長尾 忠昭 | 東大理
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概要
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長尾 忠昭
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武田 さくら
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著作論文
- 30a-PS-15 Na吸着Si(111)-7×7表面のHREELS
- 24pPSA-38 アルカリ金属原子吸着Si(111)-√×√表面の構造と電気伝導
- 27pY-12 Si(111)-3x2-Ca表面の電子状態
- 28a-Q-9 Si(111)√×√-Ag表面上におけるC-60分子層の構造
- 28p-YR-2 Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導
- 24aPS-14 Si(111)-√×√、3×3-Pb相転移のSTMによる研究
- 22aW-9 鉛吸着シリコン表面上での整合-不整合転移のSTM及び光電子分光法による研究
- 28aYQ-11 マイクロ4端子法による電気伝導の測定
- 24aPS-18 Si(111)-√×√-Ag表面の電子状態
- 26aPS-50 Si(001)上のAg原子層のunwettingと電気伝導
- 26aPS-24 インジウムが吸着したSi(111)表面での低温相転移
- SPA-LEEDによるSi(111)-√3-Auの秩序-無秩序相転移の研究
- 29a-PS-21 Si(111)-5×2-Au構造のRHEED-STMによる研究
- 低温に於けるSi(111)-√x√-Ag上のAg蒸着過程のRHEED/STMの観察
- Au吸着Si(111)表面のドメイン構造
- 3p-K-10 Au吸着Si(111)表面の高温STM観察II
- 31a-PS-3 Pb吸着Si(111)表面のSTM観察と電気伝導測定
- 30p-Q-1 8×2-In/Si(111)超構造の1次元電荷密度波の低温STM観察
- 28p-Q-14 Si(111)-√×√-Ag表面の低温STM観察
- 25a-YM-5 Si(111)-√×√-Ag表面上の電子定在波
- Si(111)表面上のAgの吸着・脱離過程のその場SEM-SREM観察
- 3p-J-3 核生成による表面電気伝導変化
- 30a-PS-20 RHEEDによるSi(111)-√×√-Au表面の秩序-無秩序相転移の研究
- 25a-YM-9 In吸着Si(111)表面の4×1⇄8×2パイエルス構造相転移
- 29p-S-1 金属6硼化物表面の格子緩和と格子振動
- 28aYQ-10 独立駆動型四探針STM装置による表面電気伝導の測定
- 24pPSA-52 Epitaxial Growth of Ag on Si(111)-4×1-In Surface
- 22aWA-13 表面電子状態中のシートプラズモンにおける量子効果
- 31p-YF-4 Si(111)-n×1-Ca表面構造のRHEED-STM観察
- 1p-YE-13 Si(111)表面上のC_分子層の構造と電気伝導
- 31a-PS-35 シリコン表面のアルカリ吸着による構造と電気伝導
- 31a-PS-9 UHV-SEM-SREM-RHEED-STMによるSi(111)-(Ag+Au) 二元表面合金相の形成過程の観察
- 8a-H-1 Si(111)-√×√-Ag表面上のアルカリ吸着による構造と電気伝導
- 7a-PS-21 UHV-SEM/SREMによるSi(111)-√×√-(Ag+Au)の形成過程の観察
- 25pW-15 表面電子バンド中に局在した(2次元?)プラズモン
- 8a-H-2 Pb吸着Si(111)表面における新構造と電気伝導
- 29p-F-7 (AU, CU)/Si(111)-√×√-Ag表面における構造安定性と電気伝導
- 29a-PS-15 Si(111)-(√×√)R30°-Auの構造相転移:分域境界が担う相転移
- 25pW-4 μ-4probe内蔵UHV-SEM-SREMによる表面電気伝導のその場観察
- 24aPS-12 独立駆動型4端子STM装置の開発
- 23pW-11 独立駆動型4端子STMによる表面電気伝導の測定
- 24aT-1 Si(111)表面上の単結晶Bi超薄膜の成長メカニズム
- 23aT-3 SPA-LEEDによるIn-4×1,8×2/Si(111)相転移の温度依存性の測定
- 29a-PS-15 Si(111)表面上のCa吸着・脱離過程のSTM観察
- 28p-YM-5 2次元角度走査型HREELS装置-ELS-LEED装置-の製作
- In/Si(111)-√3×√3-Gaの表面構造と電気特性