In/Si(111)-√3×√3-Gaの表面構造と電気特性

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1996-09-13

著者

• 長谷川 修司

  東大理

• 井野 正三

  宇都宮大学サテライトベンチャービジネスラボラトリ

• 長尾 忠昭

  東大理

• 武田 さくら

  東大理

• 井野 正三

  東大理

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