植田 正輝 | 東大物性研
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概要
関連著者
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植田 正輝
東大物性研
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首藤 健一
東京大学・物性研究所
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服部 賢
奈良先端大
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小森 文夫
東大・物性研
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服部 賢
東大・物性研
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植田 正輝
東大・物性研
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首藤 健一
東大・物性研
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飯盛 拓嗣
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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服部 賢
東大物性研
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首藤 健一
東大物性研
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飯盛 拓嗣
東大・物性研
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長谷川 修司
東大理
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井野 正三
宇都宮大学サテライトベンチャービジネスラボラトリ
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長尾 忠昭
東大理
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岩城 隆雄
東大物性研
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井野 正三
東大理
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小林 暢子
東大理
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中島 雄二
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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岩城 隆雄
(株)デンソー 基礎研究所
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岩城 隆雄
東大・物性研
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中島 雄二
東大理
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植田 正輝
東大理
著作論文
- 7a-PS-12 光照射下Si(111)面のSTMを用いた観察
- 31p-F-3 水素・塩素共吸着Si(111)表面の光電子分光
- 29a-PS-64 光電子分光による塩素吸着Si(111)表面の電子刺激脱離
- 赤外光照射下におけるSi(111)表面のSTM観察
- Si(111)-7x7表面での水素と塩素の吸着, 脱離のSTM観察
- XPSを用いた塩素吸着Si(111)表面の光脱離の研究
- 30a-PS-20 RHEEDによるSi(111)-√×√-Au表面の秩序-無秩序相転移の研究