Yeom Han | 東大大工

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概要

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• Yeom Han

  東大大工

• Yeom H.

  延世大

• Yeom H.

  Yonsei大

• Yeom Han

  東大理

• Yeom H.w.

  Yonsei Univ. Seoul Kor

• Yeom W.h

  Yonsei Univ. Seoul Kor

• 松田 巌

  東大理

• 太田 俊昭

  東大理

• 登野 健介

  理研XFEL

• 太田 俊明

  東大理

• 登野 健介

  東大理

• 長谷川 修司

  東大理

• 登野 健介

  東大院理

• 松井 文彦

  東大理

• 松井 文彦

  東大大理

• 太田 俊明

  東大大理

• 堀越 孝太郎

  東大理

• 長尾 忠昭

  物材機構

• 谷川 雄洋

  東大理

• 奥田 太一

  東大物性研

• 太田 俊明

  立命館大学SRセンター

• 坂本 一之

  東北大院理

• Uhrberg R.I.G.

  Linkoping大学

• 坂木 一之

  東北大院理

• 須藤 彰三

  東北大院理

• 土井 里志

  東北大院理

• 牛見 義光

  東北大院理

• 東北大院理 和喜男

  東北大院理

• 牛見 義光

  東北大学大学院理学研究科

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• 松田 巌

  東大大理

• 登野 健介

  東大大理

• Uhrberg R.i.g.

  Linkoping University

• 長尾 忠昭

  東大理

• YEOM Han

  Yonsei大物理

• 武田 さくら

  東大理

• YEOM Han-Woong

  東大理

• 大内 暁

  東大理

• Yeom Han

  Yonsei University

• 雨宮 健太

  東大大理

• CHAO Y.-C.

  Linkoping University

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著作論文

• 25pW-12 Si(111)-(7x7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程
• 24pPSA-34 Si(001)5x3.2-Au表面の電子構造
• 24aPS-35 Si(111)7×7表面上の炭化水素分子の吸着 : 光電子分光法による研究
• 28a-Q-5 Hydrogen-induced 3x1 phase on the Si-rich 3C-SiC(001)surface
• 27a-PS-44 Si(001)表面上のAgの低温層状成長と量子閉じ込めの研究
• 26p-YM-8 NEXAFSによるSi(111)の初期酸化過程でのO_2precursorの研究
• 1p-YE-10 SURFACE BAND STRUCTURE OF THE Si-RICH 3C-SiC(001)3×2 SURFACE
• 25a-YM-9 In吸着Si(111)表面の4×1⇄8×2パイエルス構造相転移

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