Yeom H. | Yonsei大
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概要
関連著者
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Yeom H.
延世大
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Yeom H.
Yonsei大
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Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
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Yeom W.h
Yonsei Univ. Seoul Kor
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Yeom Han
東大理
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登野 健介
理研XFEL
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松田 巌
東大理
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太田 俊昭
東大理
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登野 健介
東大理
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太田 俊明
東大理
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長谷川 修司
東大理
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登野 健介
東大院理
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長尾 忠昭
物材機構
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長尾 忠昭
東大理
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堀越 孝太郎
東大理
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Yeom Han
東大大工
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尾嶋 正治
東大工
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小野 寛太
東大工
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小野 寛太
総研大・高エ研
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太田 俊明
東大大理
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Yeom H.W.
東大理
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松田 巌
東大大理
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Yeom H.
東大工
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武田 さくら
東大理
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長尾 忠昭
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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松井 文彦
東大理
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中村 健哉
東大工
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中園 晋輔
東大工
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松井 文彦
東大大理
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谷川 雄洋
東大理
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木原 隆幸
東大工
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登野 健介
東大大理
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木原 隆幸
東大院工
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水口 将輝
東北大学
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太田 俊明
立命館大学SRセンター
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岡林 潤
東大理
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間野 高明
東大院工
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間野 高明
東大工
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水口 将輝
東大工
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柿崎 明人
東京大学放射光連携研究機構(物性研究所)
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間野 高明
物質・材料研究機構
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間野 高明
(独)物質・材料研究機構
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萩本 賢哉
東大工
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田邊 輔仁
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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H.w Yeom
東大理
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YEOM H.W
東大理
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大内 暁
東大理
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関口 武治
東大理
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田辺 輔仁
東大理
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白井 正文
東北大通研
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中川 剛志
JASRI SPring-8
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木口 学
東工大院理工
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原沢 あゆみ
東大物性研
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奥田 太一
東大物性研
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秋永 広幸
JRCAT
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太田 俊明
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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眞砂 卓史
JRCAT
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白井 正文
阪大基礎工
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木綿 秀行
東大工
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堀場 弘司
東大工
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柿崎 明人
高エ研
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Chung Y.
Yonsei大
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呉 鎮浩
東大工
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奥山 弘
京大院理
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西嶋 光昭
京大理
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有賀 哲也
京大理
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眞砂 卓史
Jrcat:オングストロームテクノロジ研究機構
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坂本 一之
東北大院理
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坂木 一之
東北大院理
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須藤 彰三
東北大院理
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土井 里志
東北大院理
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牛見 義光
東北大院理
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東北大院理 和喜男
東北大院理
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牛見 義光
東北大学大学院理学研究科
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堀場 弘治
理研 SPring-8
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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佐藤 昇男
東大理
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松田 巌
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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YEOM Han
Atomic-scale Surface Science Reserch Center and Institute of Physics and Applied Physics. Yonsei Uni
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谷川 雄洋
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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登野 健介
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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近藤 寛
東大大理
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柿崎 明人
KEK-PF
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尾嶋 正浩
東大工
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Oh J.
東大工
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西嶋 光昭
京大院理
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YEOM Han
Yonsei大物理
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Yeom H.
Yonsei Univ. Seoul Kor
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X Tong
科学技術振興事業団
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中川 剛恵
名大院工
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YEOM Han-Woong
東大理
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木口 学
東大大理
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岡本 裕一
東大大理
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今西 哲士
東大大理
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廉 罕雄
東大埋
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伊澤 一也
東大大理
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都築 健久
東大埋
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登野 健介
東大埋
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Koh H.
Yonsei大
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Yeom H.W.
東大工
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Tong X.
理研
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木下 豊彦
東大理
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土江 孝二
東大理
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Yeom W.H
東大理
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奥山 弘
京大理
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中川 剛志
京大理
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Yeom Han
Yonsei University
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Yeom Han
Atomic-scale Surface Science Research Center And Institute Of Physics And Applied Physics Yonsei Uni
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雨宮 健太
東大大理
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Han Woong
東大理
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Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Osaka University
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長谷川 修司
東京大学大学院理学研究科
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都築 健久
東大理
著作論文
- 30aXE-6 MBE成長したGaAs再構成表面のin situ放射光光電子分光
- 28aTB-7 閃亜鉛鉱型CrAsの光電子分光
- 25pW-12 Si(111)-(7x7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程
- 半導体表面上金属超薄膜の量子井戸状態の研究
- 29a-PS-29 Si(001)及び(111)表面上ベンゼンの吸着構造と電子構造
- 29a-PS-2 Pb/Si(001)表面の電子構造研究
- 22pT-13 Si2p角度分解光電子分光によるSiO2/Si(100)界面構造に関する研究
- 22aW-11 光電子分光によるIn吸着Si(111)表面の低次元金属性の研究
- 28p-S-13 放射光光電子分光によるSi(001)表面上Ag超薄膜内の量子化状態研究
- 24pPSA-34 Si(001)5x3.2-Au表面の電子構造
- 24aPS-35 Si(111)7×7表面上の炭化水素分子の吸着 : 光電子分光法による研究
- 28a-Q-5 Hydrogen-induced 3x1 phase on the Si-rich 3C-SiC(001)surface
- 28a-YR-3 Surface band structure of anomalous carbon dimers on the 3C-SiC(001)c(2x2) surface
- 27a-PS-44 Si(001)表面上のAgの低温層状成長と量子閉じ込めの研究
- 1p-YE-11 Si(001)表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究III : Ag4d準位の表面積構造依存性
- 7a-PS-19 角度分解光電子分光法によるSi(001)1x2-Ge表面の電子構造研究
- 5a-H-1 Si(001)表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究II : Si(001)c(6x2)-Ag表面
- 31p-F-4 Si(001)2×1表面上のC_2H_2, C_2H_4の吸着 : -NEXAFSと光電子分光を用いた研究
- 28aYQ-12 Si(100)上Biナノワイヤの表面構造と電子状態
- 28aYQ-6 Si(100)-Pbの表面構造と電子状態
- 27pY-12 Si(111)-3x2-Ca表面の電子状態
- 28a-Q-9 Si(111)√×√-Ag表面上におけるC-60分子層の構造
- 28p-YR-2 Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導
- 29a-PS-16 Si(001)2×l表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究I : Si(001)2×3-Ag表面
- 24aPS-14 Si(111)-√×√、3×3-Pb相転移のSTMによる研究
- 22aW-9 鉛吸着シリコン表面上での整合-不整合転移のSTM及び光電子分光法による研究
- 22aW-2 In/Cu(001)表面電荷密度波の光電子分光・トンネル分光
- 26p-YM-8 NEXAFSによるSi(111)の初期酸化過程でのO_2precursorの研究
- 30p-Q-1 8×2-In/Si(111)超構造の1次元電荷密度波の低温STM観察
- 25a-YM-9 In吸着Si(111)表面の4×1⇄8×2パイエルス構造相転移