭
京大理
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有賀 哲也
京大理
-
眞砂 卓史
Jrcat:オングストロームテクノロジ研究機構
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Chen X.
Univ. of Wisconsin-Milwaukee
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河野 省三
東北大多元研
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坂木 一之
東北大院理
-
中辻 寛
阪大基礎工
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須藤 彰三
東北大院理
-
平野 真澄
東北大院理
-
土井 里志
東北大院理
-
牛見 義光
東北大院理
-
東北大院理 和喜男
東北大院理
-
牛見 義光
東北大学大学院理学研究科
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堀場 弘治
理研 SPring-8
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下村 勝
静岡大電子研
-
Shivaprasad S.M
東北大理学部
-
Chen X
東北大理学部
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虻川 司
東北大科研
-
谷 順二
東北大流体研
-
須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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佐藤 昇男
東大理
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古畑 武夫
阪大基礎工
-
松田 巌
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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YEOM Han
Atomic-scale Surface Science Reserch Center and Institute of Physics and Applied Physics. Yonsei Uni
-
谷川 雄洋
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
-
登野 健介
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
-
長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
-
近藤 寛
東大大理
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Uhrberg R.i.g.
Linkoping University
-
宮原 恒
都立大・院理
-
籠島 靖
KEK-PF
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宮原 恒〓
KEK-PF
-
奥田 太一
阪大基礎工
-
柿崎 明人
KEK-PF
-
尾嶋 正浩
東大工
-
Oh J.
東大工
-
Yeom H
東大工
-
西嶋 光昭
京大院理
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YEOM Han
Yonsei大物理
-
沖 宏幸
阪大基礎工
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Yeom H.
Yonsei Univ. Seoul Kor
-
X Tong
科学技術振興事業団
-
宮原 恒〓
都立大・院理
-
中川 剛恵
名大院工
-
YEOM Han-Woong
東大理
-
木口 学
東大大理
-
岡本 裕一
東大大理
-
今西 哲士
東大大理
-
廉 罕雄
東大埋
-
伊澤 一也
東大大理
-
都築 健久
東大埋
-
登野 健介
東大埋
-
Yeom H.W.
東大工
-
Tong X.
理研
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木下 豊彦
東大理
-
土江 孝二
東大理
-
Yeom W.H
東大理
-
奥山 弘
京大理
-
中川 剛志
京大理
-
Yeom Han
Yonsei University
-
Yeom Han
Atomic-scale Surface Science Research Center And Institute Of Physics And Applied Physics Yonsei Uni
-
佐藤 繁
東北大 理 物理
-
篭島 靖
姫工大院・理・物質科学
-
雨宮 健太
東大大理
-
Han Woong
東大理
-
Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Osaka University
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下村 勝
静岡大 大学院電子科学研究科
-
長谷川 修司
東京大学大学院理学研究科
-
都築 健久
東大理
-
松井 文彦
奈良先端大
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Yeom H.W.
Yonsei大学
-
Zhang H.M.
Linkoping大学
-
Kim Y.J.
Yonsei University
-
Lee H.S.
Yonsei University
-
Ahn J.R.
Yonsei University
-
Hwang C.C.
Pohang Accelerator Laboratory
-
Kim B.S.
Pohang Accelerator Laboratory
-
Kong K.
University of Seoul
-
Yu B.D.
University of Seoul
-
Ha Y.H.
KRISS
-
Moon D.W.
KRISS
-
Baek S.Y.
Yonsei University
著作論文
- 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
- 30aXE-6 MBE成長したGaAs再構成表面のin situ放射光光電子分光
- 28aTB-7 閃亜鉛鉱型CrAsの光電子分光
- 25pW-12 Si(111)-(7x7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程
- 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
- 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study
- 半導体表面上金属超薄膜の量子井戸状態の研究
- 29a-PS-29 Si(001)及び(111)表面上ベンゼンの吸着構造と電子構造
- 29a-PS-2 Pb/Si(001)表面の電子構造研究
- 22pT-13 Si2p角度分解光電子分光によるSiO2/Si(100)界面構造に関する研究
- 22aW-11 光電子分光によるIn吸着Si(111)表面の低次元金属性の研究
- 28p-S-13 放射光光電子分光によるSi(001)表面上Ag超薄膜内の量子化状態研究
- Si(111)-√×√-Ag表面準位の二次元角度分解光電子分光
- 24pPSA-34 Si(001)5x3.2-Au表面の電子構造
- 24aPS-35 Si(111)7×7表面上の炭化水素分子の吸着 : 光電子分光法による研究
- 28a-Q-5 Hydrogen-induced 3x1 phase on the Si-rich 3C-SiC(001)surface
- 28a-YR-3 Surface band structure of anomalous carbon dimers on the 3C-SiC(001)c(2x2) surface
- 27a-PS-44 Si(001)表面上のAgの低温層状成長と量子閉じ込めの研究
- 1p-YE-11 Si(001)表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究III : Ag4d準位の表面積構造依存性
- 7a-PS-19 角度分解光電子分光法によるSi(001)1x2-Ge表面の電子構造研究
- 5a-H-1 Si(001)表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究II : Si(001)c(6x2)-Ag表面
- 31p-F-4 Si(001)2×1表面上のC_2H_2, C_2H_4の吸着 : -NEXAFSと光電子分光を用いた研究
- 28aYQ-12 Si(100)上Biナノワイヤの表面構造と電子状態
- 28aYQ-6 Si(100)-Pbの表面構造と電子状態
- 27pY-12 Si(111)-3x2-Ca表面の電子状態
- 28a-Q-9 Si(111)√×√-Ag表面上におけるC-60分子層の構造
- 28p-YR-2 Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導
- 29a-PS-16 Si(001)2×l表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究I : Si(001)2×3-Ag表面
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
- 24aPS-14 Si(111)-√×√、3×3-Pb相転移のSTMによる研究
- 22aW-9 鉛吸着シリコン表面上での整合-不整合転移のSTM及び光電子分光法による研究
- 22aW-2 In/Cu(001)表面電荷密度波の光電子分光・トンネル分光
- 26p-YM-8 NEXAFSによるSi(111)の初期酸化過程でのO_2precursorの研究
- 30p-Q-1 8×2-In/Si(111)超構造の1次元電荷密度波の低温STM観察
- 25a-YM-9 In吸着Si(111)表面の4×1⇄8×2パイエルス構造相転移
- 8aSM-13 Si(111)-(7×7)表面上に吸着した準安定酸素の構造決定(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 6aSN-2 Electronic nature of one-dimentional noble metal nanowires on the Si(5 5 12) surface
- 8aSM-10 Spontaneous incorporation of nitrogen onto the Si(001)
- 8aSM-9 Adsorption of C2H2 and C2H4 on Si(001) : core-level photoemission